汶川强震区都江堰虹口小沟地震泥石流灾害调查研究

汶川地震诱发了很多地震泥石流.通过对四川省都江堰市虹口乡小沟泥石流沟实地考察和室内实验数据分析,得出小沟泥石流暴发的主要原因是:(1)2008年5月12日汶川大地震导致大量山体滑坡,在四川省都江堰虹口乡小沟流域内大量滑坡体失去了原有稳定性但还没有滑动,(2)强降雨作用使滑坡体运动至沟道内,阻塞束窄沟道,后在洪水冲刷下溃决,摹发泥石流.目前小沟流域内还存在大量潜在滑坡,在强降雨作用下,很客易再次滑至沟道,并在洪水作用下启动形成泥石流,造成灾害.此类强震区泥石流的暴发具有一定的隐藏性,事前不易被发觉,危险性更大.     

八组分标准气中微量CO、CO_2快速定值方法研究与应用

根据反吹技术原理对8830型气相色谱仪进行气路改造,实现了对八组分标准气中微量CO、CO2快速定值的目标,提高了工作效率。     

椿芽树沟泥石流灾害特征及防治对策

以四川省都江堰龙池镇为例,针对强降雨导致大规模泥石流群发问题,探讨了泥石流发生条件与特征,基于椿芽树沟泥石流沟实地考察与试验数据分析,获得了沟床、物源、水源条件三个主要控制因素是泥石流暴发的诱因,为防灾减灾提出了防治建议.     

变压器差动保护的简单分析

电力变压器是电力系统中最关键的主设备之一,它承担着电压变换,电能分配和传输,并提供电力服务。在35kV及以上变电站主要用于保护双绕组或三绕组变压器绕组内部及其引出线上发生的各种相间短路故障,同时也可以用来保护变压器单相匝间短路故障。当变压器发生区外短路故障时,由于变压器本身流过巨大的短路电流而对其本体的绝缘和性能造成了破坏,同时伴随着变压器内部发生匝间短路故障的情况也时常发生,这就要求差动保护在这种情况下也能够可靠动作而不被误闭锁,这就对差动保护提出了更高的要求。     

不同碳化硅器件的直接比较

本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作对比。全面比较了3种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围(1A~7A)的动态特性,并在T=125℃、ID=7A条件下做了快速评估。尽管SiC MOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiC MOSFET的总动态损耗远远低于SiC BJT和常闭型SiC JFET,且驱动方案非常简单。因此在高频、高效功率转换领域中,SiC MOSFET是最好的选择。     

中文信息自动分类系统及其神经网络优化算法

对两种在我校曾用过的中文自动分类方法进行 了介绍．在对这二种自动分类方法的改进基础上,提出了一种全新的基于神经网络的自动分 类优化算法．这种方法运用人工神经网络理论,并结合专家的职业经验,模仿手工分类的思 维过程,对过去已研制成的两个系统进行了改进和优化．这种方法的设计思想、体系结构、 理论性优化在这里进行了重点介绍．     

堰塞坝溃决特征和机理的试验研究

汶川震区泥石流沟道内存在大量地震诱发堰塞坝,溃决后极易形成泥石流,为研究其溃决特征和机理,通过松散堆积堰塞体的临界溃决试验,研究了在不同颗粒级配条件下,堰塞体溃决的临界溃决流量以及堰塞体溃决后的流量,得出:1堰塞体的临界溃决流量随颗粒中值粒径的增大而增大,在相同颗粒中值粒径条件下,临界溃决流量随颗粒的不均匀系数Cu的增大而减小,Cu50则临界溃决流量趋于固定值;2在上游来水流量较小时,增大来水流量后,下泄洪峰流量略有增加,堰塞体溃决产生的流量占洪峰流量比重较大,而来水流量较小,对溃决后洪峰流量的贡献也较小。     

等物质的量进样分析不同含量样品气的研究

通过色谱分析,利用注射器进样论证等物质的量进样分析不同含量样品气的可行性,进而给出建议。