反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究

应用CF_4、C_4F_8、CF_3I等反应气体SiO_2、单晶硅进行刻蚀研究.研究了刻蚀速率与离子能量、束流密度、入射角的关系、所得 SiO_2对单晶硅刻蚀选择比分别为 9:1(CF_4)、15:1(C_4F_8).刻蚀后,观察到表面有微量氟碳聚合物,但可用适当方法将氟碳沾污物予以消除.实验表明,C_4F_8反应气体是用于刻蚀SiO_2-Si 系统的较好气体,而CF_3I气体则否. 本文主要报道应用CF_4、C_4F_8在反应离子束刻蚀、镀膜装置(RIBC)中刻蚀SiO_2和Si的实验结果.     

集成光学头用的波导光栅耦合器的制作与性能研究

对集成光学头用的波导光栅器件的制作技术进行了研究。采用热氧化和离子束增强沉积方法分别在Si衬底上制备了SiO2层和玻璃波导层,制成了以Si为基底的光波导．采用PCVD法在该光波导上制备Si-N层,用全息干涉光刻法在Si-N层上制作了周期为1μm的等周期直线光栅,并用离子束刻蚀技术将该光栅转移到了Si-N层中。光栅的倾角约20～30°;一级衍射效率可达120％,具有明显的闪耀光栅特征。该光栅可用作导波光输入输出耦合器。     

磁泡存贮器平面技术

一、引言因为非平面工艺会使盖复层(金属或介质)形成一定的台阶坡度,容易引起复盖层起伏或断裂。Ni-Fe合金薄膜的台阶坡度致使驱动场磁场强度在台阶处的减小,导致器件性能变差,操作区变窄等。为了提高器件容量和工作性能,现已发展了新的平面技术。所谓平面技术就是将金属图形“镶嵌”于介质中的同一平面上。有关制作磁泡存贮器的几种平面技术,D.C.Bullock等人已经作了详细的综述。现在付诸实际使用的主要有S.Orihara等人和N.Tsuzuki等人应用剥离SiO_2法的平面技术。     

斜入射低能离子束溅射表面貌相的研究

如300～1200eV低能氩离子束以45°入射角溅射锗、硅、玻璃等七种样品的抛光表面,则样品表面都出现均匀分布的小丘。考察了离子入射角、能量、剂量、靶子旋转与否对貌相的影响。二次离子质谱和俄歇电子能谱的分析都表明了小丘不是由于杂质再沉积而形成。我们提出了关于小丘形成机理的假设,推导出小丘形成与离子入射角、能量、剂量等的关系式,并对实验结果作出了满意的解释。