半导体碳化硅的研究现状与应用前景

综述了碳化硅的结构，性能与应用现状，讨论了原子层外延法生长β－ＳｉＣ薄膜及液相外延法制备蓝色α－ＳｉＣ发光管工艺；展望了半导体碳化硅材料的发展前景。     

MOVPE：高速发展的光电子材料技术

文章综述了光电子材料技术的发展梗概，通过对比分析，从发展趋势上论述了ＭＯＶＰＥ法在生产光电子技术功能材料方面的进展。尤其进入９０年代中期以来，ＭＯＶＰＥ法的应用领域拓宽，发展速度加快，对未来光电子技术功能材料的发展具有不可替代的作用。     

东南亚半导体工业和市场发展趋势

综述了东南亚以及韩国等国和我国台湾省，香港等地区半导体需求迅速增长状态，指出该地区正在发民为世界电子工业产品供庆基地，半导体工业和市场发展前景看法。     

新型半导体薄膜材料的研究与进展

阐述了新型半导体薄膜材料－金刚石和富勒烯、Ｃ－氮化硼和β－碳化硅以及聚乙烯块和聚噻吩等制备技术进展、器件应用概况和未来发展趋势。     

ITO薄膜产业化进程概述

１ＩＴＯ薄膜发展概况氧化铟锡（Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ－Ｑｘｉｄｅ）或掺锡氧化铟（Ｔｉｎ－ｄｏｐｅｄＩｎｄｉｕｍＯｘｉｄｅ）薄膜是一种重掺杂、高简并ｎ型半导体，简称ＩＴＯ薄膜。目前，ＩＴＯ薄膜的电子密度ｎｅ可高达１０２１／ｃｍ３，电子迁移率μｅ在１５～４...     

我国半导体硅材料工业实际生产水平与市场需求动向

较为详尽地阐述了我国半导体硅材料生产的实际水平，诸如品种、质量、市场等情况，并与国外发展做简单对比，提出未来发展建议。     

世界硅材料市场述评

硅材料是半导体材料工业的基础，近年来市场需求不断增加，至本世纪末仍将保持稳定增长。目前硅单晶材料仍以１５０ｍｍ硅片为主，２００ｍｍ硅片的用量已扩大至总用量的１６％，产品供不应求，导致了全球性的建厂热潮。今后的发展方向是生产３００、４００ｍｍ甚至更大直径的晶片。生产硅片的原料多晶硅严重短缺，１９９６年将有所缓解。最后对１９９６年和１９９７年硅材料市场进行了预测。     

掺杂GaAs单晶中位错的腐蚀观察与探讨

本文阐述水平三温区炉生长的掺杂(Si,Te或Cr)GaAs中位错的腐蚀观察工艺和基本原理。详细探讨了由化学腐蚀所获得的一些结果,诸如位错坑,浅坑或碟坑,沉淀物和夹杂等。