贵州省纳雍县兴源煤矿二叠系龙潭组沉积特征浅析

在全面收集前人对研究区的区域地质调查资料和地质勘查成果基础上,从地层层序入手,研究区含煤岩系主要岩相类型,分析、总结研究了贵州省纳雍县兴原煤矿二叠系龙潭组矿区发育的主要沉积体系及其特征,为该区的下步勘探工作奠定基础。     

主汽压力控制品质与燃料量变化约束关系定量分析

  [目的]  以风电为代表的可再生能源规模化并网造成火电机组发电负荷指令大幅频繁变化，调试协调控制系统参数时需要在汽轮机前主蒸汽压力控制品质与燃料量变化幅度之间做出权衡。  [方法]  从简单一阶惯性对象着手，依次增加积分、纯迟延、非最小相位特性，逐步推导出典型对象调节时间同控制器输出的最大调节量之间约束关系的公式。  [结果]  进一步结合火电机组协调控制系统机侧控制回路闭环情况下锅炉燃料量与机前压力对象模型，得到描述发电负荷指令扰动下机前压力变化与燃料量变化间约束关系的公式。  [结论]  通过仿真实验结果和机组实际运行数据的验证，该公式准确性能够满足实用要求。     

深调峰工况下锅炉虚假水位预测

  [目的]  火电机组深调峰工况运行“虚假水位”现象严重影响机组安全运行，准确预测虚假水位出现时刻和幅度能够优化控制系统设计。  [方法]  研究思路为:将实际水位看作真实水位和虚假水位两部分的叠加，先根据能量平衡和物质平衡建立汽包水位模型计算出真实水位，再用实际水位减真实水位得到虚假水位，然后利用小波分析燃料量、汽包压力等信号与虚假水位信号在不同时间空间尺度下的相关性。  [结果]  通过对某600 MW机组深调峰负荷段运行数据进行分析，发现通过机理建模有效消除了给水流量和蒸汽流量对虚假水位信号波动的影响；在0.062 5 Hz至0.125 Hz频段，燃料量和汽包压力分别与虚假水位信号呈强相关性。  [结论]  可以辅助判断虚假水位的产生及其波动幅度。     

加氢裂化装置能耗优化方案的分析

主要对某石化厂加氢裂化装置的节能降耗进行了研究讨论,采用三环节理论模型对2014年能耗情况进行了分析,并有针对性地提出了节能降耗的方案,总结了优化后的效果。在各项措施得到有效实施后,装置能耗得到明显降低:综合能耗由41.84kgEo/t下降到34.263kgEo/t,下降幅度18.1%。通过近三年的持续过程管理、技术改造优化以及原料、产品结构调整,至2017年,装置全年生产负荷达82.34%,装置综合能耗31.885kgEo/t,较2014年下降23.8%,较设计值低6.2%。     

鄂尔多斯盆地北部地下水铀水文地球化学特征研究

为获得鄂尔多斯盆地北部区域地下水铀水文地球化学特征,运用铀水文地球化学知识,通过调查取样,分析数据,整理资料等进行研究。结果表明,区内第三系含水亚组水中铀含量平均值最高,12. 62μg/L;以区内铀含量滑动平均值1. 65倍均方差值为界限,将研究区划分成1个铀水文地球化学低背景场、10个偏高背景场、3个高背景场;铀水文地球化学场与潜水矿化度、潜水阴离子场、潜水阳离子场的分布特征相吻合。     

我国消防标准体系建设浅议

分析了有关国际、国外标准化组织的消防标准体系情况，回顾了我国消防标准体系建设和体系表编制历程，在分析研究我国第二版消防标准体系表的基础上，结合我国目前消防技术发展对标准体系建设的需求，提出研究制定第三版消防标准体系表的建议。     

热不稳定物质火灾危险性鉴定系统的研究

以常见的木材为研究对象，模拟木材的不同老化条件，运用TG-DTA热分析实验方法，在不同的升温速率和不同的实验气氛下进行热分析实验，分析了木材的分解燃烧反应机理，求解动力学参数，建立物质热不稳定性评估系统，通过尽可能全面的参数来评估物质的热不稳定性，分析其危险与安全的相对变化趋势。     

面向再制造的硬面堆焊技术研究现状和展望

从实验、理论和计算机仿真三个角度探讨了硬面堆焊技术的研究进展。指出硬面堆焊实验研究主要集中于硬面材料的研发及其力学性能和微观组织的检测,理论研究则主要集中于堆焊过程中温度场的解析,计算机仿真侧重于堆焊整个过程的动态模拟,以获得残余应力分布等信息用于对结构件的完整性评估。指出目前对于硬面堆焊技术的实验研究较多,但理论和数值仿真的研究相对较少。因此,积极开展硬面堆焊技术的理论及计算机仿真研究,采用先进技术改造堆焊这一传统工艺,可以促使其由"经验尝试"向"科学实践"的转变,同时促进硬面堆焊技术在再制造产业中发挥更大的作用。     

一种高压4H-SiC二极管改进场限环结终端结构

设计了一种用于3.3 kV4H-SiC肖特基二极管的场限环(FLR)结终端保护结构。该结终端保护结构是通过在高能离子注入形成二极管p+有源区的同时在结边缘形成多个不同间距的p+场限环来实现的,以避免多次离子注入。借助半导体数值仿真软件Silvaco,对制备二极管所用的4H-SiC材料外延层耐压特性进行了仿真验证;对场限环的环间距和场限环宽度进行了优化,形成由34个宽度5μm的场限环构成的场限环结终端结构。以此为基础,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)n型4H-SiC外延片成功制备了3.3 kV4H-SiC二极管器件。简述了制备工艺流程,给出了部分关键工艺参数。对二极管芯片进行了在片测试和分析,反向漏电流密度1 mA/cm2时的击穿电压约为3.9 kV,且70%以上的二极管耐压可达到3.6 kV以上,验证了这一场限环结终端的可行性。