非线性随机结构自由振动的数值分析

目前关于非线性随机结构体系的系统性的分析研究方法还很少。提出的基于Newmark-β格式的混合摄动伽辽金法就是对非线性随机结构系统动力响应分析研究的一个新的尝试。以带阻尼Duffing方程自由振动为例,介绍了该方法在非线性随机结构动力学领域的应用。与传统摄动法作对比结果更好。     

两种高油花生油品质研究

以高油花生宇花9号和宇花14号为研究对象,以普通花生海花1号和亲本花育20号作为对照,采用溶剂浸提法提取花生油,对花生油的感官品质、理化品质、脂肪酸组成及相对含量进行研究,并通过相关性分析和主成分分析探究花生油脂肪酸组成的关系。结果表明：试验制得的花生油均为黄色、澄清透明的液体,具有花生油固有的滋味和气味。宇花9号和宇花14号花生油酸价、碘值均显著低于亲本花育20号,酸价分别为0.08 mg/g和0.27 mg/g,碘值分别为94.20 g/100 g和93.08 g/100 g。脂肪酸检测结果表明：宇花9号、宇花14号油酸含量高,分别为42.510%和41.976%,油亚比分析结果表明宇花9号、宇花14号更耐贮藏。主成分分析和相关性分析表明,花生油主要脂肪酸为棕榈酸（C16：0）、硬脂酸（C18：0）、亚麻酸（C18：3n3）、花生酸（C20：0）、花生一烯酸（C20：1）,单不饱和脂肪酸与多不饱和脂肪酸存在极显著负相关,且与饱和脂肪酸存在极显著正相关,多不饱和脂肪酸与饱和脂肪酸存在极显著负相关。综合以上分析,相对比海花1号和花育20号,推测宇花9号和宇花14号更耐储藏。     

CVD金刚石涂层丝和涂层纤维

对近年来CVD金刚石涂层丝和涂层纤维以及金刚石涂层纤维复合材料的分类和发展状况做了较全面的介绍。并分析了它们的应用前景以及存在的问题。     

生长时间对纳米金刚石薄膜微结构的影响

文章研究了不同沉积时间下制备的不同厚度纳米金刚石薄膜的微观结构和相组成。采用热丝化学气相沉积法分别制备了沉积时间为52、67、97和127min的纳米金刚石薄膜。采用扫描电子显微镜和拉曼光谱表征薄膜的微观结构和相组成。结果表明,纳米金刚石薄膜表面颗粒尺寸大小无明显变化,约为50nm。随着生长时间增加,金刚石相含量保持稳定没有明显的增加或减小趋势,石墨相有序度以及石墨团簇尺寸随着生长时间增加而增加。     

CVD金刚石薄膜的掺硼研究

采用固体三氧化二硼，在单晶硅（100）衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行p型掺杂，对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究。结果表明，硼确实已掺入金刚石膜中；在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞；用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极，测试了在不同温度下电流随温度的变化。     

单颗粒层纳米金刚石薄膜的疏水性与黏性研究

采用热丝化学气相沉积法（CVD）制备单颗粒层纳米金刚石薄膜,研究颗粒分布状态对薄膜疏水性与黏性的影响规律。结果表明:对于疏水性而言,当颗粒间距大于1 500 nm时,颗粒间距对疏水性起主导作用,颗粒间距越小,疏水性越好;当颗粒间距小于1 500 nm时,颗粒尺寸对疏水性起主导作用,颗粒越大,疏水性越好;颗粒几乎连续后,三维结构变成二维平面,接触角又下降。对于黏性而言,当颗粒间距大于1 480 nm时,颗粒间距减小使液滴与薄膜表面接触状态由Wenzel状态转变为Cassie状态,黏性变差;当颗粒间距小于1 480 nm时,薄膜成分对黏性起主导作用,其上石墨相越多,黏性越好。由此得到颗粒分布状态对单颗粒层纳米金刚石薄膜疏水性与黏性的作用规律,为制备高疏水高黏性纳米金刚石薄膜奠定基础。这种无有机长链修饰的、具有良好导电性/电化学特性的、基于碳材料的高黏高疏水表面,可提供大量的气固液三相界面和液下空气袋,为液下耗气型催化/电催化反应或电场驱动下的微液滴无损转移提供基础材料。     

国际国内经济发展周期和铜的走势

本文论述了９０年代铜市主要特点，国际国内经济发展周期及其对铜价的影响，指出今后２～３年铜市供大于求，并预测了铜的价位。     

氧离子注人对金刚石薄膜微结构和力学性能的影响

采用扫描电镜（SEM）、Raman光谱和纳米压痕法研究了氧离子注入对低硼掺杂金刚石薄膜微结构和力学性能的影响。结果表明,薄膜中注入较高剂量的氧离子并退火后,晶粒尺寸减小。氧离子注入导致薄膜中金刚石含量减小;1000℃退火后,薄膜中金刚石含量增加为99．8％。氧离子注入后,薄膜中的内应力由拉应力转变为压应力;退火后,薄膜内应力再转变为柱应力。氧离子注入后的金刚石薄膜的硬度较注入前的薄膜硬度有所降低,但其硬度仍然大于40GPa并具有良好的弹性恢复率。薄膜的力学性能与薄膜中的金刚石含量、晶粒尺寸和应力值有直接关系。     

硼硫共掺杂金刚石薄膜的研究

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以丙酮为碳源．用二甲基二硫和三氧化二硼作掺杂源．在硅衬底上制备了硼与硫共掺杂的金刚石薄膜。用俄歇谱分析金刚石薄膜中硫的含量．用傅里叶红外光谱(FTIR)分析了薄膜表面键结构．用扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜的表面形貌．X射线衍射(XRD)和喇曼(Raman)光谱表征膜层的结构。结果表明：微量硼的加入促进硫在金刚石中的固溶度,使硫在金刚石中的掺杂率提高了近50％;随着薄膜中硫含量的增加．薄膜的导电性增加,当薄膜中硫含量达到0．15％(原子分数)时其导电激活能为0.39eV。     

低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备

利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜.质子激发X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度;扫描电镜和Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄膜的晶粒较完整,薄膜中存在较多的非金刚石碳相.Hall效应测试表明薄膜的导电类型为n型,电阻率为0 .0 2 4 6 Ω·cm,载流子浓度为2 .4 0×1 0 1 7cm- 3,Hall迁移率为1 0 3cm2 / (V·s) ;较低的电阻率是薄膜中存在sp2键和掺入的硫杂质等多种因素作用的结果