全文获取类型
收费全文 | 89篇 |
免费 | 3篇 |
国内免费 | 9篇 |
专业分类
电工技术 | 5篇 |
综合类 | 6篇 |
化学工业 | 2篇 |
金属工艺 | 2篇 |
机械仪表 | 2篇 |
矿业工程 | 4篇 |
能源动力 | 1篇 |
无线电 | 71篇 |
一般工业技术 | 5篇 |
冶金工业 | 2篇 |
自动化技术 | 1篇 |
出版年
2018年 | 1篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 3篇 |
2011年 | 5篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 4篇 |
2007年 | 7篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 15篇 |
2004年 | 8篇 |
2003年 | 9篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 4篇 |
1998年 | 2篇 |
1994年 | 2篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
排序方式: 共有101条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
用溶剂蒸发法将单分散SiO2微球组装成三维有序结构的胶体晶体,用金属有机化学气相沉积技术向SiO2胶体晶体中填充高折射率材料InP,获得了InP-SiO2两种介质复合的三维光子晶体,通过扫描电子显微镜、X射线衍射、能谱和紫外-可见光谱仪对InP-SiO2三维光子晶体的形貌、结构和光学性能进行了观察测试。研究结果表明:InP在SiO2微球空隙间具有较高的结晶质量,填充较致密均匀、与相同晶格周期的SiO2光子晶体相比,InP-SiO2光子晶体的反射光谱的峰值波长发生明显的红移。 相似文献
4.
5.
ZnS 和 ZnSc 是宽禁带的Ⅱ—Ⅵ族化合物,是制备光电器件十分理想的材料,其光谱可复盖从可见到紫外的范围。对于这样的应用,生长高质量的外延薄膜是十分重要的。但是因为没有质量足够高的块状单晶可以用作衬底材料,所以这些材料外延生长的研究集中在异质外延上。例如,GaAs 特别被选用为外延生长 ZnSc 的衬底,因为这二种材料的晶格常数差异很小。但是这个屏质外 相似文献
6.
本文报导了我们用常压MOCVD生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。我们首次制备了阱宽低达10(?)的ZnSe-ZnS应变超晶格。 相似文献
7.
8.
介绍了双基色LED电子显示屏的原理和结构,并分析了其设计的几种方法,利用直接扫描、模拟传送方式可以降低成本,提高性能。 相似文献
9.
10.
The steady and dynamic properties are comparatively simulated results show that the n-doped LED exhibits is mainly attributed to the higher carrier radiative experimental results perfectly. investigated for the n-doped and non-doped InGaN LEDs. The the superior luminescence and modulation performance, which rate of n-doped LED. The results can explain the reported 相似文献