共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究

共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中,影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅(SiC)MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程,共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣,然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC MOSFET的开关损耗,最后搭建了一台输出功率1kW、输出电压800V的全碳化硅Boost样机,从100kHz到500kHz进行实验验证。实验结果表明,当不含共源极电感时SiC MOSFET的开通损耗、关断损耗均有所减小。     

一种自适应鲁棒最小体积高光谱解混算法

对高光谱图像解混的目的在于从低空间分辨率的高光谱图像中找到端元与对应的丰度.本文根据解混算法中的最小体积准则,提出了一种自适应鲁棒最小体积高光谱解混算法（Robust minimum volume based algorithm with automatically estimating regularization parameters for hyperspectral unmixing,RMVHU）.本算法通过引入负数惩罚正则项,替换了同类算法中的丰度非负性约束（Non-negativity constraint,ANC）,使算法对图像中的噪声与异常值具有更强的鲁棒性;采用循环最小化方法,将非凸优化问题分解为凸优化子问题,然后应用交替方向乘子法解决随着像素点个数增大带来的求解困难问题;对于正则项系数,本算法提出了一种自适应调整策略,提高了算法的收敛性,并且通过定性分析,说明了该调整方法的合理性.将算法应用于合成数据与实际数据,实验结果表明,与同类算法相比,本文提出的算法能够取得更为优秀的效果.     

SiC MOSFET开关损耗模型

相比于硅(Si)功率器件,碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有耐高温、耐高压、低导通电阻、快速开关等优势,能够极大提升开关速度、减小损耗。传统封装所引入的寄生电感(特别是共源极寄生电感)及SiC MOSFET自身特性参数的非线性现象对于SiC器件的损耗有待进一步评估。针对上述问题提出一种SiC MOSFET的开关损耗模型,并采用热学方法进行了开关损耗的测试。实验结果验证了该模型的准确性,为SiC MOSFET的电路设计提供指导和帮助。