涂料中溶剂定性定量测定方法的探讨

以实际经验为基础并结合具体实例,探讨了涂料中溶剂定性定量的测定方法,包括内标物、稀释剂的选择以及其中可能发生的问题,并提出建立相应的记录方法。     

光声光谱测试技术及在材料分析中的应用

光声光谱作为一种比较新型的材料无损测试技术，具有灵敏度高，能进行微量分析，以及不受样品形状限制等优点。本文对光声光谱测试技术的测试原理及测试系统组成进行了详细说明，并举例说明其在材料分析中的应用。     

浅谈大型综艺晚会的布光技巧

就《大型综艺晚会的布光技巧》这一主题来谈谈我的布光经验。就大型综艺晚会而言,由于各地区情况的不同,其中,包括技术力量、灯光器材的数量和种类等,还有各地方台及领导对晚会的要求和资金投入也各有千秋,因此,很难用一个统～的标准来衡量。作为综艺晚会的灯光设计师来说,用什么样的方法和技术手段进行构思创作才能满足导演对晚会的总体要求,     

Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜

本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表明，薄膜只在2θ=58．9°处出现一个衍射峰，其生长晶面为（1120），是AlN的解理面．在较高的生长温度下，生长速率较低，得到的AlN薄膜具有更窄的衍射半峰宽（0．5°）、Al和N更趋向于化学计量比结合．从扫描电镜测试看出，薄膜表面平整光滑、无裂纹，说明用反应蒸发法外延生长的薄膜表面状况优良．最后，NH3对Si表面的原位清洗也作了一些讨论．     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

洁净硅片在真空中加热时表面状态的XPS谱研究

用X射线电子谱（XPS）评价了由改进的RCA方法清洗，又经HF处理的洁净（111）硅片在高真空和超高真空中加低热时的表面状态。实验表时，清洗后的硅片表面沾污中的氧（O）比较少而碳（C）相对多一些，同时存在微量的氟（F）。如果清洗工艺操作得当，可望获得较干净的衬底表面。洁净的硅片在8×10-6Pa的真空中存放12h后，表面吸附的C比O增加得更快。给出了在高低真空中硅片加低热前后表面状态的变化情况，并实时检测在超高真空中加低热时表面状态的XPS谱，同时对实验结果给予分析、讨论。     

2005年国家电网公司特高压输电论证工作综述

2004年底,国家电网公司提出了发展特高压输电的战略目标。介绍了2005年以来,国家电网公司发展特高压输电的论证经过以及开展特高压输电论证研究的重要性和必要性,交流特高压输电试验示范工程选择和金沙江送出方案的论证过程,以及运行电压选择、环境保护、过电压及绝缘等特高压关键技术的研究结论。说明了特高压输电的论证过程是科学、民主的,论证成果是科学、可靠的,为我国发展特高压输电提供了坚强的技术支撑。     

‘96年春节联欢晚会灯光设计方案的制定与实施

本文简要地阐述了９６年春节联欢会灯光设计方案的制定和实施情况。     

双基地海底散射SSA模型角度特性仿真研究

由海底散射引起的混响是影响双基地声纳性能的重要因素之一,为了通过合理配置双基地声纳各角度来减小海底散射对双基地声纳的影响,基于小斜度近似(SSA)理论,建立了双基地海底散射强度模型.给出了散射强度与双基地声纳各角度之间的关系式.仿真结果表明.海底散射强度与双基地声纳各角度配置关系复杂,随着各角度配置的不同,散射强度会有很大的变化,但在镜反射方向上取得最大值.小斜度近似在整个入射角范围内较为准确,是一种处理粗糙面声散射问题的好方法.     

电力系统电压稳定灵敏度分析方法综述

本文综述了灵敏度分析方法在电力系统静态电压稳定分析中的应用现地各种灵敏度指标进行了总结和评述，并提出了安装灵敏度分析的建议。