基于线性化模型的虚拟同步发电机惯性和阻尼辨识

针对并网逆变器的虚拟同步发电机(VSG)控制,提出了一种VSG实际输出惯性和阻尼的辨识方法,以定量量化VSG参与电网调节能力的强弱。基于VSG的二阶非线性模型,及其在工作点附近的小信号摄动处理,建立了VSG的线性化传递函数模型,给出了其离散化模型及其与VSG惯性和阻尼参数之间的关系,分析了线性化模型的误差大小和适用范围。利用VSG的输出功率阶跃扰动,激励出VSG的功率振荡模态信息,并利用最小二乘估计的方法,辨识出VSG实际输出的惯性和阻尼参数。最后,针对并网逆变器的常规控制方法和VSG控制方法,利用仿真分析和实验结果,验证了所提模型和方法的可行性和有效性。     

基于DVR的感应电动机柔性快速再启动方法

对感应电动机失电后存在的残压影响及其再启动的问题进行了研究,提出利用动态电压恢复器补偿一个幅值和相位逐渐变化的"柔性电压",保证电动机的供电电压在再启动初始时刻和残压相等,随后幅值逐渐增大、相位逐渐移动直到和电源电压相等,使得感应电动机可以快速再启动,同时可以大幅减小再启动过程中的冲击电流和冲击转矩。提出了一种无静差地跟踪"柔性电压"的控制方法,通过对比分析,说明所提控制方法具有简单、可靠、快速的特点;通过理论分析及软件仿真,证明了所提控制方法的有效性以及动态电压恢复器在感应电动机再启动方面应用的可行性。     

陶瓷级碳化硅微粉提纯试验研究

某常压烧结陶瓷级碳化硅微粉要求原料平均粒度D50<0.8μm,对原料中杂质铁、碳、硅的含量要求较严格,通过选矿和化学处理方法可使其杂质含量达到标准需求,超细磨前利用浮选分离游离碳,采用脉动高梯度强磁选机可除去70%以上铁矿物,加烧碱化学处理除去单质硅和游离硅,细磨后用混合酸进一步降低铁含量,得到杂质含量合格的产品.     

某难选钼矿混合浮选试验研究

某钼矿因矿石氧化率高、含矿泥多，碳酸盐脉石矿物含量高，造成选矿难度较大。选矿试验采用硫化钼和氧化钼混合浮选全浮选流程，粗精矿浓缩后在高碱度下加温精选，精选精矿酸处理除去碳酸盐及其它酸溶脉石矿物，得到合格的钼精矿，试验指标为原矿钼品位0.17%，钼精矿品位45.65%，钼回收率70.68%。     

某铜铁矿选矿厂铁精矿降硫试验研究

通过对含硫铁精矿的试验研究分析结果表明,直接用该厂现有的工艺流程对铁精矿进行降硫是不可能达到所要求的质量标准的,其主要是受到磁黄铁矿的影响,本文详细分析了该铁精矿难降硫的原因,并且认为要想获得合格产品,选矿厂必须对现有工艺流程进行改造。     

HXFA299型精梳机使用实践

探讨HXFA299型精梳机性能.分析论述了HXFA299型精梳机机构设计特点、技术规格及实际使用状况,并对精梳条质量、落棉状况及成纱质量进行了测试分析.指出:HXFA299型精梳机具有高效、高产、高质量的特点,机构设计具有自主创新性,工艺性能好,维修方便,电器和气动元件性能可靠.在使用中应注意进一步优化各项工艺参数,发挥其节棉、节能方面的技术优势,以提高精梳产品质量水平,增加企业经济效益.     

FA266型精梳机的生产实践

我公司在 2 0 0 0年 8月新安装了一套ＦＡ2 6 6型高效能精梳机 ,用于生产ＣＪ 9.7ｔｅｘ高档机织和针织用纱。起初我们受传统工艺的束缚 ,使该机的优点没有正常发挥。后来在专家和安装技术人员的指导下 ,大胆采用新工艺 ,经过一段时间的实践 ,生产趋于稳定 ,产品质量有所提高 ,产量也有了大幅度的增加。1　工艺流程和原棉性能1 .1　工艺流程Ａ0 0 2Ｄ型抓棉机Ａ0 3 5Ａ型混开棉机Ａ0 3 6Ｂ型豪猪开棉机Ａ0 3 6Ｂ型豪猪开棉机Ａ0 92Ａ型双棉箱给棉机Ａ0 76Ｃ型单打手成卷机ＦＡ2 0 1Ｂ型梳棉机ＦＡ3 3 4型条卷机ＦＡ3 4 4型并卷机ＦＡ2 6 6型…     

瓷质粗纱锭托试制成功

由我厂设计,肖山长山瓷制品厂制造的瓷质粗纱锭托目前已应用在我厂的A512、A513细纱机上,以替代原来的胶木粗纱锭托。该产品适用于内径为33mm、38mm,长为320mm、380mm二种规格的粗纱管。价格同胶木粗纱托相同。使用寿命在10年以上,而     

某金矿浮选工艺流程试验研究

根据某金矿中金以细粒、微细粒赋存于黄铁矿中的特点,试验对比了粗精矿再磨、粗精矿再磨—中矿分级再磨以及强化粗选—中矿分级再磨的三种工艺方案,试验结果表明:保持原磨矿系统不变的条件下,采用粗选添加硫酸强化粗选—中矿分级再磨,再磨细度为-45μm占75%的工艺流程,获得了精矿金品位41.60 g/t、回收率82.61%的选别指标,试验指标较好,工艺流程稳定可行。     

SiC MOSFET短路特性评估及其温度依赖性模型

SiC MOSFET可以大幅提升变流器的效率和功率密度,具有重要的应用前景。但是,一旦负荷侧或直流侧发生短路,以及串扰引起的误导通,都会导致上下桥臂直通。因此,评估SiC MOSFET器件的短路耐受能力,研究直流母线电压和环境温度对短路耐受时间、临界短路能量的影响规律,可给SiC MOSFET器件的应用及其保护电路的设计提供指导,具有重要的研究价值。该文首先详细阐述SiC MOSFET硬开关短路过程的机理,随后搭建相应的测试平台,并选取两种额定电压、电流相近的商业化SiC MOSFET器件,在不同直流母线电压和环境温度条件下,评估短路电流的特性。实验结果表明,随着直流母线电压的增加或环境温度的升高,短路耐受时间降低;临界短路能量随着温度的升高而降低,但受直流母线电压的影响较小。基于器件的物理结构和Spice模型,建立不同尺度的热网络模型,根据实验数据计算短路过程的损耗,并输入到具体的热网络中,得到短路过程芯片的层间温度分布,热仿真结果表明芯片在结温800℃左右发生热击穿,这一失效温度对应的短路耐受时间和实验结果基本吻合。