全文获取类型
收费全文 | 130篇 |
免费 | 21篇 |
国内免费 | 12篇 |
专业分类
电工技术 | 3篇 |
综合类 | 3篇 |
化学工业 | 3篇 |
金属工艺 | 4篇 |
机械仪表 | 5篇 |
能源动力 | 1篇 |
水利工程 | 8篇 |
石油天然气 | 1篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 90篇 |
一般工业技术 | 8篇 |
冶金工业 | 3篇 |
自动化技术 | 33篇 |
出版年
2023年 | 4篇 |
2022年 | 6篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 8篇 |
2019年 | 7篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 11篇 |
2015年 | 8篇 |
2014年 | 17篇 |
2013年 | 14篇 |
2012年 | 16篇 |
2011年 | 12篇 |
2010年 | 13篇 |
2009年 | 11篇 |
2008年 | 15篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 4篇 |
1996年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
排序方式: 共有163条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
研究了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性。首先,理论模拟了JTE终端横向长度、离子注入剂量和界面电荷对击穿电压的影响。对工艺条件进行优化,制作了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管。测试结果表明,器件的正向电压为1.52 V,特征导通电阻为2.12 mΩ·cm2,击穿电压为1 650 V。接着,研究器件的变温电流-电压特性发现,正向电流主要为热发射机制,而反向电流与电压、温度有很强的依赖关系。最后进行了高温反偏应力老化测试,结果表明,击穿电压呈下降趋势。 相似文献
3.
针对复杂化工过程具有的非线性、非高斯性和动态特征,提出了基于核独立成分分析(KICA)的模式匹配方法,用于动态过程监控和诊断。首先,利用滑动窗建立基准集与测试集的KICA模型,提取各自的核独立元:其次,融合余弦函数绝对值度量和距离度量,提出新的不相似度监控指标,识别训练与测试操作期间的相似模式,进行故障检测:最后,基于两类数据的核子空间之间的差异子空间,获得每个过程变量方向与该差异子空间之间的互信息,并定义新的非线性非高斯贡献度指标,进行故障诊断。基于污水处理过程的仿真结果表明,与主成分分析不相似度因子的方法、标准的独立成分分析(ICA)统计指标方法及标准的ICA T~2/SPE指标融合的贡献度方法相比,本文提出的方法具有更好的检测能力与故障诊断效果。 相似文献
4.
逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)中,数模转换器单元(DAC)是能耗和面积的主要来源之一。为了降低DAC的能耗和面积,提出了一种低开销电容开关时序,以此设计了DAC的结构,并进行逻辑实现。相比于传统型开关时序,该电容开关时序使得DAC的能耗降低了98.45%,面积减小了87.5%。基于该电容开关时序实现了一种12位SAR ADC。仿真结果表明,在1.2 V电源电压、100 kS/s采样速率的条件下,该ADC功耗为12.5 μW,有效位数为11.2位,无杂散动态范围为75.6 dB。 相似文献
5.
在图形化蓝宝石衬底上制备了串联结构的氮化镓(GaN)高压发光二极管(LED),分别在极小电流与极低温度下研究了其光电特性。结果表明,在极小电流区(I<1×10-8 A),主要输运机制为缺陷辅助隧穿。由于能带热收缩效应和辐射复合中心的热激活效应,随着温度升高,电致发光(EL)峰发生红移,半高宽(FWHM)增加;光输出强度与注入电流呈幂指数关系,表明极小电流下非辐射复合占主导,且载流子通过缺陷辅助隧穿至量子阱。在极低温度下(T~40 K)仍能观测到电致发光现象,表明载流子并未被完全冻析,在强场下可由施主态或受主态通过缺陷辅助隧穿至量子阱;随着注入电流增加,注入电荷的库伦电场对极化电场的屏蔽作用增强,导致发光峰发生明显的蓝移,能带填充效应则导致半高宽增加。 相似文献
6.
电流模带隙基准源(CMBGR)在低电源电压电路中得到广泛的应用,但其启动行为仍值得关注。在启动电路不可靠的情况下,CMBGR会导致芯片失效,使得成品率下降。在分析CMBGR的启动和多个工作点问题后,提出一种只有两个稳定工作点的CMBGR,可通过监测电路状态和控制启动电路的充电来解决简并点问题。采用0.13 μm CMOS工艺,对提出的GMBGR电路进行设计与仿真。仿真结果表明,该电路产生的参考电压小于1.25 V,在-25 ℃~125 ℃之间的温度系数为4.7×10-6/℃,具有良好的启动性能。 相似文献
7.
浮点单元是高性能处理器的速度瓶颈之一,基于广泛应用的开源RISC-V浮点单元原型,设计了一种面向RISC-V处理器的高速浮点单元。对该原型中时序最差的浮点融合乘加、除法开方、整数转浮点子模块分别进行静态时序分析,并定位其中需要优化的关键模块。针对该浮点单元原型中存在的问题,提出基于算法优化和流水线优化的设计思路,设计基4 Booth-Wallace乘法模块替代原有多位宽乘法模块,设计基于二叉树的并行前导零检测模块替代原有串行前导零检测模块,增加了部分子模块的流水线级数。基于SMIC 55 nm工艺对优化设计前后的RISC-V浮点单元原型进行了性能评估,优化后的工作频率达到820 MHz,提升了39.46%,而面积开销增加了15.14%。 相似文献
8.
为简化嵌入式开发人员更新RISC-V处理器固件的操作流程,提出了一种易操作、高效且稳定的固件更新系统设计方法,包括BootROM引导流程设计和在应用中编程(in-application programming,IAP)设计。在BootROM引导流程设计中,通过启动参数再配置的方法,可使此引导流程兼容多种启动模式,如SRAM启动、主内存启动。在IAP设计中,处理器先通过通用异步收发传输器(universal asynchronous receiver/transmitter,UART)接收从上位机发送过来的新固件,该固件采用Ymodem协议发送,再通过串行外设接口(serial peripheral interface,SPI)进行片外Flash的重新烧写,以完成对系统固件的更新,同时,为保证接收新固件的可靠性,加入了循环冗余校验(cyclic redundancy check,CRC)算法。在现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)上对该系统进行了多次测试,均完成了对系统固件的更新,验证了该设计的可行性与稳定性。 相似文献
9.
10.
首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温度;脉冲电学法获得的温度值有所提升,但受限于水平空间分辨率,平均了源极-漏极之间的温度;微区拉曼光谱法能够准确获得沟道最高温度,但测量过程复杂,不适合评估封装器件。最后,提出了一种基于微光显微镜(EMMI)技术的微光电学法,获得了沟道温度的三角分布关系,得到了与拉曼光谱法一致的实验结果。该评估方法适合于实际生产。 相似文献