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1.
银基电接触材料改性及制备工艺 总被引:2,自引:0,他引:2
概述了银基电接触材料的发展,介绍了Ag-Ni、Ag-C、Ag-WC和Ag-MO4个主要系列的银基电接触材料的特点及其改性方法,比较了不同银基电接触材料改性前后的优缺点。同时,叙述了粉末冶金法、合金内氧化法及预氧化合粉末法等银基电接触材料的制备工艺。最后指出,提高银基电接触材料的性能、发展新型的节银触头材料和复合触头材料是今后银基电接触材料的发展方向。 相似文献
2.
本文研究了加热温度、湿氢加热时间、湿氢加热方式、湿氢温度对4J6-A合金晶粒度和氧化增重的影响。研究结果表明,为了保证该合金在湿氢处理后,晶粒度>5.5No、氧化增重为0.2—0.4mg/cm~2,应选择较低的加热温度,较短的加热时间,采用合适的湿氢加热方式和湿氢温度。 相似文献
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8.
基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022(Ni3V)相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质偏聚的影响。研究表明:D022相沿[100]方向形成4种有序畴界,界面的迁移性与界面结构有关,除具有L12相的局部特征的界面(001)//(002)之外,其余3种界面都可以迁移;在界面的迁移过程中,V原子跃迁至最近邻的Ni位置并置换Ni原子,反之亦然,即处在最近邻的Ni原子和V原子发生位置交换而导致界面迁移;在迁移过程中,原子的跃迁行为具有位置选择性,每种可迁移界面都按照特定的原子跃迁模式进行迁移;原子在跃迁过程中选择最优化的路径使得界面发生迁移,原子跃迁过程中的位置选择性使得界面在迁移前、后的结构保持不变;合金元素在界面处具有不同的贫化和偏聚倾向,在所有的界面处,Ni偏聚而V贫化,Al在界面(001)//(001)·1/2[100]处贫化在其他界面处偏聚;同种合金元素在不同界面处的偏聚和贫化程度不同。 相似文献
9.
矿体开采空间周围的应力分布状况,即使在地表平坦、岩种单一的情况下,也多属于无限有重半空间、三维、复连通问题。长期以来由于岩体构成的复杂,就是依靠电子计算机辅助解题,也存在着相当的局限性。以世界上公认的,对于充填采矿法具有丰富地压管理经验的加拿大国际镍公司为例,它在确定合理的采场构成要素时,还不得不沿用反复试验的方法。因此这是现代岩体力学亟待攻克的重要课题之一。我们主张在注意应用综合方法进行研究(理论分析、模拟试验、 相似文献
10.
对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶铁芯分别进行普通热处理与横磁处理,并检测铁芯经两种热处理后的各项磁性能。获得了各频率下损耗与幅值磁密的关系。结果表明,横磁处理降低损耗效果较明显,该方法在高频电力电子变压器铁芯领域具有潜在应用前景。损耗分离结果表明,横磁处理后,磁滞损耗、涡流损耗、剩余损耗在总损耗中所占比例分别为不变、升高、降低。横磁处理后,磁畴结构改变,以磁矩旋转磁化为主要磁化方式,降低畴壁共振造成的异常损耗是除降低磁滞损耗外,降低总损耗的另一原因。 相似文献