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1.
分析雷击输电线路杆塔时的暂态特性,对输电线路上电气设备的绝缘配合设计具有重要的指导意义。在国内外已有波阻抗杆塔模型的基础上,考虑高杆塔主体和呼高部分随高度的减小而等效半径增大,使得各部分波阻抗值减小的情况,对高杆塔进行细分,仿真研究高杆塔多波阻抗模型的分段数对雷电波传播的影响。通过比较和分析不同段时雷电流波形、雷电流幅值及接地电阻对杆塔雷击暂态特性影响,得出若对高杆塔主体进行细分段,则有其上过电压降低,暂态过程较长的结论。  相似文献   
2.
杯状纵磁真空灭弧室三维涡流场仿真   总被引:4,自引:0,他引:4  
对杯状纵磁真空灭弧室触头建立了与实际触头结构完全一致的有限元分析模型,模型中把电弧弧柱处理成圆柱形金属导体.对模型用有限元法进行了三维涡流场仿真.仿真结果表明,考虑电弧以及杯和电弧的涡流效应后,在电流峰值时,触头片中电流密度最大值变大;触头片上槽一侧的纵向磁场比另一侧强;磁感应强度B矢量在触头表面上的分布呈"旋涡"形状,其纵向分量在触头中心较大,越靠近触头边缘越小,而横向分量则增大;电流过零时,与未考虑电弧以及杯和电弧的涡流效应时的计算结果相比,触头间隙中心平面上及触头表面上的纵向磁场分布变为"帐篷"形状,纵向磁感应强度最大值也变大.在触头开距中心处纵向磁场较强且纵向磁场滞后时间也相对较长.  相似文献   
3.
提出了一种将"场"和"路"相结合的方法用于计算220 kV MOA带电测量相间干扰问题。并运用ANSYS Maxwell和EMTP软件联合仿真计算加以验证,为MOA在线监测减小相间干扰提供了理论依据和切实可行的办法。仿真计算结果显示,A相和C相受干扰影响比较明显,而B相幅值和相位变化相对较小。  相似文献   
4.
针对"电磁场"课程传统考核只注重理论考核,忽视学生能力培养的弊端,提出了"电磁场"课程考核方式的改革设想,进行了考核内容和方式以及评分标准的改革。通过实践证明,新的考核方法起到了培养学生发现和解决问题、理论联系实际、团结协作等多方面能力的效果,达到了新时期人才培养的目的。  相似文献   
5.
基于磁场对电流的作用力的观点,计算分析了真空电弧自生磁场的收缩效应及对分断电弧的影响:分析讨论了外加磁场中纵向磁场分量和径向磁场分量对减小自生磁场收缩效应的作用;计算比较了线圈式结构触头产生的外加磁场的纵向磁场分量和径向磁场分量在空间分布的比值,进一步探讨了纵向磁场提高真空灭弧室分断性能的机理。  相似文献   
6.
复合高压套管的电场计算和分析   总被引:16,自引:6,他引:10  
江汛  王仲奕 《高电压技术》2004,30(3):17-18,21
高压套管电场模型长径比高 ,用ANSYS分析软件对选用环氧树脂和高温硫化硅橡胶制造的复合套管进行了2D电场分析 ,找出用 1∶3~ 1∶4场域长径比处理高长径比电场中远场问题的方法。计算表明 ,套管与法兰连接处涂刷半导体漆可使最高场强减少 33 5 %。  相似文献   
7.
多阴极斑点真空电弧均匀分布时的纵向磁场   总被引:1,自引:0,他引:1  
从真空电弧的稳态磁流体动力学方程出发 ,对多阴极斑点的大电流真空电弧均匀分布时的纵向磁场进行分析 ,得到真空电弧在电极表面上均匀分布 ,即形态为与电极同直径的直圆柱时的纵向磁场与半径的关系为Bzopt=qr2 +c (q与c为系数 )。并由此提出了临界半径的概念 ,临界半径R0c是当纵向磁场沿径向均匀分布时电弧也均匀分布的电极半径。电极半径超过R0c时纵向磁场沿径向分布递减可使电弧均匀分布 ,电极半径小于临界半径时纵向磁场沿径向递增可使电弧均匀分布。此结果可以为真空灭弧室小型化提供思路和理论依据。  相似文献   
8.
高压真空灭弧室电场的计算分析及结构改进   总被引:11,自引:4,他引:7  
应用有限元法对外屏蔽罩结构真空灭弧室内部电场分布进行了计算和分析,计算中设电位边界条件不对称,且悬浮屏蔽罩的电位为未知量,并计及电极表面带电粒子的影响,得出了灭弧室中电场分布严重不对称影响灭弧室的耐压和开断性能的结果,进而提出了改善电场分布的措施。  相似文献   
9.
近年来,涉及SF6气体绝缘电流互感器故障次数较以往明显增多。为此,对一起故障的500 kV SF6电流互感器进行解体事故分析,发现事故是由运行过程中内部盆式绝缘子产生缺陷造成的。为深入了解气体绝缘电流互感器绝缘特性,从源头上防止突发性故障,依据SF6气体绝缘电流互感器事故分析结果,对盆式绝缘子有气泡、裂缝、金属污染等缺陷的情况进行了三维电场仿真计算分析和局放实验研究。研究结果显示:有缺陷的盆式绝缘子电场发生畸变,尤其是有金属污染时电场畸变最为严重,局放电压急剧下降。研究得出的数据和结论为SF6气体绝缘电流互感器的绝缘设计、结构优化、运行维护和故障分析提供了理论参考依据。  相似文献   
10.
对杯状纵磁真空灭弧室触头建立了与实际触头结构完全一致的有限元分析模型,模型中把电弧弧柱处理成圆柱形金属导体。对模型用有限元法进行了三维涡流场仿真。仿真结果表明,考虑电弧以及杯和电弧的涡流效应后,在电流峰值时,触头片中电流密度最大值变大;触头片上槽一侧的纵向磁场比另一侧强;磁感应强度B矢量在触头表面上的分布呈“旋涡”形状,其纵向分量在触头中心较大,越靠近触头边缘越小,而横向分量则增大;电流过零时,与未考虑电弧以及杯和电弧的涡流效应时的计算结果相比,触头间隙中心平面上及触头表面上的纵向磁场分布变为“帐篷”形状,纵向磁感应强度最大值也变大。在触头开距中心处纵向磁场较强且纵向磁场滞后时间也相对较长。  相似文献   
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