四十臂井径及电磁探伤组合测井与应用

由于传统用机械、声波、光学、放射性等只能检查单层套管的变化和破损,不能检查多层套管的腐蚀和厚度变化的情况;本文通过对多臂井径及电磁探伤组合测井仪的机构,原理,特点及应用等分析成功地解决了在套管内探测套管的厚度、腐蚀、变形破裂等问题,并能探测套管扶正器、表层套管等铁磁性物质。     

综采工作面回风顺槽切顶卸压矿压监测分析

为了解决动压影响下工作面顺槽巷道及相邻工作面的准备巷道变形严重、两帮挤回、底板鼓起等问题,以9107工作面为研究背景,应用了聚能爆破切顶卸压技术。聚能爆破切顶卸压后,对9107回风顺槽及相邻工作面进风顺槽进行矿压观测分析,得出项目结论,对类似条件的矿井具有借鉴意义。     

[110]/(001)单轴应力对硅价带结构及空穴有效质量的影响

采用K.P微扰法研究了当硅在[110]/(001)方向受一单轴应力作用时, 应力对硅价带结构及有效质量的影响。结果表明：硅在压应力作用下的价带分裂能要大于同样大小的张应力作用下的价带分裂能;在常见的几种晶向中,有效质量沿[110]晶向是最小的。从抑制带间散射,减小有效质量增强迁移率的角度考虑,沿应力方向的[110]晶向最适宜作为载流子的输运方向。所获得的结论可为单轴应变硅器件应力及导电沟道方向的选择设计提供理论参考。     

应变Si1-xGex (100)电子有效质量研究

基于结合形变势的KP理论框架,对应变Si1-xGex/(100)Si材料电子有效质量（包括导带能谷电子纵、横向有效质量,导带底电子态密度有效质量及电子电导有效质量）进行了系统的研究。结果表明：应变Si1-xGex/(100)Si材料导带能谷电子纵、横向有效质量在应力的作用下没有变化,其导带底电子态密度有效质量在Ge组份较小时随着x的增加而显著减小。此外,其沿[100]方向的电子电导有效质量随应力明显降低。以上结论可为应变Si1-xGex/(100)Si材料电学特性的研究提供重要理论依据。     

4，4′—二羟基二苯基砜的合成

研究了以苯酚和硫酸为原料，在催化剂的存在下合成双酚S，讨论了加料方式，原料配比，反应温度等条件对反应的影响。     

基于模糊控制的风力发电机组偏航系统研究

针对近年来风电机组大型化对偏航系统稳定性提出的高要求,提出将模糊控制应用于偏航控制系统中。分析了偏航控制系统的工作原理;对偏航系统设计了模糊控制器,并对其控制过程设计了软件流程图;在Matlab/Simulink仿真平台中搭建了该系统的仿真模型,进行了仿真实验,并与传统PID控制方法的控制效果进行了比较分析。结果表明,模糊控制系统能同时满足偏航系统对控制精度和稳定性的要求,其整体性能优于PID控制系统。     

变电站直流电源系统改造问题分析

为满足国家电网公司《十八项电网重大反事故反措》中对直流电源系统的新要求,针对大规模变电站直流电源系统改造工作中出现的问题进行了分析并提出了指导性的建议。针对直流系统中将交流断路器更换为直流断路器时出现的极性接反问题,通过对直流断路器的构造、灭弧原理进行解读,明确了正确的接线方式;针对直流系统负荷网络由环状供电向辐射状供电转换时出现的问题,提出了三种负荷网络改造方案,并深入分析了三种方案的优劣。针对直流电源系统中的级差配合及参数选型问题,结合现场实测试验数据,给出了直流空开容量配置的参考意见。     

630MWe超临界机组给水泵再循环调节阀卡涩处理

国华太仓发电有限责任公司2×600 MWe超临界机组自试运投产以来,给水泵再循环调节阀多次发生卡涩。经多次试验、分析、治理,彻底解决了给水泵再循环调节阀卡涩现象。     

中国石油“十二·五”物探技术重大进展及“十三·五”展望

"十二·五"期间,中国石油持续加强物探技术攻关和应用研究,核心装备与软件、适用配套技术呈跨越式发展,5项技术成为中国石油工程技术利器,5项技术入选中国石油十大科技进展,使中国石油物探技术水平整体跨入国际先进行列,形成了业务链完整的物探技术产学研和应用能力,为复杂前陆构造、非均质碳酸盐岩、复杂岩性、火山岩等领域勘探及老油区深化挖潜提供了技术支撑,为柴西南英雄岭、川中龙王庙、新疆环玛湖、塔北等一批优质规模储量的落实奠定了基础,为"储量增长高峰期工程"和中国石油国际化战略做出了突出贡献。"十三·五"期间,国际油气行业发展环境急剧变化,在低油价背景下和勘探转型期,物探业务面临结构调整、优化发展的机遇与挑战,为了支撑中国石油稳健发展和"十三·五"业务发展,物探技术发展将从创新驱动向创新驱动与价值驱动并重转移,"十三·五"期间将持续开展装备、软件和新技术新方法攻关,集成配套经济适用技术,为保障中国石油效益勘探、寻找优质规模储量提供技术支撑。本文阐述了"十二·五"期间的物探科技重大成果,分析了"十三·五"面临的挑战,展望了"十三·五"物探科技发展方向。     

K~+对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

采用传统的陶瓷工艺,制备了ZnO压敏陶瓷。研究了K+掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:当x(K+)小于40×10–6时,对其电性能几乎没有影响;但若x(K+)超过60×10–6后,由于K+在晶界和三角区的大量偏析,破坏了晶界层的稳定,导致其浪涌电流耐受能力严重劣化。