p型掺杂GaAs液相外延材料的光致发光研究

对 Si 掺杂和 Zn 掺杂 p 型 GaAs 液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6 nm 和578.2 nm 的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10～300K 中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2 nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对 Si 掺杂 p 型 GaAs 样品 PL 谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺 Zn 的 p 型 GaAs 样品的 PL 谱,与掺 Si 样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(～950 nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。     

蓝宝石高温传感光纤的生长

本文采用自制的激光加热浮区生长(LHPG)装置,研究了用于高温传感器探头的蓝宝石单晶光纤的生长特性及性能.结果表明,蓝宝石单晶光纤的品质取决于其生长工艺条件.文中给出了生长蓝宝石单晶光纤的最佳工艺参数.     

掺杂离子在LHPG单晶光纤中的分布

用电子能量色散谱（ＥＤＳ）分析了Ｎｄ＾３＾＋，Ｅｒ＾３＾＋和Ｃｒ＾３＾＋等掺杂离子在ＹＡＧ单晶光纤中的分布，实验发现：掺杂离子的分凝系数不同，其分布规律也不同，根据晶体的溶液生长理论，导出了掺杂离子分布方程，它与实验结果相符较好。     

用阳极直接涂膜内电解法从钍射气的放射性沉积物中分离铋的同位素ThC

目前,制备无载体放射化学纯的放射性同位素是放射化学的基本任务之一。利用内电解法分离和制备它们的报导还很少。从天然放射系中制取无载体铋同位素,过去经常是采用电解或电化学置换法。1959年     

2EF55、2EF53系列绿色发光二极管

绿色发光二极管系出掺氮磷化镓半导体材料制成。它具有色泽悦目、视觉感受灵敏、体型小、高可靠、低功耗、响应速度快、单色性能好以及易与集成电路相匹配等特点。可广泛应用于各军事部门和经济部门,以及许多民用消费品中。例如作为仪器仪表、     

单晶光纤光损耗测量

报导了单晶光纤损耗测量原理以及测量仪器的设计方案、特点、主要技术性能指标及测试实例。     

磷化镓绿色发光二极管

文章叙述了GaP绿色发光二极管的材料和器件的制备。对试验所得到的这些材料和器件进行测定与分析表明:用过补偿液相外延方法已能重复地生长出绿色发射PN结。目前已达到的绿色发光二极管性能为:30毫安电流下,正向压降低于2.7伏,总光通量普遍大于10毫流明,有些高达20毫流明以上;发光光谱峰值波长为5600埃左右。     

InP绿色发光二极管

本文扼要介绍绿色发光二极管的作用及其基本原理。报导制管所需要的外延生长结材料的选取依据,制备绿色发光二极管的主要工艺要求与步骤,制成的绿色发光二极管的光学特性和电学特性。 测量结果是:死区电压为1.9～2.0伏,反向耐压在漏电流为50微安下均大于5伏,工作电流30毫安下,其压降小于2伏;发光光谱峰     

氧化物单晶晶纤的生长规律

用LHPG法可以生长出优质单晶纤维,其条件是:(1)熔区长度调整到1_c=K(D d),其中K在0.55～0.75间,其值与晶体表面能有关;(2)在V_f=(D/d),V_s条件下,选择合适的V_f可以使△d/d极小。(3)源棒均匀,即△D=0。式中D、d别为源棒和晶纤直径,V_f和V_s分别为提拉晶纤和输送源棒速率。文中用晶体生长理论讨论了上述规律。