超半环中的理想

为了研究超半环的结构,在超半环中引入了理想的概念,并研究了理想关于同态与同构的定理.     

CVD多晶硅薄膜的脉冲染料激光退火

一、引言多晶硅薄膜在集成电路制造工艺中应用日趋增多,诸如利用多晶硅薄膜制造硅栅、多晶硅薄膜电阻、多晶硅引线、双极性晶体管的发射区等。多晶硅薄膜的激光退火能使其晶粒长大,使杂质电激活,可以提高多晶硅薄膜的电学性能,引起了人们的广泛重视,特别是绝缘衬底上的多晶硅薄膜经激光退火后有可能转变为单晶,给立体大规模集成电路的实现带来希望,吸引了不少活跃在这一研究领域的科学工作者。在半导体激光退火中,激光束的脉冲宽度对激光退火的结果有决定性的影响。微微秒脉冲宽度的激光束能使单晶半导体材料变成非晶材料,毫微秒脉冲宽度的激光束以熔化外延方式再结晶,使离子注入半导体单晶材料的非晶层转变为单晶,毫秒脉冲宽度的激光束(连     

求广义特征向量的一种算法

文章提出了初等相似变换的概念，探讨了如何利用初等相似变换法求一个方阵的Jordan标准形及变换矩阵，进而为求一个方阵的广义特征向量创造了条件。该算法对一些特殊方阵，求它的特征值、各级广义特征向量、Jordan标准形及变换矩阵，比用解方程组方法要简单。     

用解线性方程组方法求三对角矩阵的逆及其应用

根据三对角矩阵的特点,给出一种利用解线性方程组的方法求三对角矩阵的逆矩阵的算法.该算法有两个优点.第一,运算量小. 在整个计算过程中,只需进行O(3/2n2)次乘除运算.第二,节省内存. 除原始数据外,只定义3个一维数组,而不需任何二维数组.数值实验表明,它具有较高的精度.此算法特别适用于求解一大批具有相同的系数矩阵,而具有各自不同的非齐次项的线性代数方程组.     

LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2. 32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制.     

LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制     

某新楼严重倾斜原因分析与加固纠偏处理

云浮市区某新楼倾斜率达17.8‰,主要原因为桩基质量事故所致,经采用微型嵌岩钢管灌注桩和包柱式承台补强加固,并应用断柱顶升法纠偏后,新楼被扶正了,处理效果良好.     

数学考试成绩统计分析的一点启示

本文通过对两个班级学生的高考数学成绩与高等数学成绩的统计分析 ,提出一个反“常规”的例子 ,并分析产生这种反“常规”的原因 ,进而提出改进高等数学教学的一点看法。     

改革数字测图实习模式提高实习质量

数字测图是工程测量专业重要专业技能课．测图实习是检验学生学习好坏的试金石。实习效果的好坏直接影响到学生的实践技能的培养。笔者在教学实践中,根据测图实习的特点．进行了一些尝试,提出了一些实训模式,能较好地提高实践能力和解决问题的能力,具有一定的借鉴意义。