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具有片上多段基准源的14位宽温度范围高SNDR全差分逐次逼近型模数转换器 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了一种带有片上多段带隙基准源的14位低功耗自定时全差分逐次逼近型模数转换器。采用一个在-40到120℃温度范围内具有1.3ppm/℃温度系数的片上多段带隙基准电压源来为逐次逼近型模数转换器提供高精度基准电压源。设计中用格雷码代替二进制编码来减少衬底噪声从而增加整个系统的线性度。采用自定时位循环来增加时间利用率。该14位模数转换器利用TSMC 0.13μm CMOS工艺流片。该逐次逼近型模数转换器在室温2M/s 转换速率条件下能够获得81.2dB SNDR (有效位数13.2) 和85.2dB SFDR,并且在2M/s转换速率下在-40到120℃温度范围内能够保持12位以上有效位数。 相似文献
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研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态(关态)时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流. 相似文献
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SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性 总被引:2,自引:0,他引:2
为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入了2×1015和3×1015cm-2剂量的氮.实验结果表明,在使用Co-60源对埋氧层进行较低总剂量的辐照时,埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量是非常敏感的.尽管埋氧层中注氮剂量的差别很小,但经5×104 rad(Si)剂量的辐照后,注入2×1015cm-2剂量氮的埋氧层表现出了比未注氮埋氧层高得多的辐射硬度,而注入3×1015cm-2剂量氮的埋氧层的辐射硬度却比未注氮埋氧层的辐射硬度还低.然而,随辐照剂量的增加(从5×104到5×105rad(Si)),这种埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量的敏感性降低了.采用去掉SOI顶硅层的MOS高频C-V技术来表征埋氧层的总剂量辐射硬度.另外,观察到了MSOS(metal-silicon-BOX-silicon)结构的异常高频C-V曲线,并对其进行了解释. 相似文献
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热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高真空MOCVD外延技术,利用TMA(Al(CH3)3)和O2作为反应源,在Si(100)衬底上外延生长γ-Al2O3绝缘膜形成γ-Al2O3/Si异质结构材料.同时,引入外延后退火工艺以便改善γ-Al2O3薄膜的晶体质量及电学性能.测试结果表明,通过在O2常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2O3外延层的残余热应力及孪晶缺陷,改善外延层的晶体质量,同时可以提高MOS电容的抗击穿能力,降低漏电电流. 相似文献
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随着集成电路制造业的飞速 发展,传统的设计方法越来越受到严峻的挑战。每年设计技术的进步大约滞后制造技术20%。在器件的特征线宽进入深亚微米以后,这个矛盾显得越发的突出。主要表现在系统的集成度越来越高,使得单个芯片的复杂度成倍提高,随之而来的是设计周期无限期增加,时序的收敛问题更加棘手。从而使得IC的设计不能满足制造的需要。为了弥和这两者之间的鸿沟,一系列崭新的设计方法被提了出来。本文将试图就未来几年中IC设计方法学及其工具的发展中的某些热点问题作一些探讨。IP的引入令传统的自顶向下设计方法受到挑战传统… 相似文献
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采用高频 C- V曲线方法 ,研究了 5 0 nm及 15 nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程 .二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在 1× 10 3Gy(Si)剂量下近乎相同 ,而在大于 3× 10 3Gy(Si)剂量下 ,5 0 nm MOS电容的电荷密度约为 15 nm MOS电容的 2倍 .利用电离辐射后的隧道退火效应 ,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si- Si O2 界面附近分布的距离均约为 4nm . 相似文献
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高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管 总被引:5,自引:3,他引:2
在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1e- 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V. 相似文献