电子浆料中微米级铜粉的抗氧化研究

为了防止电子浆料的氧化问题,采用表面涂覆一种特殊有机膜的方法对电子浆料中微米级铜粉及镀银铜粉进行抗氧化处理,通过SEM、XRD、TG及加速老化试验等手段对其进行了表征和分析.结果表明:经过表面镀银及涂覆有机膜双重处理后的微米级导电铜粉抗氧化性能有明显的提高.     

高能球磨法制备Ag-Cr触头合金

采用机械合金化方法制备Ag-Cr合金,研究不同球磨时间对粉末晶体结构、晶粒尺寸、微观应变和表面形貌的影响,不同转速、相同球磨时间对粉末结构的影响以及合金密度、硬度随烧结温度的变化。结果表明:当机械球磨给予合金粉末足够的能量,就能够让铬固溶在银中形成过饱和固溶体;随着高能球磨时间的延长,晶粒逐渐细化、微观应变量逐渐变大,球磨65h时,平均晶粒尺寸为18.40nm,微观应变量为0.14%。烧结温度为850℃时,合金维氏硬度值约达99,密度达9.35g/cm3。     

电弧作用下铜基覆银触头的侵蚀失效机理

由电弧引起的材料转移、熔焊是铜基覆银触头电侵蚀的主要表现,造成触头无法正常工作,使继电器失效,进而影响整个电路的运行.作者模拟了继电器触头的实际工作情况,分析了铜基覆银触头在电弧侵蚀中材料转移与熔焊机理.     

氩离子轰击和溅射功率对Cu薄膜结构及性能的影响

采用直流磁控溅射法在PI柔性衬底上制备Cu膜.通过接触角测试仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等仪器研究了Ar+轰击时间和溅射功率对薄膜接触角、择优取向、晶粒大小及电阻率的影响.测试结果表明:随着Ar+轰击时间的延长,接触角减小,轰击时间为3 min时,接触角达到最小为45.0°,进一步延长Ar+轰击时间反而会导致接触角增大.Ar+轰击时间由1 min增加到3 min时,平均晶粒尺寸由16.6 nm增加到22.9 nm,电阻率从16.2 μΩ·cm降低到10.7 μΩ·cm.溅射功率从3250 W增加到7500 W时,(111)晶面择优取向增强,Cu膜平均晶粒尺寸由15.1nm增加到17.6nm,电阻率从11.6μΩ·cm降低到7.4μΩ·cm.     

PI衬底上电沉积Cu薄膜的晶面择优取向

采用硫酸盐电沉积法,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段研究了不同电沉积条件下在PI膜表面制备的Cu薄膜的品而择优取向、平均晶粒尺寸及表面形貌.结果表明,沉积层的晶面择优取向受Cu薄膜厚度和电流密度影响,电流密度较小(0.2 A/dm2)和较大(3.5～5.5 A/dm2)时,电沉积Cu膜分别容易得到(111)和(220)晶面择优取向,较大电流密度有利于晶核的形成,薄膜表面平均颗粒尺寸较小.