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1.
木材是一种可再生和循环利用的绿色建筑材料,越来越多地应用于现代居住和公共建筑中。木材属于可燃材料,在受火时经历了热解、气化和燃烧等过程,炭化层的形成为内部材料提供了阻氧与滞热作用。木结构建筑在应用中所面临的最大问题就是其耐火性能,而耐火性能主要与木材炭化速率有关,各国规范对炭化速率的计算方法与取用存在着一定的差异。为了更好地了解木材的炭化速率及其影响因素,在已有的研究成果和文献基础上,总结归纳了影响木材炭化速率的主要材料特性和外部因素,其中材料特性包括木材的密度、含水率、化学成分、木纹方向以及尺寸效应,外部因素包括受火温度和氧浓度。最后讨论分析每种影响因素对炭化速率的影响,供今后实际工程抗火设计参考。  相似文献   
2.
随着技术的发展,现代木结构开始向大跨、多层方向发展,在荷载作用下连接节点处往往会产生较大的内力,而内嵌多块钢板销式连接节点具有较高的承载力且破坏具有较好的延性,越来越广泛地应用于现代木结构设计中.介绍了内嵌3块钢板销式连接节点的破坏模式,根据Johansen屈服理论推导了各种破坏模式下其承载力计算公式,并简要地介绍了实际工程中连接节点在弯矩M、剪力V共同作用下的设计方法,对实际木结构工程中该类连接节点的设计具有一定的参考价值.  相似文献   
3.
混凝土正交各向异性损伤模型的研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
混凝土的基本破坏机理是微开裂。基于不可逆过程热力学,用连续介质力学的方法建立了一个混凝土正交各向异性损伤模型。在模型中用一个二阶对称张量D来描述损伤,利用能量等效假设来考虑损伤对弹性张量的影响,并直接假设了损伤增量与不可逆应变增量之间的关系式,而不是用经典塑性理论来处理不可逆应变。模型只需一个加载函数。模型与Kupfer,Tasuji等的试验结果吻合较好。  相似文献   
4.
摘要:葡萄酒酵母S.C.5与克勒克柠檬形酵母Klo 10作为亲株进行属间融合,交换重组获得重组子46510。生长繁殖快,能在22h内达3亿个/mL以上,很快进入厌氧后发酵,抑制许多需氧茵生长;在25~32℃发酵15d,絮凝快,沉积紧,澄清透明,酒体醇厚圆润,酸甜适口;并可提高酒精度2%;为酿造果酒提供了一个优良菌种。  相似文献   
5.
对已有木结构剪力墙钉节点变形公式与实验数据进行比较,分析影响钉节点变形性能的主要因素,进而通过对大量实验数据的拟和,提出另一种钉节点变形公式以求更符合试验结果.将提出的公式代入到剪力墙整体变形公式中与实验结果相比较,二者吻合情况较好,说明提出的钉节点变形公式具有较好的实用价值.  相似文献   
6.
型钢混凝土结构是现今高层建筑中经常采用的结构形式.为了保证地震时型钢混凝土柱的延性,<型钢混凝土组合结构技术规程JGJl38-2001)类似钢筋混凝土柱并考虑了型钢的作用规定了型钢混凝土柱的轴压比限值,但没有很好地反映轴压比限值实际应是柱界限破坏时的轴压比.经研究,建议仍可采用钢筋混凝土柱轴压比的定义并根据界限破坏推导了型钢混凝土柱轴压比限值的计算公式.  相似文献   
7.
多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制   总被引:1,自引:1,他引:0  
提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度 ,而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻 .沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接 .该交叠区使得在较高偏置时 ,靠近漏端的沟道区电力线能充分发散 ,导致电场峰值显著降低 .模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规 TFT的一半 .实验结果表明该 TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压 .而且 ,与常规器件相比 ,该 TFT的通态电流增加了两倍 ,而最小关态电流减少了3.5倍 .  相似文献   
8.
随着木结构领域内力学紧固件的发展,具有足够长度和优化螺纹的自攻螺钉或螺纹杆为实现具有高强力学性能的木连接提供了一种新的技术方案。自攻螺钉在木材中的拉拔性能是影响螺钉连接力学性能的重要因素,为了充分利用自攻螺钉的轴向受力优势,应当避免埋置在木材中的自攻螺钉发生拔出破坏。不同于现有基于经典Volkersen理论的计算方法,该文提出一种适用于轴向受力螺纹紧固件的力学模型,首次在模型中引入一种包含螺纹的“装配单元”,用于研究自攻螺钉在胶合木中的拔出破坏机制,解决自攻螺钉的锚固长度计算问题。模型根据拔出破坏的典型现象重新定义了拔出破坏面,考虑了螺纹对木材破坏区域的影响,并在模型简化、公式推导和算法设计上体现出木材的局部受力状态和拔出破坏面上的剪应力、剪力不连续传递现象。理论计算与试验结果有较好的一致性,计算结果还表明,在发生拉断破坏以前,自攻螺钉和螺纹杆的拔出破坏荷载与埋置长度基本呈线性关系。  相似文献   
9.
10.
研究了在TFT制备过程中,直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响。交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性,分别为0.937 V和0.34 V/dec;而直流溅射得到的阈值电压和亚阈值摆幅则分别是:1.78V和0.50 V/dec。对于稳定性,在30 V的栅极应力下,直流溅射得到的器件的阈值电压漂移则相对小一些。本文通过分析直流和交流溅射的过程中薄膜的沉积情况,阐述了上述现象产生的原因。  相似文献   
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