钼掺杂五氧化二钒纳米带的制备及表征

分别以金属Mo粉为钼源、V2O5为钒源和以MoO3为钼源、NH4VO3为钒源,通过低温水热法合成了不同形貌的钼掺杂V2O5纳米结构。用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱(EDS)对产物进行表征。结果表明,反应产物均为正交V2O5纳米带,且纳米带的尺寸均匀,宽度100~400 nm,厚度10~40 nm,长度可达到几十微米。研究还发现它们的掺杂量是不同的,分别为3%和2.1%。     

辅助加热PCVD—TiN薄膜的性能及结构分析

研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤ－ＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明，提高反应气体中ＴｉＣｌ４薄膜内的氯含本不变。     

SnS纳米及微米晶的制备及结构表征

用溶剂热法制备了SnS带状纳米晶和管状微米晶,通过XRD、SEM、TEM等方法对所制备的SnS纳米及微米晶的结构、形貌及组成进行了表征。结果表明,采用Na2S为硫源,乙二醇作溶剂,可制得宽度50~300 nm,长度1~1.5μm的单一晶型的SnS纳米带;采用硫脲为硫源,乙二胺作溶剂,聚丙烯酰胺作分散剂,可制得孔径为0.4~0.8μm,长度达十几微米的管状SnS微米晶。     

纳米TiO_2/SBS/PS复合材料的制备及性能

采用钛酸酯偶联剂对 Ti O2 进行表面处理并与聚苯乙烯 ( PS)共混改性。利用红外光谱和透射电镜考察了偶联剂与 Ti O2 之间的相互作用。研究了 Ti O2 的含量、弹性体SBS的含量对复合材料的力学性能和流动性能的影响。结果表明 :纳米级的 Ti O2 在 PS树脂中具有较好的分散性 ,对 PS有增韧作用 ,且 SBS/Ti O2 /PS三元体系的性能要优于Ti O2 /PS和 SBS/PS二元体系 ;同时 ,纳米级的 Ti O2 可改善 PS的流动性能     

偶联剂KH550、TMS对纳米Mg的活化效果与活化机理

选用 KH5 5 0、TMS等偶联剂对纳米 Mg进行活化处理后 ,将其与 PP熔融共混制备了纳米 Mg/PP复合材料。力学性能测试结果表明 ,钛酸酯类偶联剂 TMS对纳米 Mg的活化效果好于硅烷类的 KH5 5 0 ,TMS的最佳用量为填料质量的 2 %。通过 FTIR光谱分析了 TMS与纳米 Mg粒子间的作用机理     

三氧化钼纳米带的简易合成与表征

在不添加表面活性剂,无模板的情况下,以钼粉和双氧水为原料,采用90℃水浴的方法制备三氧化钼纳米带。用X-射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)对产物进行表征。结果表明,反应产物均为三氧化钼纳米带,且纳米带尺寸均匀,宽度为80～100nm,厚度为20nm,长度为5～30μm。研究还发现,合成条件如反应时间,反应介质对产物的形貌有一定影响。     

辅助加热PCVD-TiN薄膜的制备及影响因素

研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤ ＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中ＴｉＣｌ４的含量可以提高薄膜的沉积速率,而且对薄膜内的氯含量没有影响。提高反应气体中的Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）可以略降低薄膜内的氯含量,在Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）＝２,ＴｉＣｌ４的体积分数为１０％左右时ＴｉＮ薄膜的硬度最高。随着反应气压的升高,沉积速率呈正比上升而显微硬度却下降。     

化学镀镍磷合金镀液中杂质颗粒度对镀层耐蚀性的影响

化学镀镍磷合金具有很多独特的理化性能,然而由于成本较高限制了其应用。为降低化学镀镍的成本,采用工业级药品配制镀液。研究了镀液中杂质颗粒度对镀层耐蚀性的影响。随着镀液中颗粒度的降低,镀层耐蚀性明显提高,说明化学镀对镀液中的有较高的复合率,因此必须严格控制镀液中的杂质颗粒度。     

PCVD-TiN涂层及其钢基体的热处理

在Ｃｒ１２钢基体上用ＰＣＶＤ法沉积ＴｉＮ涂层后，再进行热处理强化基体的研究。结果表明，热处理后，ＰＣＶＤ ＴｉＮ涂层的显微硬度略有提高。Ｘ射线衍射分析表明，经过热处理后，ＰＣＶＤ ＴｉＮ涂层的晶体结构更趋于完整，其晶面间距也更接近或达到ＴｉＮ晶面间距的标准值。同时，ＰＣＶＤ ＴｉＮ涂层的致密性有所增加，其（２００）晶面织构有所增强。而且，经过热处理后ＰＣＶＤ ＴｉＮ涂层与基体结合良好。     

PCVD—Ti（CNO）薄膜的制备及性能的研究

研究了Ｔｉ（ＣＮ）薄膜内氧的作用。研究结果表明，Ｔｉ（ＣＮ）薄膜内加入氧后可以消除薄膜的柱状晶结构，薄膜的断口呈致密的纤维状组织。随着反应气体中空气或ＣＯ２气体流量的增加，Ｔｉ（ＣＮＯ）薄膜的硬度呈上升趋势，并在空气的流量为４０ｍｌ／ｍｉｎ或ＣＯ２的流量为１５ｍｌ／ｍｉｎ时（分别约占总量的１５％和６％），薄膜的硬度达到最大值。