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利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究，通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析，表明：在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系，研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况，确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650～800℃。 相似文献
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通过变温（20～300K）霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ（T）、载流子浓度n（T）、霍尔系数RH（T）和霍尔迁移率μH（T）的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能（24.7meV）与补偿度（23.7%）.上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料. 相似文献
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随着博士后设站单位的增加,在适当控制发展速度的同时,要求设站单位加强管理,提高博士后招收、培养质量,因此组织对各设站单位进行检查和评估.主要依据现有人事部建立的博士后管理信息系统,提出博士后评估体系网络评估模块的开发思想,构建了评估实施的网络结构,借助博士后管理信息系统的平台,更加科学地对设站单位进行有效的评估. 相似文献
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立方晶系(001)面极射赤道平面投影图的计算机实现 总被引：1，自引：1，他引：1
在以晶体为主的材料加工过程中,极射赤道平面投影图是非常重要的辅助工具.为了改变手工绘制极图的现状,分析了极图的数学过程,提出了用计算机绘制立方晶系(001)面极图的理论和方法,并获得了用计算机绘制的准确的极图,此工作具有一定创新性. 相似文献
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非线性序集逻辑系统L_4~2中命题真度值在[0,1]上的分布 总被引：1，自引：0，他引：1
利用势为4的均匀概率空间的无穷乘积在四值逻辑系统中引入公式的真度概念,给出了真度推理规则,证明了真值集为非线性序集四值逻辑系统L24中全体公式的真度值之集在[0,1]上是稠密的,为进一步建立四值非线性序集逻辑系统的近似推理理论奠定了基础. 相似文献
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AgGaS2晶体是一种优异的红外波段非线性光学晶体材料,(011)面作为其重要的自然解理面,绘制出其标准极图对晶体加工具有指导意义.通过分析极图的绘制原理,构建数学模型,用M atlab语言编制程序,成功绘制出了标准的AgGaS2晶体(011)面的极图. 相似文献
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