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1.
分别采用甲酯化-分子蒸馏法及直接分子蒸馏法去除米糠毛油中的游离脂肪酸。前者甲酯化反应的酯化率为96.4%,谷维素回收率为98.71%;分子蒸馏通过单因素试验确定的最佳条件为蒸馏温度120℃、预热温度80℃、内冷温度40℃、刮膜器转速400 r/min、进料流量3 m L/min,最终产品收率为83.4%,酸价0.14 mg KOH/g,脂肪酸甲酯的清除率为97.04%,谷维素总回收率为98.39%。后者直接分子蒸馏的最佳蒸馏温度为170℃,最终产品收率为87.9%,酸价0.44 mg KOH/g,游离脂肪酸的清除率为97.6%,谷维素回收率91.65%。2种方法对比,前者虽步骤较多,但蒸馏温度低,谷维素损失少,因此更具优势。 相似文献
2.
针对由两个制造商、两个回收商、当地政府和消费者构成的物流系统,研究了非合作条件下电子废弃物回收主体的利益博弈.在责任延伸制前提下,以回收商为斯坦伯格主导者,分别构建了非合作条件下的垄断回收模型和竞争回收模型,并采用逆推法求解了模型的纳什均衡条件.最后进行灵敏度分析,探讨了产品替代率和回收率对两种模式下产品销售价格和回收费用的影响.结果表明,对于回收商,垄断回收模式下的平均回收费用总比竞争回收模式高,且回收商需根据临界值选择回收模式;对于制造商,垄断回收模式下设定的价格总比竞争回收模式高,且制造商总是偏好竞争回收模式.研究结果可为决策者对回收模式的选择提供理论依据. 相似文献
3.
4.
贵州省遵义松林地区下寒武统牛蹄塘组磷块岩富集铀及多金属元素。以松林地区非常规铀资源为主要研究对象,在松林剖面系统取样的基础上,进行微量元素和Sm-Nd同位素测定。分析结果表明,该区铀多金属磷块岩主要富集U、Mo、Ni、Re、Tl等亲硫元素及过渡元素,U与Mo、Ni、Re、Tl具有良好的正相关关系;V/Cr2、Ni/Co4和δU1的比值特征指示该区形成于缺氧的沉积环境;铀多金属磷块岩U-Th关系图解显示其受热水沉积作用影响;铀多金属磷块岩Sm-Nd同位素参数及Nd模式年龄数据显示其物质来源具有壳源特征。研究认为,松林地区非常规铀资源受热水沉积作用影响,在缺氧的沉积环境下深部热水活动为铀多金属磷块岩的形成提供丰富的物质来源。 相似文献
5.
超声检测时,由于测量者把握探头的不稳定、受试者的呼吸运动等造成的干扰,将对通过B超图像进行斑点跟踪提取到的动脉壁位移的精度造成影响.为此,本文提出基于B超序列相位图像的全局刚性特征进行配准消除干扰.相位特征通过对B超图像进行Riesz变换,再采用高斯差分法提取得到.为了更快地完成寻优,减少配准误差,采用了基于位置加权的主轴质心法与互信息相结合的分阶段的配准方法.结果表明,与直接对B超或相位图采用斑点跟踪的方法相比,该方法有效去除了干扰,管壁位移提取的精度有显著提高.本文方法还可用于心脑等医学图像的配准. 相似文献
6.
计算机主机和与其共同工作的电子设备如电子显示器、复印打印机等,在工作中一定会产生电磁波辐射,计算机处理信息的相关数据会被包含在这些电磁辐射中,尤其是显示器处理的信息,这些信息是直接呈现在人们眼前因此没有采取加密措施,计算机信息的各种泄露途径中,最容易发生的就是电磁波信息泄露问题,不法分子可以使用专门的设备,将这些辐射拦截下来并采用特殊的方式还原,就能够得到原有的信息,给计算机信息的私密性带来很大的威胁. 相似文献
7.
近年来随着国家发展,电力企业发展迅猛,同时也加快了电力企业设备的维修和保护,在设备维修行业竞争越来越激烈的同时,也加快了城市化建设,目前电力企业设备大修、技术项目改造也在增加寿命,通过对LCC(Life Cycle Costing)寿命周期成本探究,并对电力企业设备大修、技术项目造价进行管理研究和引用一些理论和文章进行深入研究,可以发掘电力企业设备大修、技术项目造价的一些新途径,让其设备寿命增加。寿命周期成本为目前较为先进管理手法,并从寿命周期成本视角着手,满足现代化发展需求。 相似文献
8.
9.
文章主要从建筑物屋面、外墙窗口及外墙三方面对建筑物施工中的防渗漏技术进行了阐述,通过采用合理的防渗漏技术,消除建筑物的质量通病,从而避免建筑物因渗水导致的质量问题。 相似文献
10.
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响.在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容.I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高.经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7× 1012和4×1011eV-1·cm-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理. 相似文献