RTD/HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系

为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。     

用于投影的LED光源的特性及发展趋势研究

发光二极管(LED),由于具有寿命长、稳定性好等一系列优点,被广泛应用于各种电子仪表和设备中.随着蓝光LED的面世,LED的三基色发光已经齐备,近年来被逐步用于投影显示中.本文首先介绍了LED投影的分类,随后比较了传统投影和LED投影的工作原理和特性,最后分析了LED投影的现状和存在的问题.     

双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量

采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6峰值电流跨导约为3×10-4 S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.     

掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用

研究了Al Ga As层掺1%的In对Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.2 5 K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度.将此方法应用到反型Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中,Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能     

基于半导体照明新兴产业人才培养的本科工程教育研究

半导体照明是重要的新兴产业,日亚、Axitron、Osram、Philps、Cree等国际主要光源生产公司在传统照明及半导体照明领域中已经占据了一定的领先优势。我国的光源及照明生产企业也在奋起直追,发展非常迅猛,在人才需求方面也更为急切和严格。本文提出围绕新兴产业的人才需求,以国际工程师认证要求为培养目标,建立光源与照明等特色学科的专业课程和工程教育培养体系。各校需要根据当地产业集群发展和本校实际情况来因地制宜地开展工程教育教学和实践,以产学研结合的模式实现人才的综合培养。最终完善专业工程教育评价机制,力促半导体照明专业的工程教育系统地开展,培养符合国际水准的工程师。     

开关电源电磁辐射干扰的建模与仿真

针对开关电源电磁兼容实验中辐射干扰的超标问题,提出了印制电路板(PCB)电磁兼容优化设计方法,即采用改进PCB版图的措施,基于场路结合的方法,在电源设计初期进行互补分析。以典型的Flyback开关电源为研究对象,分析了其电磁干扰产生的机理,建立其高频电路仿真模型,采用CST设计工作室进行电路行为级仿真。利用CST微波工作室建立PCB的三维场仿真模型,并进行了全波时域仿真。仿真研究了PCB的表面电流和远场电磁辐射的分布。基于PCB电磁兼容优化设计流程,采取了有效的整改措施,对该电源PCB进行了优化。     

基于共振隧穿机制的太赫兹波振荡器特性模拟

共振隧穿器件由于其具有高频高速的特点,适用于制作太赫兹波段的振荡源器件。本文主要针对太赫兹波段的共振隧穿二极管(RTD)的振荡特性进行模拟仿真。利用等效电路理论和Pspice软件对共振隧穿振荡器(RTO)的等效电路模型进行振荡频率和功率的模拟计算。在理论计算中将隧穿和渡越时间效应以及寄生元件等制约因素都进行了分析,结果表明通过改进RTD和缝隙天线的结构,共振隧穿振荡器的振荡频率可达1.2THz,输出功率可达到115?W。并且在Pspice仿真环境下进行验证,结果也与理论计算较为相符。     

共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题

对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对 RTD的设计和研制有一定的指导作用     

用单片机80C51实现I~2C虚拟总线

本文介绍了I2C总线的基本结构、工作原理,并使用单片机C51编程实现I2C总线的功能,即I2C总线的虚拟技术。     

RTD振荡特性的模拟与研究

为解决共振隧穿二极管(RTD)振荡功率的提高受到稳定性限制的问题,利用高级设计系统(ADS)电路仿真,研究了RTD分别与RLC(电阻、电容、电感)、HEMT(高电子迁移率晶体管)及HBT(异质结双极晶体管)构成的大信号振荡电路,分析了其负阻、双稳特性产生振荡的机理,探索了RTD的连接器件对RTD特性的调制作用.研究表明,振荡电压(或电流)的峰值与谷值之差越大,输出电压(或电流)的振荡幅度就越大,且比单纯增大RTD结面积来增大输出功率的做法有更好的稳定性,据此有望解决功率受限的问题;RTD连接的器件对R TD特性的调制作用与连接方式有关,通过改变连接方式可以扩大RTD在射频收发系统中的应用.