阴极射线管电子枪发射系统的数值分析

以往进行阴极射线管电子枪发射系统数值计算,多采用韦伯(C.Weber)方法,相继又提出了二宫计算方法。在二宫方法中,最突出的特征是考虑了阴极发射电子的纵向热初速度,使之更接近于实际。本文就二宫方法倣了进一步的改进。从而使发射系统数值计算的精度得勁提高,且计算程序的编制简化,及缩短了程序运行所需的计算机的CPU时间。此计算方法虽是针对彩色显像管(CPT)发射系统而提出的,但也适用于所有的阴极射线管电子枪发射系统的数值计算。应用此方法编制了发射系统数值计算程序,计算了精密一字型彩色显像管BPF(Bi-Poteotial Field)枪的发射系统泊松场分布及其特性参量。在计算时考虑了阴极热膨胀对发射系统的影响,所得数值计算结果和实验结果吻合较好。     

25英寸QPF动态聚焦电子枪的计算和分析

采用动态聚焦电子枪是提高ＣＲＴ全屏分辨率的有效手段。本文对一种应用于２５英寸彩色显像管的动态聚焦电子枪进行了设计、计算和分析，并且对实验枪进行了测试和分析。     

动态聚焦电子枪的模拟与实验研究

动态聚焦技术是为了满足大屏幕高分辨率彩色显像管及高分辨率彩色显示管的发展需求而产生的一项新技术。在本文中，作者首先提出了一种动态聚焦电子枪结构，进行了数值计算与分析，制作了动态聚焦电子枪并装管实验。通过对实验样管的测试与分析。证实该枪性能良好，动态聚集效果明显。     

动态聚焦技术及动态聚焦电子枪

截至目前，动态聚焦技术是改进大屏幕、大偏转角显像管边角分辨率和高清晰度彩色显示管分辨率均匀性的最有效方法。本文介绍与讨论了在荧光屏边缘处电子束点畸变原因以及几种典型动态聚焦电子枪的结构与性能。     

表面传导电子发射显示器件综述

表面传导电子发射显示是场致发射显示的一种,它由于在视角、动态图像、对比度以及色阶重现等各项图像品质指标上都出类拔萃,功耗较低,被认为是下一代平板显示器件的关键问题.本文主要介绍了表面传导电子发射显示器件的原理,元件制造方法、特点及发展前景.     

微束斑X射线源电子光学系统设计与数值模拟

首先给出了采用场致发射阴极的微束斑X射线源电子光学系统结构,然后利用数值模拟的方法对该系统进行了计算与分析,最终获得了一发射电流约为80μA,束斑半径约为3.2μm的微束斑X射线源电子光学系统优化结构。该结构制作简单、体积小,可供制作微束斑X射线源时选用。     

彩色显像管静会聚漂移问题的研究

在采用传统精密一字形电子枪的彩色显像管中，若聚焦电压发生变化，静会聚将产生漂移。如果聚焦电压变化700V，那么21英寸彩管将有大约0．3mm的静会聚漂移。由于静会聚漂移值超过荧光粉节距的50％，所以，静会聚漂移对彩色显像管的分辨率影响很大（若彩色显示管有更精细的荧光粉节距和更高的分辨率，对其影响更大），在高质量彩管设计中必须克服静会聚漂移。对此讨论了产生静会聚漂移的原因，提出了一种克服静会聚漂移的电子枪，并通过数值计算获得了较理想的结果。如果聚焦电压变化700V，采用新枪的21英寸彩管的静会聚漂移仅0．006mm，与原枪相比，屏上电子束斑变化很小。     

石墨烯纳米片电场增强因子的模拟计算与对比

石墨烯纳米片特殊的一维刀口状尖端赋予了其优异的电子场发射性能,而电场增强因子β是评价场发射性能的最重要参数,主要采用测定F-N曲线的实验方法进行推算.建立了形状为矩形薄片+半圆圆柱的石墨烯纳米片模型,竖直立于平行平板二极管的阴极上,利用电子束模拟软件EBS(Electron BeamSimulation)模拟计算了场发射装置的两极间的电场分布,由此决定石墨烯纳米片尖端的电场增强系数.研究了高度和顶端曲率半径变化对石墨烯纳米片电场增强因子的影响,根据计算数值拟合了电场增强系数的经验公式,提供了受形状控制的电场增强因子的数值范围,还与同尺寸的碳纳米管进行了比较,证实了本文的模型和计算模拟方法有效、可信.     

PDP中ITO膜制作工艺技术的研究

概述了ITO的特性和它在PDP显示中所起的作用.通过大量实验摸索了一套适合实验室制作刻蚀ITO膜的工艺,其中包括涂胶、擦边、曝光、显影、刻蚀等.     

感光性浆料法制作PDP电极的工艺

对利用感光性浆料制作ACPDP电极的工艺进行了研究，获得了良好结果，并对研究中遇到的一些问题进行了分析和讨论。