排序方式: 共有45条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
提出一种新颖的乘法器核内建自测试(BIST)方法。结合C可测性与伪随机测试的优点。所设计的测试电路的附加面积比传统的伪随机电路要低56%,该方法采用独特的赋值方法。生成精简的、故障覆盖率高于99%的测试图形,并用开发的软件对测试图形排序和压缩,平均跳变密度和宽度得以大大减少.基于上述研究成果,可容易实现低成本BIST电路,基于Synopsys相关工具软件的模拟和分析结果表明,提出的BIST电路在面积、功耗和速度等方面均优于现有的BIST设计。 相似文献
3.
对高压13CD--MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符. 相似文献
4.
5.
提出了一种全局优化算法,将几何规划的关键技术应用于完全集成DC/DC转换器所需的双层片上电感器设计.在给定的约束条件下,几何规划算法可以全局性地高效解决电感器各竞争目标(如品质因数与所占面积)之间的优化折中问题.针对电感值为10~40nH的方形与圆形双层串联平面电感,在物理模型的基础上用几何规划算法及其形式的解析表达式来进行优化.优化结果表明,在相同的约束条件下,圆形线圈不同电感值对应的最大品质因数要比方形线圈的相应值高出约20%,但是形状的不同并没有显著改善谐振频率. 相似文献
6.
7.
8.
本文在探索半导体器件辐射损伤效应与机理的基础上,研究了通过器件的优化设计达到抗辐射加固性能要求的有效方法.基于0.18μmCMOS工艺条件,利用DVINCI三维器件模拟软件,建立了具有较好抗辐射性能的FD-SOI/MOSFET器件的加固模型,并提出了一种新型有源区裁剪(ARC)的双多晶硅栅结构晶体管.通过模拟辐射环境下器件的工作情况,证明该种结构具有很强的抗总剂量辐射的能力. 相似文献
9.
基于表面势的MOSFET模型 总被引:4,自引:1,他引:3
基于表面势的模型由于其本质上的优点 ,在小尺寸器件建模中日趋得到重视。文中通过对几种典型的表面势模型的分析 ,论述了基于表面势模型的建模思想、特点和在电路模拟中的优越性。分析表明 ,这是一种基于物理描述的模型 ,具有连续性、物理意义明确、结构简明等特点 ,对建立小尺寸器件整体模型非常适合和有效。 相似文献
10.
双层孔栅MOSFET是CO气敏的一种新型半导体器件.本文介绍了自行设计的这类器件的结构、气敏原理、制作结果.所得器件测量结果表明,1000ppm CO气氛中,150℃下阈电压改变量可途300mV以上. 相似文献