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1.
干氧SiO2的氢氟酸缓冲腐蚀研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据对掺三氯乙烯(TCE)干氧氧化的SiO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液(BHF)中的腐蚀特性的研究结果表明, 在HF wt%保持不变的条件下,腐蚀速率先随着NH4F wt%的增大而上升;NH4F大于15wt%~20wt%以后,腐蚀速率反而随之降低.值得注意的是,干氧SiO2同湿氧SiO2相比,在1wt% HF条件下,前者的腐蚀速率要比后者高,直到HF酸浓度大于3wt%时,前者的腐蚀速率才低于后者,这一现象可用NH 4 阻挡模型结合TCE在SiO2中引入浅电子陷阱的方式得到解释.  相似文献   
2.
设计了一种极坐标二维位敏光电探测器,它采用一维位敏光电探测器测量原理测量光点的二维参数,经处理后得到光点的二维极坐标.该器件采用一种特殊的平面曲线形式的光敏面结构,可以广泛地应用于军事及民用领域中.  相似文献   
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