首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   33篇
  免费   1篇
  国内免费   13篇
综合类   3篇
金属工艺   24篇
机械仪表   7篇
武器工业   1篇
无线电   1篇
一般工业技术   5篇
冶金工业   6篇
  2006年   1篇
  2005年   2篇
  2003年   2篇
  2002年   2篇
  2000年   2篇
  1999年   5篇
  1998年   2篇
  1997年   3篇
  1996年   5篇
  1995年   7篇
  1994年   1篇
  1990年   2篇
  1982年   5篇
  1981年   2篇
  1980年   1篇
  1979年   1篇
  1959年   2篇
  1958年   2篇
排序方式: 共有47条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
国洪轩  侯纪新  孙建俊  田学雷  陈熙琛 《铸造》2005,54(12):1175-1178
简要介绍了液态金属材料磁化率测量方法的研究进展,着重论述了电子自旋共振和法拉第方法在测量液态金属磁化率中的原理和具体应用.并简要介绍了液态金属磁化率测量试验情况的进展.最后,介绍了一种基于电磁感应原理的测量液态金属磁化率的新方法.  相似文献   
2.
室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
运用脉冲高能量密度等离子体,在室温下制成立方氮化硼薄膜.沉积薄膜的衬底材料分别选用单晶硅、氯化钠和GCr15轴承钢,用扫描电镜、透射电镜、红外吸收谱仪、扫描Auger微探针等对沉积的薄膜进行了分析与测试,结果表明,氮化硼薄膜的结构及性质强烈地依赖于实验条件.分析表明立方氮化硼晶核的形成与衬底材料关系不大,但晶核的生长则部分地依赖于衬底.  相似文献   
3.
阎鹏勋  杨思泽  陈熙琛 《金属学报》1994,30(23):503-507
本文用脉冲高能量密度等离子体技术,在室温条件下,成功地在GCr15钢表面沉积了性能良好的氮化钛薄膜。用自动划痕试验仪测量了氮化钛薄膜的结合强度。研究结果表明:表征薄膜结合强度的临界载荷有相当高的值;氮化钛薄膜的临界载荷随脉冲轰击次数、内外电极的电压变化而变化。对沉积膜结合强度的这些变化给予了理论上的解释与讨论。  相似文献   
4.
对在微重力条件下获取的Al-In(95wt-%)偏晶合金的显微组织特征进行了分析,结果表明,在空间制取的试样的Al枝晶中,还存在着大量的In质点;并且这些质点的分布具有某种规律性,由此形成了与地基样品显微组织上的明显差异,反映出一种与重力效应相关的材料凝固特性。  相似文献   
5.
绪言回顾球墨铸铁的历史,近代球铁的问世是从1948年Morrogh H.发现Ce对石墨的球化作用开始的。但是,球铁作为一种新兴的结构材料则是在采用镁做球化剂之后才大量用于生产的。因此,对铸铁结晶石墨球化机理的研究多以镁的作用为背景,而对稀土元素的研究却开始得较晚。我国富有稀土资源,故早在六十年代初期就开始了以稀土为主的球化剂的研究工  相似文献   
6.
Mg—Li基复合材料研究现状   总被引:3,自引:0,他引:3  
于化顺  陈熙琛 《稀有金属》1996,20(5):365-368
综述了Mg-Li基复合材料的制备工艺、基体合金、增强相以及机械性能等的研究现状。并对存在问题及解决途径进行了讨论。  相似文献   
7.
反应合成法制备Mg-Li基复合材料的热力学研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
反应合成法制备MgLi基复合材料的热力学研究于化顺闵光辉王大庆(山东工业大学,济南250061)(山东师范大学)陈熙琛(中国科学院物理研究所)关键词:MgLi合金自生复合材料反应合成法1引言MgLi基复合材料具有较小的密度、较高的比强度和比刚...  相似文献   
8.
介绍了研究金属熔体中互扩散的掩膜方法,报道了In-Bi膜在熔融态时的非对称互扩散现象。实验结果表明掩膜方法是研究熔体扩散的有效的新手段。  相似文献   
9.
本工作采用了酸浸深腐蚀、热氧化腐蚀、离子刻蚀以及离子轰击深腐蚀等方法,对Fe-C合金中的石墨进行了腐蚀,并在扫描电子了显微镜下观察了石墨球和“蠕虫”状石墨的形态和结构。本工作揭示出球状石墨中心部分的形态并提出了有关石墨球构造的新模型。  相似文献   
10.
本工作用热解石墨做籽晶在F e-C、F e-C-S、F e-C-S-C e合金熔体中生长。观察(0001)和(1010)晶面外延生长层的组织。用离子腐蚀法显示{0001}晶面族的取向。对从熔体中提拉出来的外延层表面进行形貌分析和X-射线衍射。本工作获得的有关在F e-C熔体中石墨生产机理的新结果验证了笔者在[11]中提出来的模型。本工作指出S、O等表面活性元素干扰微弱的情况下,石墨晶体按[0001]和[1010]晶向的生长速度相接近。但是,生长方式有所不同,按[0001]方向是以螺旋晶方式生产,而按[1010]方向则以板状树枝晶方式生产,并有一些晶体发生扭转而改变其生长方向为[0001]。S的干扰使(0001)晶面上的若干螺旋晶受到封锁,而另一些未被封锁的螺旋晶则取倾斜错开的方式分叉生长。以(1010)晶面为基底生产的晶体,因S的干扰(抑制作用)而不稳定,呈孪晶面方式改变其生长方向。C e的球化作用在于与S、O化合而牵制它们。此外,本工作还发现,球化元素还促使石墨按[0001]方向生产的晶体强烈分枝并呈“小角簇”螺旋生长;抑制石墨在[1010]方向的生长,并扭转其生长方向使之按[0001]方向生长。这些生长方式均导致球状晶的形成。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号