基于DTW改进算法的孤立词识别系统的仿真与分析

传统的DTW算法在进行孤立词语音识别时着重于时间规整和语音测度的计算，而没有对数据的可靠性和有效性进行分析。本文提出了一种改进的端点检测算法，并采用一种改进的DTW算法，在计算机上进行了仿真。实验结果表明采用改进后的DTW算法有效的降低了识别时间和存储数据量，提高了系统性能。     

随机库存分配问题的一种求解方法

讨论了在VMI管理思想下对具有随机需求特性的多客户库存分配问题 ,重点论述了有效近似算法的设计过程 ,最后基于一组模拟数据给出了一个算例。     

运动饮料配方设计概论

运动中，人体生理发生一系列的变化，包括水分损失、血糖／糖原消耗、电解质损失等，导致运动中／后的疲劳和运动能力下降。以运动中人体生理特点为基础，通过讨论运动前／中／后补充水、碳水化合物及电解质的问题，论证了运动饮料配方设计的原理依据。     

新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

胡桃夹子

富于节日喜庆气氛的芭蕾舞剧《胡桃夹子》录音、录像繁多。这个伦敦科文特花园歌剧院芭蕾舞团的2000年的现场录像与其它版本比较，     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

超宽带极窄脉冲设计与产生

超宽带(UWB)技术是以持续时间极短的脉冲作为传输载体进行数据通信的无线新技术。基于BJT雪崩特性,本文采用并行同时触发的工作方式,设计并产生了高重复速率的UWB脉冲电路发生器,极大地减少了时延,缩短了上升时间,提高了脉冲的幅度,并从等效电路法的观点分析计算了脉冲的特性参数,理论结果与实测结果具有较好的一致性。