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WO3基H2S气敏材料的研究   总被引:27,自引:1,他引:26  
采用正交试验法和单水平试验法研究了热处理温度及掺杂元素对WO3基H2S气敏元件灵敏度、选择性、稳定性,响应恢复特性及元件阻值的影响,得到了较为理想的H2S气敏元件。根据提出的气敏机理模型较好地解释了热处理温度、掺杂氧化物酸碱性及催化活性等对H2S气体灵敏度的影响。  相似文献
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