铜锌锡硫半导体薄膜材料的制备与表征

采用水热法成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)半导体材料,通过浸涂法制备了相应的薄膜,并在N2气氛中于400℃对薄膜进行了退火处理.用X射线荧光光谱分析了所得CZTS粉末中各组成元素的含量,并分别用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外光谱对CZTS薄膜样品的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征.结果表明:所...     

水热法制备WO3纳米阵列及其在钙钛矿太阳电池中的应用（英文）EI北大核心CSCD

以不同浓度的钨源溶液通过水热法制备了W03纳米树叶阵列和W03纳米片阵列,并研究了其形貌、晶相和吸收光谱。基于WO3纳米树叶阵列作为骨架层的钙钛矿太阳电池实现了4．96％的光电转化效率（PCE）,且开路电压（Voc）为0．48V,短路电流密度（Jsc）为19．66mA．cm-2,填充因子（fF）为0．52。基于WO3纳米片阵列的太阳电池的PCE,Voc,Jsc和fF分别为0．27％,0．14V,5．96mA·cm-2,0．32。WO3纳米阵列与空穴传输材料的直接接触增加了电子和空穴的复合,不利于电池的开路电压和填充因子。     

射频磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜

利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。     

小面积染料敏化纳米薄膜太阳电池的优化研究

论述了对小面积染料敏化纳米薄膜太阳电池各个组成部分优化实验的研究,主要包括纳米TiO2多孔薄膜、染料光敏化剂、电解质、反电极及其它工艺的优化选择。通过对电池各种参数的优化和实验,获得了8.73%的光电转换效率。实验结果表明,小面积电池的实验是研究染料敏化纳米薄膜太阳电池光伏性能的一种极好的途经,将为保证大面积DSCs的光伏性能和将来的产业化打下良好的基础。     

溶液组成对喷雾热解法制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜性能的影响

以四氯化锡和氟化铵为原料,异丙醇和水为溶剂,采用喷雾热解法,在载玻片上制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜(fluorine-doped tin oxide,FTO)。研究了四氯化锡浓度、氟化铵浓度、双氧水浓度、异丙醇与水的体积比对FTO薄膜的透光率和方块电阻的影响。运用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪分别对FTO薄膜进行了表征。结果表明:在喷雾热解液中加入少量的H2O2(0.05mol/L)可明显提高FTO薄膜在可见光区的透光率,而不影响其方块电阻;当喷雾热解液组成为0.8mol/LSnCl4,0.1mol/LNH4F,0.05mol/LH2O2,异丙醇与水的体积比为8:2,衬底温度为500℃,喷涂100次时,所得FTO薄膜在可见光区的平均透光率为84%,方块电阻为15Ω/□,且FTO薄膜平整致密、二氧化锡晶粒均匀。     

水热法制备WO_3纳米阵列及其在钙钛矿太阳电池中的应用（英文）

以不同浓度的钨源溶液通过水热法制备了WO_3纳米树叶阵列和WO_3纳米片阵列,并研究了其形貌、晶相和吸收光谱。基于WO_3纳米树叶阵列作为骨架层的钙钛矿太阳电池实现了4.96%的光电转化效率(PCE),且开路电压(V_(oc))为0.48 V,短路电流密度(J_(sc))为19.66 mA·cm~(-2),填充因子(f_F)为0.52。基于WO_3纳米片阵列的太阳电池的PCE,V_(oc),J_(sc)和f_F分别为0.27%,0.14V,5.96 mA·cm~(-2),0.32。WO_3纳米阵列与空穴传输材料的直接接触增加了电子和空穴的复合,不利于电池的开路电压和填充因子。     

聚合铁和聚合铝溶液中氢离子的研究

通过对聚合铁和聚合铝溶液中氢离子的有关近似计算，进一步说明了氢离子与铁铝形态、干燥方式等之间的关系，指出了进行聚合铁理论研究时应注意其制备方法、浓度和氢离子的重要性。     

锂变性膨润土的开发和研究

锂变性膨润土是一种新型的膨润土,它显示了其它膨润土所无法比拟的特殊而又优良的性能。本文研究了锂变性膨润土的制备方法,并对其结构特点、性能以及作为醇基铸造涂料悬浮剂在生产上的应用等方面进行了初步探索。     

脉冲激光沉积制备SnS薄膜及其光学特性的研究

利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,研究了SnS薄膜的晶体结构、表面形貌以及有关光学特性。所制备的SnS薄膜样品为斜方晶系多晶结构,在(111)晶面上有很强的择优取向性;衬底温度在100~400℃范围内,表面形貌有所区别,随着温度升高,薄膜表面分别呈现大小晶粒共存、片状颗粒、针状颗粒和锥状颗粒的形貌特征;紫外区的SnS薄膜透过率极低,可见光范围的透过率很低,近红外区的透过率较大;样品在可见区和紫外区吸收强烈,吸收系数达105cm-1量级,直接禁带宽度为1.39~1.46 eV。     

酞菁钴磺酸盐在纳米TiO2薄膜上的固载化及对亚甲基蓝的降解作用

合成了单、双、三核酞菁钴磺酸盐[single-nuclear cobalt(Ⅱ)phthalocyanine tetrasulphonates,s-CoPc;bi-nuclenr cobalt(Ⅱ)phthalocyanine hexasulphonates,b-CoPc:tri-nuclear cobalt(Ⅱ)ph...