红外热释电探测器的微图形化研究

红外热释电探测器的关键是敏感元的研制，而敏感元主要是由具有一定图形的铁电薄膜和上下电极构成。采用半导体光刻工艺，利用化学腐蚀法成功地对PZT铁电薄膜进行了刻蚀，同时采用剥离技术对相应的电极实现了图形化。     

PVAC抑制PT铁电薄膜裂纹的研究

用金属有机物热分解法,通过添加聚醋酸乙烯酯(PVAC),将PbTiO3(PT)薄膜的单层厚度提高到0.78μm;利用红外光谱、扫描电镜和XRD等分析手段研究了PT先驱体的反应机理、PT薄膜的表面形貌及相结构,讨论了PVAC抑制裂纹产生的原因.结果表明PVAC能与钛酸四丁酯生成聚乙烯钛酸三丁酯,并且能与溶剂乙二醇乙醚形成氢键,这有利于立体网状结构的形成,这种网状结构增强了薄膜的弹性,抑制了裂纹的产生;同时PVAC的加入使PT薄膜的晶化温度从550℃降低到500℃.     

玻璃掺杂（SrxBa1—x）TiO3陶瓷基压敏材料的制备,表征及性能

采用陶瓷工艺，制备了钙钛矿结构的（ＳｒｘＢａ１－ｘ）ＴｉＯ３粉体，利用溶胶－凝胶技术合成的Ｂ－Ｓｉ－Ｐｂ玻璃对（ＳｒｘＢａ１－ｘ）ＴｉＯ３进行掺杂，所制备的材料具非线性Ｖ－Ｉ特性，非线性系数在３～４之间，当ｘ≤０．３３时，其Ｖ１ｍＡ值低于２０Ｖ．ｍｍ＾－１，ｘ≥０．４０时，Ｖ１ｍＡ值急剧上升，材料制备不需要经过氧化－还原两步工艺过程，对于工业生产具有重要意义。     

溶胶—凝胶工艺合成PbTiO3—SiO2微晶玻璃及其特性研究

利用醋酸铅、钛酸四丁酯和正硅酸乙为主要原料，采用溶胶－凝胶工艺低温合成了ＰｂＴｉＯ３－ＳｉＯ２微晶玻璃，运用ＤＴＡ，ＸＲＤ和ＩＲ等手段对样品的结构和晶化规律进行了研究，紫外吸收光谱研究发现样品中的纳米微晶表面出明显的量子尺寸效应，最后四波混频方法对样品的光学性能进行了研究。     

碱催化多孔二氧化硅薄膜的制备和性能表征

以水为介质,NH3·H2O为催化剂,丙三醇(C3H5(OH)3和聚乙烯醇(PVA)为添加剂,正硅酸乙脂(TEOS)溶胶 凝胶工艺可制备纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H2O/TEOS>15,TEOS的水解 聚合过程可通过添加剂效应,pH效应等控制。碱催化会使二氧化硅的溶解度增大,也能使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅胶粒之间的聚合长大,而丙三醇与TEOS的水解中间Si(OR)4-x(OH)x结合,抑制其与二氧化硅胶粒的聚合。聚乙烯醇(PVA)能使二氧化硅溶胶具有网状结构,使二氧化硅溶胶易于成膜。该工艺制备的多孔二氧化硅薄膜具有纳米多孔结构。其Vicker硬度在600～800N/mm2,热导率<0.2W·m-1K-1。     

BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能

采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷，研究了SiO2-B2O3玻璃的含量，Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响，以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律，结果表明，休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高，BaF312O19相的析出越困难，前驱体合适的热处理温度为1000℃，介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降；介电损耗的最大值为0．43，磁损耗较小。     

钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用

叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理，介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能，并与块状陶瓷材料进行了比较，分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。     

原料对MOD法制铁电薄膜结构及性能的影响

分别以硝酸镧和丁酸镧为原料，采用金属有机物热分解法合成了两种钛酸镧铅（ＰＬＴ）先体溶液，并对所制备的ＰＬＴ薄膜进行了性能比较。结果表明：以丁酸镧为原料合成的ＰＬＴ先体溶液稳定性好，不易水解，其薄膜介电频谱特性好，直流电阻率高；矫顽场强Ｅｃ和剩余极化强度Ｐｒ均高于以硝酸镧为原料所制备的ＰＬＴ薄膜     

介电多层膜与人工介电超晶格的研究

近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和性能的研究状况，讨论了进一步研究需解决的问题。     

BaFe12O19/A12O3-SiO2-K2O微晶玻璃陶瓷的柠檬酸SOl-Gel合成及其微波性能的研究

采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/A12O3-SiO2-K2O微晶玻璃陶瓷,并对其介电常数及其磁导率在1MH2～6GHz下的变化规律进行了研究.结果表明,BaFe12O19/Al2O3-SiO2-K2O微晶玻璃陶瓷的合成与体系中Fe/Ba、烧结温度密切相关;其介电常数、磁导率基本都随测试频率的增加而下降;介电损耗值最大可达到0.30磁损耗值较小.