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人工神经网络在优化BaTiO3陶瓷配方研究中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
首次将人工神经网络技术用于介电陶瓷的配方性能分析。以BaTiO3为研究对象选取了几种掺杂剂,在均匀实验设计的基础上,用BP人工神经网络对所得实验结果进行了分析,建立了相应配方的数学模型并将其与多重非线性回归模型的结果进行了比较。通过对人工神经网络配方数学模型的二次分析,得到了比多重非线形回归模型更加丰富的配方信息和内在规律,并且用图形化方式直观地表达了出来。在进一步对配方结果的优化和验证的基础上发现实验结果能够较好地符合理论预测,说明人工神经网络对于获得多性能指标要求介电陶瓷的最优化配方具有较好的指导作用。 相似文献
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Relaxor ferroelectric ceramics with the composition of xPb( Mg_(1/3) Nb_(2/3)O_3-yPb (Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-zPbTiO_3 was fast sintered in a 2.45 GHz microwave system. Microwave-sintered samples illustrate more rapid densification and much smaller grain size microstructure than eonventional sintered samples. Also the microwave processing significantly increases the dielectric strength and flexural strength of the relaxor so that its strength becomes comparable with modified BaTiO_3, and could obtain comparable dielectric properties in comparison with conventional sintering process. Microwave processing has many advantages for sintering of relaxor ferroelectrie ceramics used as multilayer capacitors. 相似文献
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施主深度为PTCR效应的关系,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化;另一方面也被很多作者所忽视。然而,这一关系可以在定程度上映射出PTCR效应的本质。海望曾指出,在BaTiO3材料中,晶界上过剩施主的堆集,能够形成晶界层中高深度的表面受主态,从而使材料PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受,然而,我们研究了Sm2O3掺杂的BaTiO陶瓷中掺杂浓度与PTCR效应的关系,结果表明:随着稀土掺杂量的提高,材料的升阻比隆低。采用其他稀土元素,也得到相同的结果。因此,PTCR效应应当来源于在铁电相变点,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率,而不能提高PTCR效应。 相似文献
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研究了组分变化及掺杂对四元系 Pb( Nb2 /3Mn1 /3) O3- Pb( Sb2 /3Mn1 /3) O3- PZT压电材料性能的影响 ,发现 Zr/Ti比值在准同型相界附近该材料有最大的压电常数 d33,而机械品质因数 Qm 值较小 ;Zr/Ti比偏离该相界时则机械品质因数 Qm 升高 ,相应的压电常数 d33减小。通过改变 Pb( Nb2 /3Mn1 /3) O3、Pb( Sb2 /3Mn1 /3) O3两组分的含量及掺入 Sr、Ce等杂质 ,获得的材料介电损耗为 0 .14 % ,机械品质因数为 2 3 4 1,压电常数为 2 16p C/N。 相似文献
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施主浓度与 PTCR效应的关系 ,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化 ;另一方面也被很多作者所忽视。然而 ,这一关系可以在一定程度上映射出 PTCR效应的本质。海望曾指出 ,在 Ba Ti O3材料中 ,晶界上过剩施主的堆集 ,能够形成晶界层中高浓度的表面受主态 ,从而使材料 PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受 ,然而 ,我们研究了 Sm2 O3掺杂的 Ba Ti O3陶瓷中掺杂浓度与 PTCR效应的关系 ,结果表明 :随着稀土掺杂量的提高 ,材料的升阻比降低。采用其他稀土元素 ,也得到相同的结果。因此 ,PTCR效应应当来源于在铁电相变点 ,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子 ;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率 ,而不能提高 PTCR效应 相似文献