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采用单温模型,利用有限元方法对硅在纳秒脉冲激光作用下的温度积累效应进行了数值模拟。给出了单脉冲、多脉冲作用下,硅表面附近的非平衡载流子浓度、自由载流子吸收系数和晶格温度随时间的变化规律。结果表明,自由载流子浓度的积累是温度积累的主要来源。对于多脉冲作用情况,脉冲间隔越短,脉宽越窄,温度积累效应越明显,最终形成的瞬时晶格最高温和温升值越大,越容易对材料造成损伤。 相似文献
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底辟多为受断层影响的次生底辟,而尼日尔Termit盆地早期断层不发育,同生底辟现象明显。通过实验模拟证实研究区泥岩底辟形成机理为:区域应力场压性分量为主动力,挤压塑性层上拱,再辅以不均匀负荷两侧挤压造成。根据受力类型及所处构造位置,将研究区底辟分为坡折—挤压型、低凸—引张差异负荷型和凹陷—差异负荷型。泥岩底辟对油气成藏的影响主要为:①欠压实高压泥岩具有生烃潜力,在达到生烃门限后,可以生烃;②底辟上拱改善了油气垂向运移能力,产生的微裂缝利于高压流体排出;③泥岩底辟形成的圈闭主要为辟顶背斜和辟边岩性遮挡圈闭;④坡折带的中斜坡临近生烃凹陷,砂体条件优越,该部位底辟形成的圈闭为油气的有利聚集区。勘探实例表明:在底辟活动程度最强的东部坡折带,靠近Moul凹陷一侧的下组合探井,试油均获成功。 相似文献
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无机抗菌材料的发展和应用 总被引:18,自引:0,他引:18
介绍了离子型抗菌材料、光催化抗菌材料等无机抗菌材料的发展现状、抗菌机理和应用情况等。 相似文献
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纳米Al_2O_3粉末改善环氧树脂耐磨性的研究 总被引:21,自引:0,他引:21
进行了利用纳米氧化铝 (α -Al2 O3 和γ -Al2 O3 )改善环氧树脂耐磨性能的研究。利用超声分散法将纳米氧化铝粉末加入环氧树脂之中 ,利用磨损失重法评价了环氧树脂复合材料的耐磨性能 ,通过扫描电镜观察了纳米粉末在环氧树脂中的分散情况 ,尝试解释了纳米氧化铝提高环氧树脂耐磨性能的机理 ,并确定了较优的纳米氧化铝添加量。试验表明 ,填充纳米氧化铝粉末可以提高环氧树脂的耐磨性能。较优的配方为EP (E - 5 1) 1份 ,PA6 5 10 7份 ,KH - 5 5 0 0 0 4份 ,30~ 6 0nmγ -Al2 O3 0 1份。 相似文献
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无机抗菌材料的发展和应用 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了离子型抗菌材料、光催化抗菌材料等无机抗菌材料的发展现状、抗菌机理和应用情况等 相似文献
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地震、岩心、测井、录井、试油及分析化验资料综合研究表明,歧口凹陷板桥斜坡沙一下亚段主力油气储层为异重流沉积砂岩。异重流沉积总体处于半深湖—深湖环境,其岩性组合表现为灰黑色泥岩夹中—细砂岩或互层沉积,砂岩段沉积粒序呈一系列向上变粗单元(逆粒序)和向上变细单元(正粒序)成对出现的特征,发育层内侵蚀面,可见交错层理、平行层理、爬升层理及透镜状层理等多种类型的流水成因层理构造。异重流沉积包括侵蚀水道、水道复合体、分支水道、近端沙坝、远端沙坝、席状朵体6个微相,其中水道复合体微相沉积砂岩具有单层厚度大、粒度粗、分选好、泥质含量低、储集物性好的特点。通过地震属性、砂岩厚度及岩心观察,明确了板桥斜坡沙一下亚段异重流沉积体系展布,针对性预探部署获得了良好的勘探成效,单井试油产量高,稳产效果好,展示了陆相断陷盆地中深层异重流沉积岩性油气藏勘探的良好前景。 相似文献
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基于区域地质背景分析,充分应用钻井与地震资料,开展Termit叠合裂谷盆地构造沉积演化及其控藏机理研究。研究表明:Termit盆地主要经历3大构造沉积演化阶段:1早白垩世裂谷期,以湖泊、三角洲沉积为主;2晚白垩世坳陷期,以浅海、三角洲和远岸水下扇沉积为主,发育主力烃源岩;3古近纪裂谷期,以短轴辫状河三角洲、湖泊沉积为主,发育主力储集岩与区域性盖层。构造沉积演化控制了生、储、盖层,断裂体系及构造圈闭的展布,决定了盆地油气的空间分布:1沉积演化控制了生、储、盖层分布,形成了上、中、下3套成藏组合,控制了油气纵向分布;2构造演化控制了输导体系和构造圈闭分布,形成了多个复杂构造带,控制了油气平面分布;3沉积相带控制储集砂体微观结构及宏观展布规律,控制了油气富集程度。综合地质研究成果,建立叠合裂谷复合油气成藏模式,明确白垩系-古近系下一步勘探领域,有效指导盆地油气勘探。 相似文献
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对注入量为1×1014 cm-2的快中子(1.2 MeV)对氮化镓(GaN)基白光发光二极管(LED)器件的辐照效应进行研究。通过测量和分析器件的电致发光谱(EL)、光功率-电流(L-I)和电流-电压(I-U)特性,发现器件辐照后光功率降低,而EL谱形状几乎没有变化,表明该注入量的中子辐照主要对器件中的蓝光LED芯片造成了损伤。进一步分析发现,中子辐照导致蓝光LED量子阱中产生大量非辐射复合中心,增加了漏电流并减小了量子阱中载流子密度,从而降低LED的输出光功率。由此,在原有GaN基蓝光LED等效电路模型的基础上,加入由中子辐照导致的影响因素,不仅有助于理解中子辐照对LED光功率的衰退影响机理,还为预测辐照后光功率的变化提供了可行性。 相似文献