特种陶瓷行业将异军突起

特种陶瓷行业将异军突起继金属、塑料两大工业材料之后，特种陶瓷将异军突起，成为世界上新兴的第三大工业材料。我国正式将特种陶瓷列入国家重点攻关项目，经过“七五”“八五”的攻关，取得了一系列科研成果和重大突破。据统计，我国目前有４０多家特种陶瓷生产企业，仅...     

美国风力发电有重大技术进步

美国风力发电规模将迅速扩大 ,据美国电力研究所预测 ,到 2 0 10年 ,美国的风力发电规模将达到 50ＧＷ。这家研究所介绍说 ,目前 ,美国对风力机进行了两项重大的技术变动 ,引进了空气动力学和微电子技术。前者利用飞机上的可变螺旋桨叶片原理 ,使风力机的叶片能随着风速的大小随意旋转 ;后者使运行发电全部计算机化 ,从而使发电能力提高 4倍。改进后的风力机在风速达到 4ｍ/ｓ时 ,就能发电 ,而且在风速达到 2 7ｍ/ｓ时 ,仍能继续工作。相比之下 ,旧式风力机在风速达到 6ｍ/ｓ才能发电 ,而当风速达到 2 0ｍ/ｓ时就得停转。目前 ,全美国的风力…     

化学气相沉积(CVD)炭/碳复合材料(C/C)研究现状

主要介绍了炭／炭复合材料（C／C）的化学气相沉积（CVD0制备方法及其影响因素，以及热解炭的组织与沉积机理。概括了VCD的基本方法，如等温法、压差法、热梯度法等。分析了温度、气流速率、气体浓度、预制体及孔隙的形状大小状况等对CVD过程的影响。列举了热解炭的组织，包括光滑层、粗糙层、各向同性体碳以及它们的变体，并对其生长特征及性能进行了较详细的描述。综述了热解炭的沉积机理，典型的有分子沉积、固态沉积、液滴沉积机理等。     

软X射线发射光谱法研究过渡金属硅化物的价电子能带结构

用软X射线发射光谱法对MnSi、MnSi1.7这两种组成的过渡金属锰硅化物的价电子能带构造进行了研究.首先在硅表面上形成了MnSi、MnSi1.7单一相薄膜,并用X射线衍射谱得到证实.然后测量了这两种锰硅化物的软X射线发射光谱Si-Kβ发射光谱和Si-L2,3发射光谱,Si-Kβ发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的Si-p部分电子态密度,而Si-L2,3发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的Si-s,d部分电子态密度.MnSi、MnSi1.7的Si-L2,3发射光谱具有不同的形状.这些不同形状的原因,对比着这两种硅化物的晶体结构和价电子的能带结构进行了分析与讨论.     

电脑及电脑中心的防火

电脑也称计算机。是现代科学技术发展的重要标志。电脑在今天的信息时代，已遍及科研、生产和人民生活的每一个角落。因此，电脑防火也正逐步成为消防一Xi作的新课题。由于电脑元件对温度、湿度、烟雾、化学作用等高度敏感。因此,一旦失火极易造成损失。此外若灭火剂使用不当，即使是火灾扑灭，留下的电脑设备也会受到巨大的损失，而成为一堆废物。如西德一个轧钢厂的电脑中心起火，尽管采取了有力措施，及时扑灭火灾但电脑和附属设备由于烟熏、水渍，损失达100万马克以上。由于电脑往往控制着一庞大的系统一巳失火，指挥机构失灵，殃及整…     

美国食品包装的发展趋势

美国食品包装走过了一段漫长的道路。９０年代以来，食品包装已进入技术成熟时期。１－重点发展塑料包装。塑料容器应用越来越广，足以取代玻璃容器，在某些情况下还可以代替金属容器。２－柔性包装日趋高级化；（柔性包装是指采用由纸、铝箔、玻璃纸、塑料薄膜制造或由这些材料复合而成的袋子，套筒等来包装食品）。３－改进包装材料性能，降低包装成本。４－继续推行包装轻型化。以上几点是圣里吉斯公司在关于确定今后十年食品和饮料包装的主要发展方向的研究中得出的简要结论。此项研究是以美国１００个第一流的食品和饮料公司的包装工作…     

高性能陶瓷——未来工业的基础材料

一项名曰:“未来工业之基础技术的研究与开发计划”是日本的一项10年规划,是1989年由日本通商产业省工业科学技术厅(AIST)发起的。目前该规划有三个研究领域和12项研究开发课题。课题为: 新材料领域:(1)高性能陶瓷;(2)新型分离技术用的合成膜;(3)合成金属;(4)高性能塑料;(5)控制结晶结构的高级合金;(6)高级合成材料。 生物技术领域:(7)生物反应器;(8)大尺寸细胞的培养;(9)重组脱氧核糖酸的应用;     

涂白箱板纸已悄然兴起

近年来国外纸箱行业已广泛采用一种铸涂(Cast glade Coating)或刷涂(BrushCoating)的涂白箱板纸。该种板纸具有良好     

(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管

采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.