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1.
熔盐电解精炼提纯金属硅(英文)   总被引:1,自引:0,他引:1  
对熔盐电解质中硅的沉积过程进行电化学研究。在 973~223K,在硅氯化物熔盐中采用电解精炼提纯金属硅。结果表明,液态硅铜合金阳极有利于 CaCl2-NaCl-CaO-Si 熔盐体系的电解精炼。ICP-AES 分析结果显示,通过电解精炼可有效去除原料中大量的钛、铝、铁等金属杂质,硅中的硼和磷含量分别由 36×106和 25×106降低至 4.6×10 6和 2.8×10 6,电解能耗约为 9.3 kW·h/kg。  相似文献   
2.
采用CaO-SiO2-10%CaF2渣系,对工业硅进行造渣除硼研究。研究不同工艺条件下,渣系碱性、反应温度T、渣金比和通气搅拌对硼在渣相和硅液中分配系数LB的影响。结果表明,在1873K下,当CaO/SiO2质量比为2时硼的分配系数可达最大值4.61。在1773~1973K下,lgLB与1/T成线性关系。随着渣金比的增大,硼的分配系数也相应增大,但当渣金比大于3时,硼的分配系数并无明显增加。通气可显著提高硼的去除效果,硼的分配系数随气体中H2O含量的增加而增大。  相似文献   
3.
UMG多晶硅片的少子寿命   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响。实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,其优化的条件是950℃处理4h;经热氧化处理后,少子寿命有所下降;氮化硅钝化后快速热退火处理可提高少子寿命,其优化的条件为800℃退火30s。  相似文献   
4.
分光光度法测定多晶硅中铁和铝   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
将多晶硅(硅粉)用氢氟酸和硝酸二次溶解,用高氯酸的二次冒烟去除氟离子对铝的干扰,用3 cm的比色皿解决铁低灵敏度带来的误差大的问题。使用分光光度法准确测定多晶硅中铁和铝的含量。研究了显色条件对显色反应的影响,确定最佳实验条件。结果表明,在pH3~5的乙酸-乙酸钠缓冲溶液中,铁与5 mL 0.25 g/L的1,10-二氮杂菲10 min后生成稳定的红色络合物,且在2~10μg/50 mL范围内服从比尔定律;在pH 5.5~6.1的六次亚甲基四胺缓冲溶液中,铝与5 mL 0.3 g/L的铬天青-S在15 min后形成稳定的紫红色络合物,且在4~16μg/50 mL范围内服从比尔定律。用分光光度法能准确测定纯度为99.99%多晶硅(硅粉)中铁和铝含量,并与ICP-AES法测试结果对比,相对误差在5%左右。  相似文献   
5.
对有限负压下熔体硅中磷的挥发去除进行研究。采用电子级硅配制Si-P合金,并采用GD-MS来检测实验前后硅中的磷含量。理论计算结果表明:在有限负压下,硅中的磷以P和P2的气体形式从熔体硅中挥发。实验结果显示:在温度1873K、真空度0.6-0.8Pa、熔炼3600s的条件下,熔体硅中的磷从0.046%(460ppmw)下降到0.001%(10ppmw)。实验结果与理论结果一致表明:当熔体硅中磷的含量大且炉腔内气压相对较高时,磷的去除与气压高度相关;而当炉腔气压很低时,磷的去除基本与气压无关。原因是在相对高磷含量的熔体硅中,磷主要以P2气体的形式挥发;在磷含量较低时,磷主要以单原子气体P的形式挥发。  相似文献   
6.
研究了Y_2O_3和La_2O_3为添加剂热压Si_3N_4的氧化行为和热震性能.实验结果表明,在1200~1350℃的温度范围内,其氧化符合抛物线规律,氧化过程主要由晶界添加剂离子和少量杂质离子的扩散控制。氧化产生的表面裂纹使抗弯强度大大降低。温差是影响热震性能的主要因素。当温差为1000℃时,其抗弯强度损失远大于断裂韧性损失。  相似文献   
7.
自韧氮化硅陶瓷的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
评述了自韧氮化硅的发展概况及研究现状,讨论了显微结构及力学性能的相互关系及其研究进展,指出了存在的问题及发展趋势。  相似文献   
8.
自韧Si3N4陶瓷的显微结构及其性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用热压的方法制得室温断裂韧性和抗弯强度分别为11.2MPa·m ̄(1/2)、823MPa,高温(1350℃)断裂韧性和抗弯强度分别为23.9MPa·m ̄(1/2)、630MPa的自韧Si_3N_4陶瓷。研究了显微结构和力学性能之间的关系。结果表明:玻璃相的含量、β-Si_3N_4的长径比等对性能有重要影响。分析了自韧Si_3N_4陶瓷的增韧机理,通过SEM明显观察到Si_3N_4中存在裂纹偏转、分支和β-Si_3N_4拔出现象。  相似文献   
9.
研究了自韧Si_3N_4的高温力学性能、氧化行为和抗热震性能。结果表明,晶界玻璃相对高温性能有重要影响,在室温~1350℃的范围内,自韧Si_3N_4的抗弯强度随温度的升高而降低,断裂韧性随温度的升高而增加;在1300~1350℃的温度范围内,自韧Si_3N_4的氧化符合抛物线规律,氧化过程主要由晶界处添加剂离子和杂质离子的扩散过程控制。由于热应力导致裂纹的产生和扩展,使得热震后材料的性能降低。  相似文献   
10.
综述了聚碳硅烷制备近化学计量比SiC纤维的研究进展,总结了H2在PCS纤维裂解过程中的作用机理,比较了纯H2气氛、分阶段不同气氛、全过程H2/Ar混合气氛条件下得到的SiC纤维的组成和性能变化规律.纯H2气氛800℃以上保温4h,可得到近化学计量比SiC纤维;分阶段气氛下,气氛转换温度为800℃,烧结至1300℃保温1h,可得到近化学计量比SiC纤维;混合气氛下,氢气浓度为60%左右,烧结至1300℃保温1h,可得到近化学计量比SiC纤维.在这些气氛条件下得到的近化学计量比SiC纤维,烧结后的高温力学性能均优于非化学计量比SiC纤维.  相似文献   
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