在VLSI方面的竞争

<正> 除以前发表过的日本两家公司研制成256K位动态RAM以外,目前,许多公司也正在研制256K位动态RAM,并取得一定进展。IBM公司已试制了288K位动态RAM芯片;Motorola公司最近也发表了256K×1位动态RAM的一览表,预计样品在年内或83年初出厂,最大存取时间将为100ns,内有再生功能,单元面积84μm~2,芯片面积46.4mm~2;日立也宣布今年秋季将提供样品。东芝公司在批量生产第一代VLSI产品-64K位动态RAM方面一直落后于日立、富士通等公司,据称东芝将通过首先推出1M位RAM来保持它在VLSI方面的竞争能力,他们计     

能清楚地了解卫星材料的老化情况的耐氧原子性能评价装置

日本三菱电机公司开发了一种可以模拟人造卫星材料的老化情况的设备——“耐氧原子性评价装置”.这是一种可以把中性的氧原子照射在材料上再测量其老化状况,并进行分析评价的设备.利用此设备,就可以清楚地了解材料的老化过程,从而开发出比氧原子强的材料,并且还可以达到确立材料与元器件的可靠性评价技术的目的.该装置由电子束发生器、老化反应室以及检测器等部分构成.其测试评价的方法如下:首先,在发生器中制造氧原子电子束;其次,用高质量的磁性材料挑选出仅仅在离子源中所产生的氧离子,在氧气中通过,并进行电荷交换,使其中性化;再次,用这个中性氧原子电子束照射放置在反应室中的材料.另一方面,检测器在激光中先使中性的氧原子激发起来;然后从氧原子所发生的荧光的强度中检测其绝对密度(每1cm~3甚至可以计测10亿个);再进一步分析老化生成的气体,还可以确定其种类,从而也就可以定量地评价氧原子电子束的照射量与材料老化的关系.     

环境试验的最新动向——访问日本电子元器件可靠性中心的环境试验研究所

1 绪言前些时候,我们(日本《材料与环境》编辑部的成员)访问了日本电子元器件可靠性中心(简称RCJ)的环境试验研究所。接待我们的是被称为电子元器件可靠性试验的创始人的穴山讯所长,他向我们介绍了有关环境试验方面的研究方法、标准和最新的动向,以及他们的宝贵经验等。2 环境试验研究所的概要环境试验研究所是一个以各种电子元器件和设备的环境试验以及耐久性试验为业务的公共机关。1964年,该所作为日本电子工业振兴协会(JEIDA)的“环境试验中心”而设立,1975年移交给RCJ,作为日本最早的可靠性技术中心而进行可靠性数据的收集和分析、有关可靠性试验方法的调查研究、可靠性技术的普及等。环境试验研究所的业务主要分为以下三大类:     

环境管理国际标准化：各国纷争先机（续）

美国为给本国企业多争取一些准备的时间而施用缓兵之计，日本汲取ＩＳＯ９０００系列标准的经验教训，努力在ＩＳＯ１４０００系列标准上减少损失，变被动为主动我国作为一个发展中国家，面对ＩＳＯ／１４０００系一的冲击，我们怎么办！。     

ASIC用的新型测试设备

美国加利福尼亚州的Agoura Hill的Teradyne Semiconductor Test事业部成功地开发了一种高性能的VLSI测试设备,它的型号名称是“J921”,这是一种专门用于检测ASIC(专用集成电路)的新型设备.它的I/O管脚数最多可以达到512个,最大的工作频率为150MHz,最大的数据传输率为300MHz,边缘放置精度为±300ps,而且扫描路线的测试还可以由系统选择.     

日本松下电器公司视频产品制造厂的努力成果——通过ISO9001认证

目前,在以电气和电子领域为主的工业界中,正在开展有关质量保证的国际标准——ISO9000系列的认证及其研究的工作。ISO9000系列,可以说是一个能够满足用户严格的质量要求的、而且是全世界范围的质量保证体系。它的特点是,从产品的开发生产到最终成为商品的全过程,都是基于用户的立场,是一个全面的质量保证体系。 另外,从有关电气和电子厂家的情况来看,不仅是元件和零部件等制造厂家,连制造家电产品的厂家也在致力于获得认证的工作,他们的努力更是引人注目。     

日本半导体工业的中期规划（下）

介绍日本半导体工业面临的严峻课题及准备采取的对策。     

日电中央研究所试制采用SiN隔离层的X射线曝光用的掩模

<正> 日本电气中央研究所试制了实用性强、容易形成微细图形的采用SiN隔离层的X射线曝光用的掩模。过去,形成厚-宽比大的金的微细图形的方法有多种,但不论哪种方法在生产性、线宽控制及缺陷宽度等方面都有问题。该所用等离子体CVD方法形成的SiN膜,以其生产条件决定的易腐蚀的特性而引人注目,因此进行SiN隔离法的研究,也容易得到亚微米领域的金微细图形。形成图形的工艺步骤如下:在掩模基板上顺次形成作为附着层的钛(50A)和作为电镀