首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   14篇
  免费   2篇
  国内免费   5篇
化学工业   1篇
无线电   5篇
一般工业技术   13篇
原子能技术   2篇
  2017年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   1篇
  2008年   1篇
  2005年   3篇
  2003年   1篇
  2001年   5篇
  2000年   1篇
  1999年   1篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
  1984年   1篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有21条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用直接浸润法制备了具有不同层数的超顺排碳纳米管(SACNT)薄膜与硅橡胶的复合材料,使碳纳米管薄膜能够在硅橡胶基体表面均匀分散。测量了SACNT薄膜/硅橡胶复合材料在各个方向的导电性能和力学性能,研究了影响复合材料导电性和力学性能的因素。实验结果表明:SACNT薄膜/硅橡胶复合材料的导电性和杨氏模量都随着碳纳米管薄膜厚度的增加而增加,且具有显著的各向异性。垂直于碳纳米管排列方向的电阻率平均比平行方向的大一个数量级。当碳纳米管层数为240层时,平行于碳纳米管排列方向的杨氏模量为116.9 MPa(比纯硅橡胶基体增加了142倍),而垂直方向的杨氏模量仅为1.23 MPa(比纯硅橡胶基体增加50%),两者之间相差近100倍。结果表明,可以通过选择不同的参数,获得具有特定导电性和杨氏模量的SACNT薄膜/硅橡胶复合材料,并在实际中加以应用。  相似文献   
2.
用丝网印刷技术在不锈钢基底上制备了碳纳米管场发射阴极,它由一层多壁碳纳米管浆料和一层粘结层组成,这种双层结构增强了碳纳米管与基底之间的结合力和导电性.采用真空封接的工艺实现了碳纳米管场发射阴极在像素管中的应用,像素管以钼网作为栅极,荧光屏作为阳极,在10 kV的阳极电压和脉冲模式下得到了均匀并且稳定的发光效果,在50 h的测试中没有明显的电流衰减,说明其中的碳纳米管场发射阴极有较长的寿命.另外,制备的像素管具有较低的功耗,有可能应用于户外大屏幕显示器.  相似文献   
3.
报道了用光谱的手段研究SiC纳米棒(NR)的结果.对于在实验中观察到LO模的大幅度红移及新出现的喇曼峰,认为在类似SiCNR的存在大量缺陷的极性纳米材料中,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要.理论计算证实了这一点,并解释了实验观察到的异常现象.  相似文献   
4.
正电子在某些材料中的寿命与现有仪器的时间分辨率很接近,要从这些材料的实验数据中得到寿命的正确结果,一定要考虑仪器的分辨函数。为此调试了Positronfit-Extended程序(简称P-E程序)和编排了提供近似分辨函数的程序,并用这组程序探讨了以近似分辨函数代替仪器精确分辨函数的可能性。  相似文献   
5.
碳纳米管储氢   总被引:11,自引:0,他引:11  
近年来,碳纳米管由于其独特的力学、电学等性能以及在众多方面的潜在应用,越来越受到世界各国科学家的关注.最近,碳纳米管由于其大表面积和中空的结构,被应用于氢气储存.本文介绍了该领域最新的一些研究结果  相似文献   
6.
利用半导体激光局域加热催化剂,实现了在透明基底上碳纳米管(CNT的生长.通过调节激光的照射光点,来准确控制碳纳米管的生长位置.这种方法解决了在面积透明基底上室温合成碳纳米管的问题,可以很方便地实现基于碳纳米管阴极的场发射平板显示器.  相似文献   
7.
基于碳纳米管长线场发射的真空测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用碳纳米管的场发射性质,研制了一种新型的真空测量装置。该装置采用了电离规的测量原理,它由碳纳米管阴极、阳极和收集极组成,通过测量离子流与电子流的比值来指示真空度。其中的碳纳米管阴极由碳纳米管长线制成,由于碳纳米管长线的宏观尺度,这种阴极可以高效地制备。在动态真空系统中测试了该装置的计量特性,结果在10-4~10-1 Pa的范围内有良好的线性特征。由于该装置采用了场发射阴极,它的功耗只有约5.5 mW。另外,相比于传统的热发射阴极,该装置没有明显的吸放气效应。这些特点使得它在密封真空器件,如场发射显示器,内部的真空测量中有广泛的应用前景。  相似文献   
8.
采用双向电泳法,在原子力显微镜探针尖端组装了单根碳纳米管,在真空环境下对比测量了单根碳纳米管蒸镀低逸出功材料HfC前后场致发射电流曲线和电流噪声的特点。证明了HfC蒸镀在碳纳米管上能够显著降低发射体的逸出功,减少电流噪声,并且观察到单根碳纳米管蒸镀了HfC后7μA左右的稳定电流发射。通过分析电流噪声,认为碳纳米管场致发射噪声主要来自吸附气体的频繁吸附和脱附。在低电流下,空间电离的离子轰击发射体表面,对吸附状态的影响占主导地位。当单根碳纳米管的场致发射电流超过1μA量级以后,碳纳米管表面温度快速升高,温度对气体吸附的影响占主导地位,吸附的气体分子逐渐脱附后,电流噪声开始降低。  相似文献   
9.
碳纳米管储氢   总被引:3,自引:0,他引:3  
近年来,碳纳米管由于其独特的力学、电学等性能以及在众多方面的潜在应用,越来越受到世界各国科学家的关注。最近,碳纳米管由于其大表面积和中空的结构,被应用于氢气储存。本介绍了该领域最新的一些研究结果。  相似文献   
10.
碳化硅纳米晶须生长和显微结构   总被引:8,自引:0,他引:8  
采用两步生长生在碳化硅纳米晶须,首先是二氧化硅与硅反应生成一氧化硅,再与碳纳米管先驱体反应生成β-SiC纳米晶须,其直径为3~35nm,长度为2~20μm,用高分辨透射电镜研究晶须形貌,显微结构,讨论了碳化硅纳米晶须生长机制。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号