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二维方形GaAs量子点电子特性的研究 总被引：1，自引：1，他引：0
采用抛物线形限制势作为量子点对电子的有效束缚势,在密度泛函理论的基础上,使用五点差分法把二维方形量子点中电子的薛定谔方程离散化,然后用自洽迭代的方法求解二维方形量子点,得出绝对零度情况下二维方形量子点中处于基态电子的总能量,化学势和电子密度.并讨论了抛物线形限制势的强度对量子点中电子基态能量、化学协和电子密度的影响,得出了方形量子点多电子系统基态的一些性质. 相似文献
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采用球壳结构和渐变有限深谐振子势阱模型,利用镜像电荷的方法分析了不同介电常数下,界面效应对半导体量子点异质结中类氢杂质电子束缚能级的扰动情况.通过计算考虑到杂质对电子的束缚作用前后的电子的基态能,可以看出对于处在弱受限情况下的量子点,异质结厚度在小于10 nm时,界面效应对类氢杂质电子束缚能级的影响明显.当异质结壳层厚度增大的时候,界面效应的影响将逐渐减弱,受扰动的基态能也逐渐减小,最后不同Airy函数零点值所对应的基态能趋向于某一固定值,此时界面效应可以忽略. 相似文献
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