国家正式批复设立区域电力监管机构

国家电力监管委员会遵照党中央、国务院对电力体制改革的总体要求,根据中央机构编制委员会办公室批复,设立华北、东北、西北、华东、华中、南方等6个区域监管局(简称电监局),并向有关城市派驻监管专员办公室。区域电监局的主要职责是:依据电监会授权,监管电力市场运行,规范电力市场行为,     

直埋供热管网泄漏原因分析及检测

本文从直埋供热管网的设计、施工、运行、材料设备及周边环境等方面,分析了造成直埋供热管网泄漏事故的原因,并提出了相应的应对措施。同时,简要介绍了目前常用的直埋供热管网泄漏检测方法及选择原则。     

一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法

对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的非本地输运,并对碰撞离化模型进行了修正;使用蒙特卡罗仿真得到新的电子能量驰豫时间随电子能量变化的经验模型.最后使用文中改进的仿真设计方法对一个ESD保护电路进行了设计和验证,测试结果符合设计要求.     

深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应

选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.     

用衰减全反射红外光谱研究纳米SiO2粒子在复合涂层中的迁移现象

用衰减全反射红外光谱(FTIR-ATR)技术研究了纳米SiO₂粒子在紫外光固化复合涂层中的迁移现象,并对影响纳米SiO₂粒子在涂层中分布梯度的因素进行了半定量分析。研究结果表明,纳米SiO₂粒子在光固化过程中向涂层接触空气的表面迁移,在表面层富集。当纳米SiO₂粒子含量较高、分子量较小、接枝率较高,或者在极性较大的基体树脂中时,迁移较快,分布梯度较大。      

氮化镓器件非线性特性表征

对100um和1mm碳化硅衬底的氮化镓器件进行直流特性,小信号特性和大信号特性的表征。100um和1mm器件小信号特性测试结果发现,随栅长增大,由于电容寄生效应的减小,电流截止频率fT增大。从数据看出,器件可用在C波段和X波段。大信号测试包括C波段和X波段负载牵引测试和功率扫描测试。器件偏置在AB类工作点,并且选定源端阻抗,做负载牵引测试。在负载牵引园图上,最大功率阻抗点和最佳效率阻抗点可以确定。根据5.5GHz的不同栅长的器件的功率扫描结果分析器件尺寸变换效应与和大尺寸器件的自热效应密切相关。8GHz 不同漏极偏置的器件的功率扫描结果说明碳化硅衬底的氮化镓器件有好的热导率,高击穿电压和10.16W/mm 功率密度。从分析可证明碳化硅衬底的氮化镓器件是放大器设计的理想材料。     

MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析

研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-8mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AIGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降.     

两步法制备镍掺杂磷酸铁锂/石墨烯复合材料

用两步法制备掺杂Ni的磷酸铁锂(LiFePO4)/石墨烯复合材料。XRD、SEM和TEM等方法对产物的分析表明:橄榄石型LiFe0.95Ni0.05PO4颗粒的粒径为200~800 nm。循环伏安和恒流充放电测试结果表明:以0.1C和5.0C的电流在2.5~4.2 V充电,制备的LiFe0.95Ni0.05PO4/石墨烯复合材料的首次放电比容量分别为147.2 mAh/g和89.5 mAh/g,循环20次,放电容量均无明显的衰减。     

耐溶剂聚酰亚胺膜渗透汽化分离有机溶剂的研究

文章制备了聚酰亚胺渗透汽化膜,并将其用于乙酸和N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)脱水。实验结果表明:聚酰亚胺渗透汽化膜能有效地从乙酸和DMAc中脱除水,对于含水量为2.20 wt%的乙酸水溶液,其渗透通量为27.7 g/(m2h),分离因子为3427,溶胀度为17.7%;对于含水量为6.63 wt%的DMAc水溶液,其渗透通量为4.50 g/(m2h),透过液中无DMAc,溶胀度为36.3%。同时,随着乙酸和DMAc水溶液温度的升高,其渗透通量均增大,在乙酸体系中分离因子减小。