升华再结晶法制备AIN晶须及其生长特性

以AIN粉体为原料，加入适量的CaO-B2O3矿化剂，采用升华再结晶法制备AIN晶须．初步探讨了反应器及其合成温度对产物种类的影响，研究了晶须的结构特征及其生长机理．结果表明，初期的合成产物包括AIN晶柱、晶须和非晶AIN纤维，以VLS机制生长：后期产物为AIN晶须，表现为VS生长机制：XRD及TEM分析表明，晶须大多呈现沿｛2110｝、｛101l｝和｛0001｝，l＝0、1、2、3的晶面生长．多数晶须宏观生长轴向平行于这些晶面的法线，而部分晶须由于发生斜生长，导致宏观生长轴向与这些晶面的法线斜交．     

一种低温共烧AlN陶瓷基片的排胶技术

介绍一种由高热导率AlN陶瓷和金属W共烧制备低温AlN陶瓷基片的排胶技术．研究了排胶过程中残余碳对AlN陶瓷基片相组成、烧结特性和微观结构的影响．结果表明：两步排胶法可以较好地解决W氧化及AlN陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题．     

混凝土泵车线束优化设计

通过混凝土泵车线束架构优化设计,利用Pro-e三维布线优化线束走向,就近布置线束,在线束连接处采用防水连接器及专用电气盒,同时使用专用固线装置进行线束固定,优化设计混凝土泵车线束,以实现线束独立布线,节约成本,提高线束的维修性。     

(YCa)F3助烧AlN陶瓷的显微结构和热导率

采用（ＣａＹ）Ｆ_３为助烧结剂，低温烧结（１６５０℃， ６ｈ）制备出热导率为２０８Ｗ／ｍ·Ｋ的ＡＩＮ陶瓷，在烧结过程中，热导率随保温时间的变化服从方程：λ（ｔ）＝λ∞－△λ（０）·ｅ~（－ｔ／ｒ）·用ＳＥＭ、 ＳＴｈＭ、 ＴＥＭ和 ＨＲＥＭ对 ＡＩＮ陶瓷的显微结构及其对热导率的影响进行了研究，结果表明，晶粒尺寸对ＡＩＮ陶瓷热导率的影响可以忽略，而分隔在ＡＩＮ晶粒之间的晶界相会降低热导率。     

(YCa)F3助烧AIN陶瓷的显微结构和热导率

采用（ＣａＹ）Ｆ３为助烧结剂,低温烧结（１６５０℃,６ｈ）制备出热导率为２０８Ｗ／ｍＫ的ＡＩＮ陶瓷,在烧结过程中,热导率随保温时间的变化服从方程,λ（ｔ）＝λ∞－△λ（．３＾－６／ｒ,用ＳＥＭ、ＳＴｈＭ、ＴＥＭ和ＨＲＥＭ对ＡＩＮ陶瓷的显微结构及其对热导率的影响进行了研究。结果表明,晶粒尺２对ＡＩＮ陶瓷热导率的影响可以忽略,而分隔在ＡＮＩ晶粒之间的昌界相会降低热导率。     

La2／3Ca1／3Mn（O1—x,Fx）3的晶体结构和巨磁电阻特性

对钙钛矿结构锰酸盐巨磁电阻材料进行了阴离子掺杂的研究。Ｘ射线衍射结果表明,Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍ（Ｏ１－ｘＦｘ）３化合物的空间媾和为Ｐｂｎｍ,Ｚ＝４,Ｆ＾－离子占据８ｄ位置,随着ＣａＦ２掺入量的增加,晶格常数和晶胞体积呈递减趋势。     

升华再结晶法制备AIN晶须及其生长特性

以ＡｌＮ粉体为原料，加入适量的ＣａＯ－Ｂ２Ｏ３矿化剂，采用升华再结晶法制备ＡｌＮ晶须，初步探讨了反应器及其合成温度对产物的种类的影响，研究了晶须的结构特征及其生长机理，结果表明，初期的合成产物包括ＡＬＮ晶柱、晶须和非晶ＡｌＮ纤维，以ＶＬＳ机制生长；后期产物为ＡｌＮ晶须，表现为ＶＳ生长机制：ＸＲＤ及ＴＥＭ分析表明，晶须大多呈现沿（２１１０）、（１０１ｌ）和（０００１），ｌ＝０、１、２、３的晶面生长，     

Nd0.67(Sr,Ca)0.33Mn(O,F)3磁电阻材料的结构与性能

通过掺CaF2制得了Nd0.67(Sr,Ca)0.33Mn(O,F)3 (NSMO)磁电阻材料,并对它们作了结构分析和磁性能测量. X射线衍射结果表明,NSMO化合物保持Nd0.67Sr0.33MnO3的钙钛矿结构,空间群为Pbnm,Z=4,F-离子占据8d位置,随着CaF2掺入量的增加,晶格常数减小,居里温度降低,而磁电阻性质呈明显的递增趋势. 当掺入量为20mol%时, ΔR/R(0)的峰值达到99.7%.     

低温共烧多层AlN陶瓷基片

介绍由高热导率ＡｌＮ陶瓷与金属Ｗ制备的低温共烧多层ＡｌＮ基片，研究了以Ｄｙ２Ｏ３为主的添加系统对低温烧结ＡｌＮ性能，显微结构的影响。     

低温烧结AlN陶瓷基片

通过添加助烧结剂和改进粉体性能，进行ＡｌＮ陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明，添加以Ｄｙ２Ｏ３为主的助烧结剂系统，在１６５０℃下，无压烧结４ｈ，热导率高达１５６Ｗ／（ｍ·Ｋ）；而对ＡｌＮ粉体进行冲击波处理，可以提高粉体的烧结活性，使烧结温度降低２５℃。讨论了低温烧结ＡｌＮ陶瓷基片及低温共烧多层ＡｌＮ陶瓷基片的制备工艺。两步排胶法可以较好地解决金属Ｗ氧化及ＡｌＮ陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题，是制备ＡｌＮ陶瓷与金属Ｗ共烧多层基片的有效排胶方法。