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1.
银合金及银复合材料的技术发展   总被引:11,自引:2,他引:9  
介绍了国内外银合金及银复合材料的生产和技术现状,主要问题和发展趋势。  相似文献
2.
抗时效软化的银材   总被引:10,自引:2,他引:8  
杨富陶  刘泽光 《贵金属》1992,13(3):22-25
在99.99%的纯银中,添加0.015%的金属钛进行机械性能测试。当ε=0~99%时在20℃下保存90天,或当ε≤60%,在50℃下保存90天,其强度和硬度基本不变。即在纯银中加入微量钛,可以限制银材的自然时效软化。  相似文献
3.
纯银自然时效的软化特性   总被引:9,自引:0,他引:9  
刘泽光  柳青 《贵金属》1991,12(2):25-33
研究了纯度为99.99%(A_1)和99.9%(A_2)银材的时效软化行为,讨论影响银材时效软化速率的诸多因素。实验指出在90天的时效周期内,只有当ε=0~99%在0℃或者当ε≤40%在20~50℃条件下A_1和A_2的机械性能相对稳定。银材的时效软化是由于其内部结构产生再结晶组织所致。  相似文献
4.
Ag-Cu-In-Sn系低熔点钎料   总被引:7,自引:0,他引:7  
研究一种新型银基钎料合金Ag—Cu—In—Sn,并提供其钎焊特性和钎接头的机械性能。此钎料具有较低蒸气压和熔化温度,钎焊接头具有较高的气密性,适用于电真空、半导体及微电子器件在真空或保护气氛中无钎剂钎焊。  相似文献
5.
电子器件用的中温钎料的进展   总被引:7,自引:0,他引:7  
刘泽光 《贵金属》1993,14(1):65-69
概述了用于电子器件中的中温钎料(450~600℃)的特点及应用条件,回顾中温钎料近40年来的发展,指出非晶态中温钎料在电子器件中的应用的可能性。  相似文献
6.
微电子封装用金锡合金钎料   总被引:6,自引:2,他引:4  
AuSn20是用于微电子器件封装的一种重要金基钎料,由于加工性能差,AuSn20难于制成箔材。本文介绍了采用新工艺制备的厚度为0.02~0.10mm的AuSn20箔材及焊环、复合盖板等零件,其熔点为280±3℃,接头剪切强度为47.5MPa,热导率为57W/mK,漫流性能优良。该AuSn20钎料可用于互联网系统芯片焊接和电路封装以及高可靠功率微波器件中Si芯片和GaAs芯片焊接和线路的气密封装。  相似文献
7.
D-KH法制备金锡合金的组织与结构   总被引:5,自引:1,他引:4  
通过D-KH法和熔铸法、急冷法制备的AuSn20合金相组成和相结构比较,表明了采用D—KH法制备的不同厚度AuSn20箔带和用3种方法制造的Ausn20合金的相组成和相结构完全相同。  相似文献
8.
镍对Ag—Cu—In—Sn合金钎焊特性的影响   总被引:4,自引:1,他引:3  
刘泽光  王文祥 《贵金属》1992,13(4):23-29
研究指出,Ni的添加导致Ag-Cu-In-Sn合金固—液相线温度升高,结晶间隔△t值增大,但在相同Ni含量的合金中,上述影响会随着合金内Sn含量的增加而减弱;微量Ni可明显地提高合金在Ni、Cu等母材上的润湿性和漫流性,并使钎接母材的接头强度显著改善。  相似文献
9.
Ag-Cu-In-Sn合金的结构特性   总被引:3,自引:1,他引:2  
刘泽光 《贵金属》1992,13(2):29-33
借助金相、X光衍射及SEM方法研究Ag-Cu-In-Sn合金的结构特性及合金各组元在合金相中的分布规律,还讨论了某些相结构对合金力学性能的影响。四元合金的化学成分是(wt%)57~63Ag,17~23Cu,(20—x)In,xSn,其中:Ag+Cu=80wt%,In+Sn=20wt%,2≤x≤16。  相似文献
10.
难溶解贵金属-硼焊料中硼的酸分解及其测定   总被引:3,自引:1,他引:2  
建立了甘露醇选择性析出硼酸中与B(Ⅲ)等量的H 和pH-NaOH滴定B(Ⅲ)的新方法.系统地研究了难溶解贵金属-硼焊料中B的酸分解及其含量测定的条件.简述了H2SO4 用量与Na盐量的关系及其对滴定的影响.比较了pH电极与指示剂对指示滴定终点的影响.讨论了提高测定B(Ⅲ)的准确度和精密度的条件.结果表明:采用自制简易回流装置,HNO3-H2SO4能完全分解样品中的B,并可避免B(Ⅲ)的挥发损失.于≤2.0mL H2SO4的滴定介质中,近终点NaOH微滴定和pH电极指示终点的方法,提高了滴定终点的敏锐度、分析结果的准确度和精密度.方法特点:分解完全,选择性好,准确度(测定2.00~12.00mg B,相对误差≤±0.50%)和精密度(测定4% B,相对平均误差-0.74%~ 0.99%、相对标准偏差0.64%)高,操作简便,适用性强.已应用于B质量分数为1%~12%的难溶贵金属-硼焊料等样品中B的测定,结果满意.  相似文献
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