首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6篇
  金属工艺   6篇
  2008年   3篇
  2005年   3篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 24 毫秒
1
1.
静磁场对铝硅合金Na变质处理的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
分别对亚共晶Al-6Si合金和共晶Al-12.6 Si合金进行Na变质处理,发现对于亚共晶Al-6 Si合金,重熔使N。变质失效,而施加静磁场条件下,重熔没有使Na变质失效。对于共晶Al-12.6 Si合金,同样在变质剂反应温度保温20min,施加静磁场的条件下,共晶硅细化,并呈现一定程度的粒状化,其变质效果明显优于不施加静磁场的情况。延长保温时间至40 min,不施加静磁场时出现了变质衰退现象。但在施加静磁场条件下,变质衰退现象相对较轻,即静磁场具有延长变质有效时间的作用。分析认为这是静磁场抑制对流作用的结果。  相似文献
2.
强磁场对亚共晶铝-硅合金变质处理的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了强磁场对亚共晶铝-硅合金变质处理的影响。对Al-6Si亚共晶铝.硅合金进行Na盐变质处理后,重熔并在720℃下保温20min时,如果不施加强磁场,共晶Si呈粗大的针片状,长度和分布不均匀,凝固组织为未变质组织,即发生了重熔失效的现象。施加强磁场的条件下,共晶Si仍呈细小的颗粒状,凝固组织仍与第一次变质后相当,没有发生重熔失效的现象。分析认为重熔失效是Na的氧化和烧损以及凝固过程中对流的共同作用的结果。而施加强磁场的条件下,合金的变质组织得以保持是由于强磁场强烈抑制了熔体对流的。对固态下的合金施加强磁场对变质组织没有产生影响。  相似文献
3.
1INTRODUCTIONAmong Al-Si alloys,the Al-Si eutectic alloyhas the best foundry capability.The mechanicalproperties of Al-Si eutectic and hypoeutectic alloyhighly relates to the shape,size and distribution ofSi phase in eutectic structure.Coarse acicular-likeeutectic Si dissevers Al matrix badly to inducestress concentration and debase the mechanicalproperties,especially the tenacity.Modification isthe process to change the shape and size of eutecticSi,namely to change the shape of eutec…  相似文献
4.
利用化学溶液技术制备了具有单一白钨矿结构的SrMoO4多晶薄膜.用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶相结构,用红外光谱(IR)对薄膜的均一性进行了表征,用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了观察.采用荧光光谱仪测试了所制SrMoO4薄膜在不同温度下的光致发光特性.研究结果表明,在276 nm的紫外光激发下,钼酸锶薄膜室温条件下显示出良好的光致发光特性,呈现宽带(~300 nm)的发光特征.另外,光致发光光谱的峰值呈现出明显的温度漂移特性,从511 nm(11 K)变化到484 nm(293 K).此外,本文还讨论了SrMoO4薄膜在闪烁材料和紫外成像薄膜材料方面的可能应用.  相似文献
5.
使用化学溶液制各技术在硅(100)衬底上制备出符合化学计量比的钼酸铋(α相)薄膜.采用X射线衍射(XRD)分析的研究结果表明,所制备的薄膜具有单一的单斜晶相结构利用原子力显微镜(AFM)对其表面形貌进行表征,验证了实验过程中溶剂的改变对薄膜结构和表面形貌产生的影响;使用荧光发射仪研究了薄膜在室温下的发光特性.结果表明,通过化学溶液制备技术可以制备出具有单一晶相的钼酸铋(α相)薄膜,该薄膜具有良好的光致发光特性.  相似文献
6.
利用化学溶液途径成功地制备出了符合化学计量比的钼酸钙多晶薄膜.通过旋涂技术将薄膜沉积在Si(100)或载玻片上,并利用SEM技术表征了薄膜的表面形貌,以及薄膜的表面随退火温度变化的特征.X射线衍射结果显示,在溶液中,钼酸钙化合物就已直接生成而不需经过任何中间过程.退火温度对钼酸钙薄膜微观结构的影响研究表明,当退火高于550℃时薄膜的生长具有择优取向特征.钼酸钙薄膜的拉曼光谱测试结果进一步表明了钼酸钙薄膜的四方相结构特征以及薄膜微观结构的均一性.此外,本文还报道了不同温度下测得的钼酸钙薄膜在紫外光激发下的光致发光性质,其研究结果表明,在276 nm的紫外光激发下,钼酸钙薄膜具有一个宽的(~200 nm)绿光发射带.  相似文献
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号