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1.
ZnO薄膜材料的发光特性 总被引：2，自引：0，他引：2
回顾了最近几年对ZnO薄膜材料发光特性的研究进展，介绍了用不同方法制备ZnO薄膜的自发辐射和受激辐射发光特性。 相似文献
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1．3～1．6μm是在光通信等方面有重要应用的激光波段，具有重要的研究和应用价值。被动调Q技术是产生较高能量脉冲激光的简单而有效的方法，成本低廉，结构简单，容易实现。掺Co^2 的被动调Q晶体(如：Co^2 ：YAG，Co^2 ：Y3Sc2Ga3O12，Co^2 ：LaMgAl11O19，Co^2 ：MgAl2O4，Co^2 ：LiGa5O8，Co^2 ：ZnSe等)可以对1．3～1．6μm激光实现被动调Q激光输出，调Q的波长范围宽，材料的机械性能优良。 相似文献
3.
MOCVD生长1．06μm InGaAs／GaAs量子阱LDs 总被引：1，自引：1，他引：0
用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。 相似文献
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共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性，并展望了这种器件的发展前景。 相似文献
5.
采用激光二极管端面泵浦Nd：YVO4晶体和声光调Q技术，获得1．34μm脉冲激光，利用基质材料YVO4晶体的拉曼频移效应，将1．34μm激光转变为1．52μm（人眼安全激光），获得最大平均输出功率930mw，相应光-光转换效率为3．4％，激光器输出的最短单脉冲宽度为15．6ns，最高峰值功率为3．02kW． 相似文献
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1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＺｎＯｉｓａｗｉｄｅ ｇａｐ ( 3.2ｅＶａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ)ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌｈａｖｉｎｇｔｈｅｗｕｒｔｚｉｔｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｗｉｔｈｄｉｒｅｃｔｅｎｅｒｇｙｂａｎｄ .Ｉｔｈａｓｂｅｅｎｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄａｓａｐｒｏｍｉｓ ｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌｆｏｒｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓｉｎｔｈｅｎｅａｒｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ(ＵＶ)ａｎｄｂｌｕｅｓｐｅｃ ｔｒａ .ＡｎｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇｆｅａｔｕｒｅｏｆＺｎＯｉｓｉｔｓｌ… 相似文献
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InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响 总被引：1，自引：1，他引：0
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs／A1GaAs应变多量子阱，量子阱的厚度分别为3nm和6nm，对其光致发光谱(PL)进行了研究，二者的发光波长分别为843nm和942nm，用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs／A1GaAs量子阱带隙的改变，这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。 相似文献
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Nd∶GdVO4 晶体除了具有Nd∶YVO4 晶体的优点 (发射截面大、吸收系数大、输出为线偏振等 )之外 ,Nd∶GdVO4 晶体在全固态高功率激光器领域具有良好的表现。由于 1 3μm波长附近的激光与光通信中广泛采用的硅光纤传输窗口相吻合 ,而且它的倍频又是得到红色激光的有效途径 ,所以 1 3μm激光的用途也将非常广泛。我们利用LD单端抽运Nd∶GdVO4 晶体 ,采用平凹谐振腔结构 ,获得了 16W连续波 1 34μm激光输出。抽运源为光纤耦合输出的大功率半导体激光器 ,光纤输出口径为 0 4mm ,室温下的峰值波长在 80 8nm附近。从光纤输出的抽运光经过… 相似文献