LiNbO_3/SiO_2/Si薄膜的蓝光发射

采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3/SiO2／Si薄膜。通过X射线衍射（XRD）、电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）和傅立叶变换红外吸收光谱（FT-IR）对薄膜的物相、晶体取向和成分进行了表征。采用荧光分光光度计研究了LiNbO3／SiO2／Si薄膜的光致发光。研究结果表明：在280nm激发光的激发下，LiNbO3／SiO2／Si薄膜在室温下发射470nm的蓝光，来源于LiNbO3薄膜与SiO2层界面处白捕获激子的辐射复合，发现在SiO2／Si薄膜上生长LiNbO3薄膜调制SiO2／Si薄膜的发光机制。     

SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维的制备和场发射性能研究

采用阵列碳纳米管作为模板制备出了SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维(以下称SiC纳米纤维),并对其晶体结构、形貌和精细结构使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)进行了表征.比较了SiC纳米纤维和碳纳米管模板的场发射性能,研究了SiC纳米纤维直径的变化对其绝对场增强因子的影响.结果表明:SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维具有特殊的"树状"结构,顶端及"树枝"中分布着大量的SiC纳米晶粒.SiC纳米晶粒以及特殊的分支结构增强了SiC纳米纤维的场发射性能,开启场强低至1.1 V/μm,仅为相同直径碳纳米管模板的1/2.随着SiC纳米纤维直径的减小,绝对场增强因子β0呈明显增大趋势.     

SiC纳米线的制备研究现状与展望

综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作.介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法,并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线可控制生长应开展的研究工作,对SiC纳米线的制备研究工作进行了展望.     

多元掺杂LaGaO_3基稀土复合氧化物的制备与导电性能

采用改进的固相反应法合成了锶、镁与铁或钴多元掺杂的LaGaO3基稀土复合氧化物La0.8Sr0.2Ga0.72Mg0.20Fe0.08O2.8(LSGMF)和La0.8Sr0.2Ga0.72Mgo.20Co0.08O2.8(LSGMC),利用EDS、XRD及SEM等方法对LSGMF和LSGMC的化学成分、物相组成及显微组织等进行了分析;采用直流四端子法测量了两者在350～850℃温度区间的电导率.结果表明:经1 400℃烧结后,LSGMF和LSGMC均形成单一正交钙钛矿结构;两者除含少量钙外,不舍其他杂质元素;在测试温度范围,材料的电导率与温度的关系分区间符合Arrhenius方程,在较低温阶段(350～500℃)具有较低的导电活化能(Ea<0.3 eV);与仅用锶、镁双掺杂的LSGM相比,LSGMF和LSGMC具有较高的电导率.     

Room temperature ferromagnetism of nonmagnetic element Ca-doped LiNbO3 films

The nonmagnetic element Ca-doped LiNbO3 films were prepared on Si （111） substrates by radio frequency （RF） mag- netron sputtering technique. X-ray diffraction （XRD） and X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） indicate that the Ca atoms enter the LiNbO_3 lattice in the form of Ca^2＋ ions. Superconducting quantum interference device （SQUID） resuits show that the Ca-doped LiNbO_3 films have room-temperature ferromagnetism and a maximum saturation magnetization of 4800 A/m at the 3% of Ca atom doping concentration. The room temperature ferromagnetism of the Ca-doped LiNbO_3 films can be attributed to the occurrence of vacancies due to Ca doping and is the intrinsic property.     

用于制备磁隧道结的模板套准新方法及装置

简述了现有掩模技术制备磁隧道结的过程；指出了采用定位图形套准模板存在的弊端；介绍了1种将基片固定，利用定位螺栓套准模板的装置。实践表明：采用该装置可显著提高制备磁隧道结的完好率，为纳米多层膜的制备提供了较为可靠的模板套准方法及装置。     

用于制备纳米多层膜的金属掩膜法的研究

简介了现有金属腌膜法制备纳米多层膜的过程,指出采用定位图形套准模板存在的弊端,研制出采用定位框固定基片、套准模板的制备新方法及装置。试验表明,采用该方法可显著提高制备纳米多层膜的完好率及套准精度。     

射频磁控溅射TiO2/HA复合生物膜的制备与表征

将水热合成的羟基磷灰石(HA)粉与20 wt%Ti粉混合,冷压烧结成靶材。采用射频磁控溅射方法,在工业纯钛基体上沉积TiO₂/HA生物薄膜,通过扫描电镜(SEM)及其能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)和差热分析仪(TDA)对膜层进行了表征,探讨了溅射膜的晶化工艺。结果表明:由于选择溅射和OH-损失,溅射膜由TiO₂晶体颗粒和非晶钙磷化合物组成,且其Ca/P比降低。经700℃,0.5 h水蒸气处理,非晶钙磷化合物结晶度大大提高,并部分转化为HA晶体,且处理后的溅射膜与基体间无裂纹。     

新型高导电Be—Ni—Cu合金性能研究

研究了不同热处理工艺、冷变形量与含有微量稀土元素和镁的新型低铍低镍铜合金性能的关系。结果表明，通过降低传统的铍青铜合金中的铍和镍的含量，同时加入提高铍青铜合金性能的微量稀土元素和镁，并进行适当的硬态时效处理，可使该合金的性能达到工业要求，且成本低、可替代该类其它合金。     

Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC复合材料的界面结构研究

借助XRD、SEM研究了Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC薄膜复合材料在650℃晶化退火处理后的界面结构。结果表明，陶瓷薄膜层的约束抑制了NiTiSMA基体的高温时效反应；由于NiTiSMA基体表面的高温氧化产生的TiO2过渡层，使NiTiSMA与铁电陶瓷两异质之间良好结合。