2219铝合金搅拌摩擦焊和钨极保护焊焊接件残余应力的中子衍射研究

利用中子衍射法对2219铝合金搅拌摩擦焊（FSW）和钨极保护焊（TIG）焊接件开展了三维残余应力测量，并对残余应力分布规律进行了分析。结果表明：焊接件的纵向残余应力数值较大；FSW焊接件残余应力整体较TIG焊接件的小；FSW和TIG焊接件的残余拉应力最大值分别为101 MPa和174 MPa，FSW焊接件残余拉应力最大值较TIG焊接件的小；FSW残余拉应力最大值处于轴肩边缘，且前进侧峰值大于后退侧峰值；TIG焊接件残余拉应力最大值处于焊缝边缘。通过中子衍射实验获得的焊接件残余应力分布，将可用于焊接工艺的优化与焊接件的寿命预测。     

脉冲X射线次级标准电离室研制及量传技术研究

为解决脉冲X射线参考辐射场剂量准确定值及校准的技术难题，本文结合理论计算、蒙特卡罗模拟和实验的方法研制了脉冲X射线次级标准电离室并建立了ms级脉冲X射线参考辐射场，开展了主动式电离辐射剂量仪的脉冲X射线响应测试工作。实验结果表明，目前在售主流主动式剂量计的脉冲剂量响应偏低甚至给出错误读数，不适用于短脉冲、高剂量率辐射场的剂量测量和预警，会对人员安全造成较大隐患，因此应研发适用于脉冲X射线的主动式电离辐射剂量仪并推广脉冲X射线计量校准工作。     

Co纳米线阵列的掠入射中子小角散射研究

本文采用掠入射中子小角散射（GISANS）技术，研究了沉积在多孔阳极氧化铝（AAO）模板中的Co磁性纳米线阵列的空间结构，利用计算机软件对GISANS实验进行了理论模拟，并与扫描电子显微镜（SEM）观察的结果进行比较。结果表明，GISANS实验结果、GISANS理论模拟结果和SEM实验结果三者相吻合。纳米线直径约为60 nm，纳米线中心平均距离约为121 nm，垂直于样品表面相互平行排列，在样品平面内呈现出二维局域六角有序排布。本工作证明了GISANS实验技术结合计算机理论模拟，是研究纳米线阵列及类似纳米体系的有力手段。     

浅析电子电路维修

生活中充满了各种各样的电器设备.对电器设备中电路的维修与保养,可以延长设备使用寿命,保证使用者生命财产安全.传统的师徒相传方法已经不适应日益复杂的电路故障维修的需要,总结一套行之有效地方法与步骤是必须的.本文总结的方法适用于分立元件电路及不含可编程器件的集成电路的维修,对大部分电路故障现象能够进行分析与排除.总结的电路维修步骤对维修人员具备指导意义.     

新型中子小角谱仪高效样品测量方法

本课题为2007-2008年度院长基金项目，目的是提高目前与中国科学院合作建造的中子小角散射谱仪的工作效率。中子小角谱仪因其研究尺度处于1-100nm左右，非常适合于聚合物、生物等领域的科学研究。世界上各大中子散射实验室的束流时间安排都非常紧张，为使该谱仪能更有效的开展工作，特开展有关提高该谱仪利用效率的相关研究。     

大科学工程：从项目管理的角度看

作为中国先进研究堆中子散射工程主要负责人之一，我想借此机会谈一谈在整个项目执行过程中自己的一点思考和体会。主要有三个方面：项目的立项、执行和应用。对于大科学工程的立项，其投资的多少，首先应该解决一个定位问题，也就是要明确该工程的技术指标是什么，在国内国际处于什么样的位置。一般工程的立项建设都出于需求的牵引。     

关于3G网络中部分终端软切换失败的原因分析

本文介绍了3G 网络中针对部分终端出现问题的解决思路和具体方法，尤其是通过对问题的处理，使我们了解到网络拓扑及前期设计规划是一个网络的基础，只有网络设计合理，各相关网元运行稳定才是能够提供良好网络质量的基础。     

17-4PH不锈钢纳米析出物的磁小角中子散射研究

本文充分发挥中子对磁灵敏、穿透力强等技术优势,利用加载磁场小角中子散射实验技术研究核电站实际服役14年的阀杆17 4PH不锈钢样品。结果表明,与不加磁场时相比,加载磁场条件下二维散射图谱呈明显各向异性,在散射矢量垂直于磁场方向上散射强度显著增强。利用多分散球模型对数据进行拟合,结合原子探针实验结果分析得出,衬度的增加降低了Cu析出物周围元素分布不均匀对散射的相对贡献,从而有助于更加准确地获得Cu纳米析出物的尺寸。     

用于CSNS反角白光中子源的双屏栅电离室设计及性能研究

为测量中国散裂中子源（China Spallation Neutron Source, CSNS）反角白光中子源150 keV以下能区飞行时间法中子能谱,研制基于¹⁰B(n, α)⁷Li和⁶Li(n, t)α核反应的双屏栅电离室,采用薄窗和薄底衬的结构设计。通过Garfield++、SRIM和Simcenter Magnet Electric程序对屏栅电离室的工作气体、极间距和电场分布等工作参数进行模拟设计,并采用α源及CF₄、P10、90%Ar-10%CO₂三种气体对电离室进行性能参数测试。结果表明,选定电子漂移速度快、扩散系数小,以及阻止本领大的CF4作为CSNS/Back-n束上测试工作气体,阴极-栅极和栅极-阳极间距分别为20 mm和5 mm。屏栅电离室收集区74 mm范围内是电场均匀区,场强的相对偏差≤0.03%;性能测试结果表明,工作气体为CF₄时,电离室对²³⁹Pu/²⁴¹Am/²⁴⁴Cm混合α面源具有很好的能量分辨,最佳能量分辨率为2.4%@5.48 MeV。对比平板型电离室和硅微条探测器的测量结果,验证了本工作研制的屏栅型电离室的能量分辨优势。     

中子照相系统整体空间分辨率计算与分析

本文综合考虑几何不锐度和探测系统固有不锐度的影响,把准直比、样品与转换屏间距离、转换屏和CCD(CMOS)相机分辨率等关键参数引入到系统脉冲响应函数,推导出更准确和全面的中子照相系统整体空间分辨率计算公式,探讨了公式中各参数与分辨的定量关系和影响规律。利用该公式对中国先进研究堆实时中子成像探测系统在不同准直比条件下的整体空间分辨率进行了计算与分析,讨论了如何优化调整各影响因素以提高中子照相装置的整体测试性能。为中子照相装置的优化设计以及确定特定样品的测试方案,提供了重要的理论依据。