BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能

采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷，研究了SiO2-B2O3玻璃的含量，Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响，以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律，结果表明，休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高，BaF312O19相的析出越困难，前驱体合适的热处理温度为1000℃，介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降；介电损耗的最大值为0．43，磁损耗较小。     

提高BaTiO3型协热敏电阻PTC效应的途径

本文根据晶界耗尽层模型, 分析了受主表面态浓度/ 0 、施主农度/ 。、表面态能 级尸二对? 型( ) ? 12 0 内瓷+ ? , 效应的影响, 提出“ 高且薄 ” 的晶界势垒形状在理论一五应具育 最大的+ ? , 效应, 并给出了在减少耗尽宽度0 。的同时提高势垒高度功。的理论依据! 最后, 讨论了在实际研制过程中得到最佳+ ? , 效应所应遵循的配方选择原则与相应的工艺条件, 并给出了实例     

分割电极片状压电致动器——(二)位移特性及狭缝宽度对其影响的实验研究

研究了悬臂梁式分割电极片状压电致动器的位移特性。理论分析表明，分割电极狭缝宽度会减小致动器自由端的位移输出，但当狭缝宽度小于致动器电极宽度的１０％时，可忽略狭缝宽度的影响。致动器端部位移的测试结果大于理论计算值。与现有磁头悬浮臂尺寸相近的致动器，在２０Ｖ～５０Ｖ的电压驱动下均可获得１μｍ～２μｍ的致动位移。对９８５０道／厘米的密度磁盘，该位移能覆盖至少一个磁道宽度，满足磁头定位两级伺服系统对第二级致动器位移的基本要求。     

钛酸钡基铁电材料的介电非线性研究

通过A位或B位掺杂改性得到的钛酸钡基铁电材料,在外加直流偏置电场作用下,具有介电常数非线性可调的优异介电性能,可以广泛地应用于压控可调陶瓷电容器和微波可调器件领域。针对钛酸钡基铁电材料的介电非线性特性,讨论了BaTiO_3基铁电材料分别在铁电相、顺电相以及相转变温度场附近的介电非线性机理和相关理论;结合笔者近年来有关介电非线性研究的实验结果和相关文献报道,综述了不同A位离子(如Sr~(2-)和Ca~(2-)等)或B位离子(如Zr~(4 )和Sn~(4-)等)掺杂的BaTiO_3基铁电材料体系的介电非线性研究现状,分别对不同物质形态(陶瓷块体、薄膜和厚膜)的BaTiO_3基铁电材料的介电非线性研究及其应用进行了对比分析;并对钛酸钡基铁电材料今后的发展趋势和研究方向进行了展望。     

新型的Sol-gel法制备Ba0.6Sr0.4TiO3铁电陶瓷

采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)超细粉体,将BST粉体进行压制和烧结,获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体.观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能.在Sol-gel工艺中,加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)制备BST前驱体.实验结果表明:PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性,降低BST陶瓷的预烧温度约250℃,并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷.BST陶瓷,显示弥散相变特征.     

PZN—BT系统的相变温度与纳米结构

由两个铁电体所组成的固溶体的平均相变温度通常都处于这两个铁电体的相变温度之间．然而，Ｐｈ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＢＴ）的平均相变温度却呈现出明显不同的变化规律．随着ＢＴ含量的增加，ＰＺＮ－ＢＴ的平均相变温度迅速下降．本文从化学组成复杂的系统中存在着纳米分相的假设出发，提出在ＰＺＮ－ＢＴ系统中存在着以Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３为主的顺电微区．采用热力学的方法，解释了ＰＺＮ－ＢＴ系统的相变温度的反常下降．     

钛锡酸锶钡Ba1-xSrxTi0.90Sn0.10O3陶瓷的结构与介电性能

采用传统陶瓷工艺制备了一系列的钛锡酸锶钡Ba1-xSrxTi0.90Sn0.10O3陶瓷.通过X射线衍射分析了样品的相结构,采用扫描电子显微镜描述了样品的形貌.还研究了介电常数和介电损耗随温度和电场的变化.试验结果表明:用传统的固相反应法制备的钛锡酸锶钡陶瓷的相结构为钙钛矿结构.随着烧结温度的提高,介电常数的峰值呈显著增加,介电损耗在铁电区增加但在顺电区没有明显变化.当Sr的掺入量为14%时得到最大的可调率为82.6%.     

溶胶-凝胶法制备Ni-Zn磁性微晶玻璃陶瓷的研究

采用溶胶－凝胶方法分别制备了Ｎｉ－Ｚｎ铁氧体磁性微粉和含Ｂ－Ｓｉ玻璃的先体溶液。然后用颗粒包覆的方法将磁性微粉用此溶胶包覆起来。从而实现了同银电极共烧。材料的磁性、介电性能测试表明,随玻璃含量的增加,介电常数、介电损耗以及制备在样品上的电感均呈减小趋势;介电常数随温度的升高而增大,低频特性更为明显。ＸＲＤ分析５给出材料的主晶相为尖晶石结构。除此之外还有少量的玻璃相。     

sol-gel法制备锆钛酸钡薄膜的研究

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构。采用er、tgd的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能。经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;200103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%。     

La掺杂PZST反铁电陶瓷电场诱导热释电现象

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在０～１２０°Ｃ温度范围内，热释电的峰值和峰位可以用电场的大小来控制，热释电系数达到１０－７Ｃ／ｃｍ２·Ｋ。