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基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光材料的去除特性 总被引:1,自引:0,他引:1
为了掌握化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的去除行为,根据CMP过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率构成成分模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果显示,机械与化学的交互作用率为85.7%~99.1%.磨粒的机械作用率为69.5%~94.0%,磨粒的机械与化学交互作用率为55.1%~93.1%.由此可见,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒与抛光液的机械化学交互作用引起的材料去除率是主要的材料去除率.研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据. 相似文献
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宁欣 《石油化工管理干部学院学报》2008,10(2):59-61
2006年2月财政部发布了包括1项基本准则和38项具体准则在内的一整套企业会计准则体系,充分考虑了我国的国情,体现了与国际会计准则的趋同。将新旧会计准则进行对比,针对新准则的变更部分进行分析,提出新准则对上市公司的影响。 相似文献
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通过对小音箱前面板的模具凸模进行三维造型和数控加工研究,提出了型面三维造型和数控加工技术在模具制造中的应用,造型设计与数控加工的有机结合,对小型模具加工将是很好的选择。 相似文献
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垃圾压实机推铲提升缸的支座如图1所示,由底板和立板焊接而成。为了能在卧式车床上加工立板上的插销孔及油槽孔((?)80),特设计制造了专用夹具。该夹具结构如图2所示,由偏心配重块、紧固螺栓、弯板和定位销组成。使用时,先将弯板用紧固螺栓固定在车床卡盘上,然后,再将工件固定在弯板上。为了提 相似文献
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硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验 总被引:1,自引:0,他引:1
化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术。CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标。文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,在CP-4实验用抛光机上进行了硅片化学机械抛光实验,并用美国ADE公司生产的WaferCheck-7200型非接触式电容厚度测量设备对单晶硅片的厚度进行高精度检测,经过计算,得出了不同抛光速度下硅片表面材料去除非均匀性的数据,为理解硅片CMP材料去除非均匀性形成机理,进一步揭示硅片CMP材料去除机理提供了理论依据。 相似文献
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一般情况下在采用单螺纹刀车削梯形内螺纹时,需要根据梯形内螺纹的公称直径及螺距的不同来确定进刀次数,进行多次切削才能实现螺纹的最终成形,由于每次切削都需要完成径向进刀、轴向进刀车螺纹,反向退刀等步骤,依此反复。因而,进刀次数越多,加工螺纹的时间就越长,生产效率也就越低。同时,单螺纹刀车削梯形螺纹时,由于是采用一个切削刃进行切削,虽然可以使刀尖的负荷减小,但螺纹精度及表面粗糙度较一般。 相似文献