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氧化物靶材是一种关键性镀膜基材,主要用于磁控溅射制备TFT薄膜,并将其应用于晶体管等器件中透明电极、半导体沟道层,同时也广泛应用于显示面板领域。为满足高性能器件对薄膜的要求,氧化物靶材逐渐向高致密、大尺寸、异形化方向发展。以显示行业中氧化物靶材作为重点,介绍了氧化物靶材制备流程,主要从素坯成型、烧结工艺两个角度对氧化物靶材进行总结,分析了烧结工艺对靶材参数与溅射薄膜电阻率、光学透射率及粗糙度等方面的影响,最后阐述了国内外氧化物靶材市场的现状及发展趋势。 相似文献
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氧化锡由于其优异的透明性和半导体性能及成本低廉、绿色环保等特点,逐渐成为透明氧化物半导体材料研究的热点。使用异丙醇((CH3)2CHOH)和乙醇(CH3CH2OH)为溶剂、二水合氯化亚锡(SnCl2·2H2O)为前驱体,通过旋涂法制备低成本且环保的透明SnO2薄膜。采用同步热分析仪(TG-DSC)、激光共聚焦显微镜和霍尔效应测试仪等设备,对SnO2薄膜的化学组分、微观结构和光电性能进行表征,探究溶剂和退火温度对透明SnO2薄膜的影响及相关机制。研究结果表明:Sn2+在乙醇中的溶解性好,相应前驱体溶液的成膜质量高,薄膜致密平整;提高退火温度,薄膜内部杂质逐渐去除(215.6 ℃@CH3CH2OH),经过400 ℃退火后SnO2由非晶态向结晶态转变,且SnO2的结晶度随着温度升高而逐渐增加;基于不同温度制备的SnO2薄膜在可见光波段(390—780 nm)具备优异的透明性,在波长为390 nm时不同温度下的透射率分别为96.55%(250 ℃)、96.21% (300 ℃)、95.14%(350 ℃)、96.44%(400 ℃)和93.31%(500 ℃);随着退火温度升高,SnO2薄膜的霍尔迁移率先增大后减小,薄膜载流子浓度先降低后增大,优化后的SnO2薄膜(@350 ℃)的霍尔迁移率最高可达19.54 cm2?V-1·s-1,而可控载流子浓度低至7.47×1012 cm-2。通过优化溶剂成分和退火温度,最终制备了表面平整、高度透明且具备优良半导体性能的SnO2薄膜,其在透明电子应用方面具有巨大的潜力。 相似文献
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混合集成电路铜功率外壳气密性失效分析 总被引:2,自引:0,他引:2
玻璃封接金属管壳是集成电路封装中的1类主要组件,该管壳是将玻璃与可伐合金封接而成的绝缘子钎装在铜管座上制成的。本文研究了PM型混合电路铜功率外壳气密性失效问题,产品高温老化后,气密性可由10^-8Pam^3/s降到10^-5Pam^3/s。结合对失效产品的解剖,以及与国外不漏气的同类型功率管的对比分析,分析了影响玻璃封接金属管壳气密性的因素以及生产工艺对封接质量的影响,提出若干改进建议,并指出提高产品质量的有效途径。 相似文献
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喷射沉积技术与双金属材料的制备 总被引:7,自引:1,他引:6
综述了喷射沉积技术的原理和特点及其发展的简要过程 ,双金属材料的传统制备技术及其不足 ,喷射沉积技术制备双金属板材的基本过程和特点。 相似文献
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铝合金型材的宽展挤压 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍铝合金型材生产中一种较特殊的挤压过程—宽展挤压,分析该种挤压过程中金属流动和挤压力的计算。讨论了宽展模、成形模设计和壁板型材生产工艺等问题,重点讨论宽展模及其优化设计的几个原则。 相似文献
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陶瓷基板化学镀铜预处理的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
为提高封装基板铜导体层与陶瓷基板的结合强度,研究了在氧化铝和氮化铝的基板上进行化学镀铜,对表面进行粗化和改性,经过优化工艺条件后,氧化铝与镀层的结合强度可以达到27MPa,氮化铝与镀层的结合强度可以达到22MPa。 相似文献
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引线框架材料对铜合金与锡铅焊料界面组织的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用老化试验、金相分析、扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDX)等手段对引线框架铜合金与SnPb共晶焊料界面组织进行了分析研究。结果表明,引线框架材料对铜合金与SnPb共晶焊料界面组织有很大的影响,焊点在160℃高温老化300 h后,CuCrZr系合金和CuNiSi合金与SnPb的界面金属间化合物为Cu6Sn5,其厚度在5~10 mm; 而C194合金与SnPb的界面金属间化合物为分布有Pb颗粒的Cu6Sn5,厚度已高达60~70 mm,同时还发现有微小空洞存在,影响焊点的可靠性。与C194合金相比,CuCrZr系合金和CuNiSi合金具有更好的焊接可靠性。 相似文献
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