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利用交流恒压微弧氧化技术, 通过Ce改性镁合金基体制备高耐蚀微弧氧化膜. 在100、120和 140 V的外加电压下, 对3种试样: AZ91, 质量分数w(Ce) 分别为0.92%和1.80%改性的AZ91微弧氧化过程、微观结构和组成及氧化膜的耐蚀性能进行研究. 应用电子扫描显微镜(SEM), 电子能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)等表征氧化膜的微观结构和化学组成. 利用稳态极化曲线和电化学阻抗谱(EIS)测试了氧化膜在质量分数w(NaCl)为3.5%的溶液中的腐蚀过程. 实验结果表明氧化膜成膜过程可以分为3个阶段; 氧化膜主要由MgO组成, 镁合金中的稀土元素Ce促进成膜过程, 增加膜层的致密性; 稀土改性后镁合金氧化膜的耐蚀性比镁合金基体提高4个数量级, 腐蚀电流密度低至10-8 A/cm2. 相似文献
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交变方波电源参数对镁合金AZ91D微弧氧化的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
在碱性硼酸盐体系中,使用新型的交变方波电源在镁合金AZ91D上制备微弧氧化膜。用正交实验法研究电压、频率和占空比等电源参数对微弧氧化膜性能的影响。结果表明:微弧氧化膜的厚度随电压和占空比的升高而增厚,但随频率的升高而减薄。氧化膜的结构和形貌随电源参数的变化而变化,氧化膜上的孔隙和裂缝会随着电压和占空比的升高而增多。当电压低于120V时,只能得到薄而透明的氧化膜,氧化膜的主要成分为MgO,Al2O3,MgAl2O4和MgSiO3。在3.5%氯化钠溶液中,采用电化学阻抗谱和极化曲线检测了氧化膜的耐腐蚀性。结果表明,当电压、频率和占空比分别为140V,2000Hz和0.4时,微弧氧化膜的耐腐蚀性最好。 相似文献
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应用脉冲微弧氧化电源,研究频比(脉冲电源单个周期内正脉冲频率与负脉冲频率的比值)对AZ91D镁合金在碱性硅酸盐溶液中微弧氧化的影响。频比改变微弧氧化过程中的能量分布,当频比为1时,所制备膜层更厚和致密。提高频比,膜层表面更加多孔,膜层减薄,这主要是由于单个负向周期中,频比增加,负向脉冲作用时间延长。增加频比,两个正向脉冲间隔缩短,易形成更多放电通道并在膜层表面形成更多微孔。微弧氧化膜层表面的火山口形状的熔融结构主要是由于负向脉冲导致的冷却和溶解作用。改变频比,由于微弧氧化膜层的截面微观结构没有显著变化,因此频比对膜层的保护性能影响较弱,但是氧化样品较未氧化样品的耐蚀性能有显著提高。 相似文献
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