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1.
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(111)衬底上生长了Eu3+、Li+共掺杂的ZnO薄膜。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)谱测试和光致发光(PL)谱分析,重点研究了退火处理对样品结构和发射光谱的影响。XRD谱测试表明,样品具有很好的C轴择优取向。PL谱研究表明,当用325nm光激发样品时,样品的发射光谱仅由ZnO基质的紫外发射和蓝光发射组成,并没有发现稀土Eu3+的特征发光峰;样品的蓝光发射源于电子从Zn填隙形成的浅施主能级到Zn空位形成的浅受主能级跃迁;和真空中退火的样品相比,O2中制备的样品的蓝光发射减弱,紫外发光增强。用395nm的光激发时,退火前样品分别在594nm和613nm处存在两个明显的Eu3+特征发光峰,退火后的样品仅发现Eu3+位于594nm的特征发光峰,这表明,退火处理不利于稀土离子的特征发射,但O2中退火的样品ZnO基质红绿波段发射光谱明显增强。 相似文献
2.
柴达木盆地是中国西部青藏高原内部的一个大型中、新生代压扭性沉积盆地,印支运动以来一直处于沉降发展阶段,期间形成了总量达30 000×108 m3的天然气资源。上新世狮子沟组沉积时期古气候演化过程不仅控制了盆地内部层序地层的发育和演化过程,也是世界最大生物气资源形成的重要控制因素之一。以柴达木盆地全井取心最长的气钾1井为重点,利用地球化学方法进行氯离子含量、微量元素、总有机碳含量测定,综合岩心、测井及古生物资料,结合层序地层特征,对盆地狮子沟组沉积时期古气候演化过程进行重建。气钾1井Sr/Ba、Sr/Ca比值与氯离子含量呈正相关,Sr/Ba、Sr/Ca比值随盐度增加而增大,在干旱环境中呈高值;Rb/Sr比值、总有机碳含量与氯离子含量呈负相关,Rb/Sr比值、总有机碳含量随盐度增加而减少,在干旱环境中呈低值,为柴达木盆地古气候演化精细研究提供了依据。柴达木盆地上新世狮子沟组沉积期古气候整体经历了干旱-湿润-干旱的演化过程,湖盆水体呈微咸水,结合层序地层特征,内部首次划分出5个次级气候旋回。古气候演化过程中呈现的旋回性与层序地层演化基本一致,表明前者对后者具有明显的控制作用。 相似文献
3.
4.
5.
为了较好地实现n-ZnO的电致发光(EL),利用水热法在p-GaN外延片上制备了ZnO纳米棒阵列,构造了n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED原型器件,并研究了MgO界面层对器件光电性能的影响。结果表明,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结器件具有明显的二极管整流效应。室温、正向偏压下,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED仅在430nm附近具有单一的发光峰,而n-ZnO纳米棒/MgO/p-GaN异质结LED的电致发光光谱由一个从近紫外到蓝绿光区的宽发光带组成。结合光致发光(PL)谱和Anderson能带模型,深入分析了n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结的载流子复合机制。 相似文献
6.
用脉冲激光沉积法在相同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon, PS)衬底上生长了ZnS薄膜和ZnO薄膜,在室温下对ZnS/PS和ZnO/PS的光学和电学性质进行了比较.结果发现,ZnS/PS和ZnO/PS在可见光区450~700 nm都有一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射,但ZnS/PS体系的白光发射性能要优于ZnO/PS体系的发光性能.从二者的I-V特性曲线来看,ZnS/PS异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性,而ZnO/PS异质结的整流特性与普通二极管不同,其反向电流不饱和. 相似文献
7.
两步法生长ZnO纳米棒的结构及其发光特性 总被引:2,自引:2,他引:0
应用两步法在玻璃衬底上制备了高度取向的ZnO纳米棒,并研究了衬底和反应时间等参数对其结构及发光特性的影响。从样品的扫描电镜(SEM)图中发现,利用脉冲激光沉积(PLD)方法在玻璃衬底上生长一层ZnO薄膜作为修饰层,可以明显提高水热法生长的ZnO纳米棒的结晶质量。样品的SEM和光致发光(PL)谱表明,在有ZnO修饰层的玻璃衬底上生长的ZnO纳米棒分布均匀,排列致密,取向性好;缺陷发光的发光强度约是激子发光峰的2倍,且随着反应时间增长,样品的缺陷发光增强而激子发光减弱。 相似文献
8.
9.
10.
ZnS薄膜生长温度对ZnS/PS体系结构和发光的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS,Porous Silicon)样品,然后以PS为衬底用脉冲激光沉积(PLD)的方法在100℃、200℃和300℃下生长ZnS薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,样品都在28.5°附近有一个较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向择优取向生长,但由于衬底PS粗糙的表面结构,衍射峰的半高全宽(FWHM)较大.随着ZnS薄膜生长温度的升高,薄膜的衍射峰强度逐渐增强.扫描电子显微镜(SEM)像显示,随着薄膜生长温度的升高,构成薄膜的纳米晶粒生长变大.室温下的光致发光(PL)谱表明,随着薄膜生长温度的升高,ZnS的发光强度增强而PS的发光强度减弱,把ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加,在可见光区450~700 nm形成了一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射. 相似文献