电子信息科学与技术专业人才培养方案探讨

分析了国内电子企业对人才的需求状况及电子信息科学与技术专业学生应具备的基本知识和技能,针对社会需求和学校的具体实际,提出了"突出理科特色、注重实际创新能力、强调理工相结合"的专业人才培养方案改革思路,并对其课程体系的改革与优化进行了探讨。     

不同填充率时三组元声子晶体缺陷态

运用基于平面波的超元胞方法,研究作为缺陷引入第三组元材料(四氯化碳)对二维二组元声子晶体(水/水银)带结构的影响。结果表明:当缺陷柱填充率发生变化时,原带隙的位置、宽度变化不大;缺陷带频率主要受第三组元材料物性参数的影响;当正常插入体填充率发生变化时,原带隙的位置、宽度都发生了改变,同时也影响缺陷带的出现,且这些缺陷态都是局域化的。因此,在具有宽带隙的二组元体系中引入适当的第三组元线缺陷,让缺陷带频率落在二组元体系的带隙中,就可以形成特殊的波导态。声子晶体的这一特性对于声波/弹性波的传播和新的声学应用具有重要意义。     

Al掺杂对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

研究了Al掺杂对采用直流磁控溅射方法制备的ZnO薄膜结构及光学性能的影响。X射线衍射结果揭示薄膜具有良好的C轴择优取向生长特性,同时,衬底温度对它们的透射谱和荧光谱有着明显影响,所有薄膜都有大于86%的可见光透过率和陡峭的本征吸收边,但ZAO薄膜的光学透过率略低。Al掺杂导致了更宽的光学带隙,光致发光光谱显示ZnO具有较强的近带本征吸收峰和深能级发射峰,但Al掺杂使得深能级发射峰降低。随着衬底温度的升高,近带边吸收峰蓝移,与光学带隙Eg变化趋势一致。     

ZnO晶格常数优化和电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下局域密度近似平面波超软赝势法,计算了纤锌矿ZnO的晶格常数、弹性模量、能带结构和态密度。理论预测ZnO是一种直接禁带半导体材料,导带底和价带顶都位于布里渊区中心G点处。计算结果与其他文献结果吻合较好,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据。     

锌电解沉积物的生长

采用电化学沉积方法，在薄层硫酸锌电解液中电解沉积锌，研究电解沉积物的生长情况发现，在适宜的条件下，电解沉积物可同时从阴极和电解液中预先放入的锌沉积物向阳极方向生长，并且电解沉积物的生长形态不受预先放入电解液中沉积物形态的影响，而在电解液厚度较大时没有发现类似现象，由此可知，电解沉积物的生长形态主要与外加电压、电解液浓度及其厚度有关。     

耦合谐振子网络的自适应包含控制

对具有多个领导者的耦合谐振子网络的自适应包含控制问题进行了研究,提出了基于自适应策略的包含控制协议,运用图论及稳定性理论给出了耦合谐振子网络达到包含的充分条件。最后,通过数值仿真模拟,验证了所提控制方案的有效性。     

LiF/DLC修饰电极的掺杂有机电致发光器件的研究

选用8-羟基喹啉铝(Alq3)作基材,用具有强红光发射的四(4-羟基-3苯偶氮基)苯基卟啉(TPP)对Alq3进行掺杂,制备结构为ITO/PVK/Alq3:TPP/Al红光器件,并与在此结构中带有LiF、类金刚石碳(DLC)薄层的四种器件的电致发光光谱、电流-电压和亮度-电压特性进行了比较.结果表明:将LiF、DLC薄层分别用在Alq3/Al界面之间,可降低界面的注入势垒,增强器件的电子注入;在ITO/PVK之间使用LiF薄层可起到限制空穴注入,达到载流子平衡注入的目的.由此认为电子和空穴的平衡注入与合适的栽流子复合区域是器件获得高亮度与高效率的根本原因.     

类金刚石薄膜的电子结构及光学性质

以直流磁控溅射制备了类金刚石薄膜,采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌,采用俄歇电子能谱(AES)分析薄膜的化学键和电子结构。将参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值求得不同沉积气压条件下制备的薄膜的sp2键的百分含量和sp2键与sp3键比率。采用紫外可见光透射光谱(UV-Vis)分析了薄膜的光吸收特性和光学带隙。结果表明:沉积气压低于0.8 Pa时,sp2键的百分含量随沉积气压的增大而减小;薄膜的光学性质受光学带隙的直接影响。     

水泥厂球磨机结构设计和焊接工艺改进

水泥厂用球磨机由于其运行环境恶劣，受疲劳载荷高，经常发生端盖与筒体连接焊缝开裂现象。文章根据作者从事球磨机生产经验，对其结构设计和焊接工艺进行改进，有效避免了焊缝开裂现象。     

退火温度对Al掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。其他参数不变,在不同的温度下对样品进行了退火处理,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随退火温度的变化关系。实验结果表明:在退火温度为200℃时,ZAO薄膜具有较优的光电性能,其电阻率为9.62×10-5.cm,可见光区平均透射率为89.2%。